PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE MATERIALES SUPERCONDUCTORES TEXTURADOS OBTENIDOS POR FUSION ZONAL INDUCIDA POR LASER.

Procedimiento de preparación de materiales superconductores texturados obtenidos por fusión zonal inducida por láser.

Se obtienen materiales de las familias YBCO, Bi-2212 y Bi-2223, a partir de una cerámica y mediante un sistema de fusión zonal por láser, que incluye: una cámara de crecimiento estanca, donde se encuentran alojadas dos extensiones mecánicas que hacen de soporte del sistema de movimiento de traslación y rotación de ejes; dos ventanas distintas, de cuarzo y de seleniuro de cinc, que permiten el paso de dos láseres acoplados a la cámara, uno de ND:YAG y otro de CO{sub,2 . Cada láser se enfoca sobre la preforma de dos o más formas distintas. Las preformas se sujetan sobre los ejes con diversos tipos de mordazas comerciales de tamaño muy reducido. Estos materiales por su microestructura texturada les hace útiles en aplicaciones como barras de alimentación, componentes para limitadores de corriente, filtros de red, etc.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA
.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Fecha de Solicitud: 14 de Mayo de 1997.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 2 de Abril de 2001.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B13/24 QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales). › utilizando radiaciones electromagnéticas.

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