UNA INSTALACION DE MEMORIA MEJORADA DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
INSTALACION DE MEMORIA O SISTEMA DE ALMACENAMIENTO DE RANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO QUE PUEDE UTILIZARSE EN MEMORIAS FIJAS,
PROGRAMABLES Y BORRABLES ELECTRICAMENTE, O EN MEMORIAS ESTABLES DE ACCESO ALEATORIO. CONSTA DE UN TRANSMISOR DE EFECTO DE CAMPO (10), QUE COMPRENDE UN ELECTRODO DE CONTROL FLOTANTE (22) Y UN PRIMER (26) Y SEGUNDO (30) ELECTRODOS DE CONTROL; DE UN INYECTOR DE CARGA (28) DISPUESTO ENTRE EL PRIMER ELECTRODO DE CONTROL (26) Y DICHO ELECTRODO DE CONTROL FLOTANTE (22); DE UN CONDENSADOR DISPUESTO ENTRE EL SEGUNDO ELECTRODO DE CONTROL (30) Y DICHO ELECTRODO DE CONTROL FLOTANTE (22), Y DE MEDIOS QUE APLICAN IMPULSOS DE CONTROL AL SEGUNDO ELECTRODO DE CONTROL (30) PARA CONTROLAR LA CARGA PRESENTE EN DICHO ELECTRODO DE CONTROL FLORANTE (22).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ARMONK, NUEVA YORK 10504.
Fecha de Solicitud: 26 de Mayo de 1981.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 3 de Febrero de 1982.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
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