Producción del plasma; Manipulación del plasma

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CIP: H05H1/00, Producción del plasma; Manipulación del plasma

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Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Procedimiento y reactor para la obtención de nanopartículas. Se usa el reactor de plasma de la Fig.1, que tiene una cámara de vacío 3, una cámara de plasma 4 provista de un cátodo, un canal de recolección 5 cuyas paredes actúan como ánodo, una entrada de gases 1 a la cámara de vacío 3, y una entrada de gases 2 a la cámara de plasma 4. Se realiza el vacío deseado, se inicia la excitación del plasma y se modula con pulsos rectangulares, se introduce silano diluido en argón, sincronizando el flujo del gas de arrastre con la modulación de plasma de manera que la presión total sea constante, y finalmente se recolectan...

  2. 2.-

    LA ANTORCHA DE VAPOR/PLASMA DE ARCO ELECTRICO TIENE UN ALOJAMIENTO QUE ACOMODA COAXIALMENTE DISPUESTOS EN EL MISMO UN ANODO DE BOQUILLA Y UN CATODO HECHO DE FORMA RAPIDA EN UN DISPOSITIVO DE SUJECION. EL ALOJAMIENTO COMUNICA, POR MEDIO DE UN CONECTOR DE TUBO LLENO CON UN MATERIAL POROSO CONDUCTOR DEL CALOR, CON UN CONTENEDOR. EL CONTENEDOR ESTA LLENO CON UN MATERIAL ABSORBENTE DE LA HUMEDAD QUE CIRCUNDA UN TUBO QUE CORRE A TRAVES DEL MISMO Y ESTA HECHO DE UN MATERIAL CONDUCTOR DEL CALOR. EL TUBO TIENE UNA PESTAÑA EN SU EXTREMO QUE MIRA HACIA EL ANODO DE LA BOQUILLA. LA PESTAÑA ESTA PROVISTA DE CONDUCTOS SOBRE SU SUPERFICIE DEL EXTREMO QUE MIRA HACIA EL ANODO DE LA BOQUILLA. EL DISPOSITIVO DE SUJECION DEL CATODO SE ACOMODA EN EL TUBO Y ESTA ELECTRICAMENTE AISLADO DEL MISMO. UN MANGUITO HECHO DE MATERIAL CONDUCTOR DEL CALOR SE INTERPONE ENTRE EL ANODO...

  3. 3.-

    METODO Y APARATO PARA DETERMINAR PARAMETROS ABSOLUTOS DE PLASMA

    . Solicitante/s: ADOLF-SLABY-INSTITUT , FORSCHUNGSGESELLSCHAFT FUR PLASMATECHNOLOGIE, UND MIKROSTRUKTURIERUNG MBH. Inventor/es:

    LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO Y APARATO PARA DETERMINAR PARAMETROS ABSOLUTOS DE PLASMA EN PLASMAS DE BAJA PRESION DE RADIOFRECUENCIA (RF) NO SIMETRICA. DE ACUERDO CON EL METODO DE LA PRESENTE INVENCION, LA CORRIENTE DE DESCARGA DE RADIOFRECUENCIA GENERADA EN UN REACTOR DE PLASMA SE MIDE EN FORMA DE SEÑALES ANALOGICAS EN UNA PORCION DEL REACTOR QUE ACTUA COMO ELECTRODO DE TIERRA, LAS SEÑALES ANALOGICAS SE CONVIERTEN EN SEÑALES DIGITALES Y LOS PARAMETROS DE PLASMA DESEADOS SE EVALUAN DESDE LAS SEÑALES DIGITALES POR MEDIO DE UN ALGORITMO MATEMATICO. EL APARATO DE ACUERDO CON LA PRESENTE INVENCION COMPRENDE UN ELECTRODO DE MEDIDA QUE ESTA COLOCADO DE FORMA AISLADA EN UN REBORDE O RECESO DE LA PARED DEL REACTOR QUE ACTUA AL MENOS COMO UNA PARTE DEL ELECTRODO DE TIERRA. LA INVENCION PUEDE UTILIZARSE CON RESPECTO A UN ATAQUE QUIMICO DE PLASMA EN EL CAMPO TECNICO DE LA TECNOLOGIA SEMICONDUCTORA.

  4. 4.-

    COPIADORA DE CORTE POR PLASMA PERFECCIONADA.

    . Solicitante/s: TEJIDOS METALICOS E INSTALACIONES, S.A. Inventor/es:

    COPIADORA DE CORTE POR PLASMA PERFECCIONADA, QUE SIENDO DEL TIPO DE LAS QUE INCORPORAN UN CUERPO BASE EN EL QUE SE DEFINE UNA PLATAFORMA SUPERIOR ADECUADAMENTE SOBREELEVADA PARA DEFINIR UN OPTIMO NIVEL DE TRABAJO PARA EL EQUIPO DE CORTE, EL CUAL ES CAPAZ DE DESPLAZARSE LIBREMENTE DENTRO DE UN IMAGINARIO PLANO VERTICAL, ACCIONADO MANUALMENTE Y CON EL CONCURSO DE UNA PLANTILLA, ESENCIALMENTE SE CARACTERIZA PORQUE EL SOPORTE PARA EL CITADO EQUIPO DE CORTE ESTA DOTADO DE MEDIOS DE FIJACION, CON CARACTER AMOVIBLE, PARA CUALQUIER EQUIPO DE CORTE CONVENCIONAL SUSCEPTIBLE DE TRABAJAR CONJUNTA E INDEPENDIENTEMENTE CON LA COPIADORA, HABIENDOSE PREVISTO QUE A TAL EFECTO DICHO SOPORTE INCORPORE UN ALOJAMIENTO DE IMPLANTACION PARA EL EQUIPO DE CORTE Y DE FIJACION CON LA COLABORACION DE UN PRISIONERO U OTRO ELEMENTO DE APRIETE SIMILAR.

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTO E INSTALACION PARA TRATAR LA SUPERFICIE DE OBJETOS.

    . Solicitante/s: J. REYDEL S.A. Inventor/es:

    EL PROCEDIMIENTO PERMITE TRATAR LA SUPERFICIE DE OBJETOS DE MATERIA PLASTICA A FIN DE DEVOLVERLE ADHERENCIA FRENTE A UN REVESTIMIENTO DE POLIMERO. SE COLOCAN DICHOS OBJETOS EN UNA CAMARA EN LA QUE SE FORMA UN PLASMA DE NITROGENO POR DESCARGA DE MICROONDAS, QUE CONTIENE ESENCIALMENTE ATOMOS DE NITROGENO Y MOLECULAS DE NITROGENO ESCITADOS Y SENSIBLEMENTE DESPROVISTO DE IONES Y ELECTRONES LIBRES. APLICACION A LOS TRATAMIENTOS DE SUPERFICIE POR PLASMA.

  6. 9.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE PROTECCION PARA INSTALACIONES DE GENERACION DE UN CHORRO DE GAS

    . Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS A. G..

    Resumen no disponible.

  7. 10.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LA CONSTRUCCION DE SOPLETES DE PLASMA

    . Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS A. G..

    Resumen no disponible.