CAPA DE SILICIO EPITAXIAL Y METODO PARA DEPOSITARLA.
SE PROPORCIONA UNA CAPA DE SILICONA DE TIPO-N IMPURIFICADA IN-SITU MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO A BAJA TEMPERATURA Y BAJA PRESION,
EMPLEANDO UN GAS CONTENIENDO GERMANIO EN COMBINACION CON EL GAS CONTENIENDO IMPUREZAS DE TIPO-N PARA ASI REALZAR LA INCORPORACION IN-SITU DEL IMPURIFICADOR DE TIPO-N EN LA CAPA DE SILICONA COMO UN IMPURIFICADOR ELECTRONIALMENTE ACTIVO. TAMBIEN SE SUMINISTRA UNA CAPA DE SILICONA INCLUYENDO UNA UNION P-N DONDE LA CAPA CONTIENE UN IMPURIFICADOR TIPO-N Y GERMANIO, Y DISPOSITIVOS TALES COMO TRANSISTORES INCORPORANDO UNA CAPA DE SILICONA IMPURIFICADA-N IN-SITU.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.
Inventor/es: MEYERSON, BERNARD S.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 6 de Marzo de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/205 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
- H01L21/331 H01L 21/00 […] › Transistores.
- H01L29/73 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Transistores bipolares de unión.
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