Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento...

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CIP: H01L43/00, Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común 27/00; dispositivos con barrera de potencial o barrera de superficie controlados por variación de un campo magnético 29/82) [2]

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Inventos patentados en esta categoría

1.-

Dispositivo opto-espintrónico y método para su fabricación. El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas; - una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO);y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente...

2.- DISPOSITIVO OPTO-ESPINTRÓNICO Y MÉTODO PARA SU FABRICACIÓN

. Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT DE VALENCIA. Inventor/es:

El dispositivo comprende: - un sustrato transparente (S); - un primer (E1) y un segundo (E2) electrodos con propiedades ferromagnéticas; - una capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO), dispuesta entre los electrodos (E1, E2); - una primera capa de barrera (B1), dispuesta entre dicho primer electrodo (E1) y una cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); y - una segunda capa de barrera (B2), dispuesta entre dicho segundo electrodo (E2) y otra cara de dicha capa de material semiconductor orgánico electroluminiscente (SO); estando dichas capas de barrera (B1, B2) compuestas, dimensionadas, dispuestas y configuradas para - favorecer la inyección de carga polarizada en espín tanto de electrones, como de huecos; y - favorecer la inyección de carga tanto de electrones como de huecos, y con ello la recombinación de pares electrón-hueco y la consiguiente generación de luz. El método está adaptado para fabricar el dispositivo de la invención.

3.- TRANSISTOR DE ESPIN.

. Ver ilustración. Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es:

EL TRANSISTOR DE ESPIN ES UN TRANSISTOR HIBRIDO DE SEMICONDUCTORES/MAGNETICO , EN EL QUE SE DISPONE UNA BARRERA MAGNETICAMENTE CONTROLABLE. ENTRE UNA BASE DE SEMICONDUCTORES Y EL COLECTOR PARA CONTROLAR LA DIFUSION DE LOS VEHICULOS DE CARGA AL COLECTOR . CON EL TRANSISTOR DE ESPIN, LAS POBLACIONES DE PORTADORES DE CARGA SE DISTINGUEN POR LA DIRECCION DEL ESPIN O MOMENTO MAGNETICO DE LOS PORTADORES, EN LUGAR DE LA CARGA ELECTRONICA. SE UTILIZA UN INYECTOR DE ESPIN PARA POLARIZAR EN ESPIN LA POBLACION DE PORTADORES DE CARGA, DE MANERA QUE LA POBLACION TENGA UN MOMENTO MAGNETICO SELECCIONADO EN EL QUE LA POBLACION PUEDA TENER O NO LA CAPACIDAD DEFINIDA HASTA EL COLECTOR A TRAVES DE LA BARRERA MAGNETICA. EL TRANSISTOR DE ESPIN UTILIZAR LAS CARACTERISTICAS ELECTRONICAS DE UN TRANSISTOR CLASICO DE SEMICONDUCTORES, JUNTO CON UN FLUJO DE PORTADORES CONTROLADO POR EL MOMENTO MAGNETICO, A FIN DE AUMENTAR EN LO POSIBLE LA GANANCIA.