CIRCUITO INTEGRADO CMOS CON AISLAMIENTO PERFECCIONADO.
SE AISLA UNA DEPRESION TIPO P EN UN CIRCUITO INTEGRADO CMOS QUEDA AISLADA DE LA DEPRESION ADYACENTE TIPO N MEDIANTE UN CAMPO DE OXIDO (65) CON UNA REGION DE SEPARACION (66) TIPO P FORMADA POR UN IMPLANTE DE IONES DE BORO.
LA PERFORACION DE ESTE SE SELECCIONA PARA QUE LA CRESTA DE CONCENTRACION DE BORO ESTE SITUADA INMEDIATAMENTE DEBAJO DEL CAMPO DE OXIDO QUE ES CULTIVADA A CONTINUACION. ADEMAS, EL IMPLANTE PENETRA EN LAS REGIONES ACTIVAS PRODUCIENDO UNA CONCENTRACION DE BORO RETROGRADA EN LA REGION DEL CANAL N. ESTA TECNICA MEJORA SIMULTANEAMENTE EL AISLAMIENTO DEL DISPOSITIVO Y LAS CARACTERISTICAS DE PERFORACION DEL TRANSISTOR DE CANAL N, PERMITIENDO LA EXTENSION DE LA TECNOLOGIA CMOS A LAS GEOMETRIAS DE DISPOSITIVOS SUB-MICROMETRICAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, COCHRAN, WILLIAM T., LEUNG, CHUNG WAI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 22 de Octubre de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/76 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Realización de regiones aislantes entre los componentes.
- H01L21/82 H01L 21/00 […] › para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
Patentes similares o relacionadas:
Un método de corte de un objeto a lo largo de dos direcciones diferentes usando adicionalmente una hoja elástica para dividir el objeto, del 31 de Diciembre de 2014, de HAMAMATSU PHOTONICS K.K.: Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con […]
CMOS DE CARBURO DE SILICIO Y METODO DE FABRICACION., del 1 de Septiembre de 2004, de CREE RESEARCH, INC.: DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO. EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE […]
METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS., del 16 de Abril de 1999, de AT&T CORP.: SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO […]
PROCESO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO FOTONICO, del 16 de Enero de 1999, de AT&T CORP.: SE PRESENTA UN PROCESO PARA ATACAR AL ACIDO MODELOS ONDULADOS, PARA DISPOSITIVOS DE RETROALIMENTACION DISTRIBUIDA (DFB) O REFLECTORES DE BRAGG […]
CIRCUITO INTEGRADO CON CONEXION DE CUBETAS., del 16 de Febrero de 1998, de AT&T CORP.: CUANDO SE FABRICAN CIRCUITOS LOGICOS CMOS, POR EJEMPLO UN INVERSOR, ES CON FRECUENCIA NECESARIO CONECTAR LAS FUENTES DE LOS TRANSISTORES DE […]
CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA CELULAS SRAM, del 1 de Mayo de 1997, de AT&T CORP.: SE MUESTRA UNA CELULA SEMICONDUCTORA QUE TIENE PUERTAS PARALELAS (EJEMPLO 19,21,25,23). LA DIRECCION DE LAS PUERTAS (EJEMPLO 19,21,25,23) SE ELIGE VOLUNTARIAMENTE […]
METODO PARA FABRICAR UNA CAPA SOBRE UN SUBSTRATO., del 16 de Octubre de 1994, de ADVANCED MICRO DEVICES INC.: UN METODO PARA FABRICAR UNA CAPA DE OXIDO TUNEL DE GRAN CALIDAD INCLUYE UN PROCESO DE OXIDACION EN DOS ETAPAS. LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION CONSISTE EN […]