.Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado [3]

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CIP: C30B15/14, .Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos [3]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Procedimiento para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor con las propiedades delmaterial de un monocristal extaído por zonas, en el que el monocristal es generado en un cristal de vacunación apartir de la colada, que se encuentra como mar de colada sobre un montón que está constituido por materialsemiconductor granulado, que es extraído hacia arriba a través de un inductor plano (llamado inductor de Pancace),atravesado por una corriente HF, que presenta un arrollamiento y una ranura como alimentación de corriente, através del orificio central...

  2. 2.-

    Dispositivo para cultivar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras que presenta al menos un crisol que contiene una masa fundida , dispuesto en una cámara de cultivo , un dispositivo de calentamiento que rodea al crisol , que está realizado como disposición de múltiples bobinas de bobinas (1a, 1b, 1c) dispuestas una sobre otra, presentando las bobinas (1a, 1b, 1c) espiras de bobina continuas o escalonadas y estando colocadas en las bobinas (1a, 1 b, 1c) barras de alimentación de corriente (2a, 2b, 2c, 2m) que están conectadas eléctricamente con...

  3. 3.-

    Procedimiento para la fabricación de un tubo cristalino a partir de un material como silicio a través de estiramiento del tubo desde una colada , que es generada por medio de la fundición del material alimentado a un crisol de fundición por medio de una calefacción , en el que la colada a traviesa un intersticio capilar que predetermina la geometría del tubo y se proyecta más allá de este intersticio con un menisco de una altura h, que pasa a un germen de cristal que corresponde a la geometría del tubo o bien a una zona marginal inferior de una sección estirada del tubo a fabricar, caracterizado porque la temperatura se ajusta por medio de regulación en zonas...

  4. 4.-

    INSTALACION DE CRECIMIENTO DE CRISTALES

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH. Inventor/es:

    Instalación de crecimiento de cristales, en particular instalación de crecimiento de cristales semiconductores, con un crisol que puede ser calentado para una masa fundida y una disposición de bobinas colocada coaxial con el crisol para generar un campo magnético en la masa fundida , comprendiendo la disposición de bobinas tres o más bobinas, que están colocadas unas sobre otras en dirección axial y que en cada caso están atacadas con una tensión alterna, estando la tensión alterna aplicada a una bobina desplazada en fase con respecto a la tensión alterna aplicada a la bobina adyacente, caracterizada porque las bobinas están formadas por un cuerpo cilíndrico hueco de un material eléctricamente conductor, formando éste mediante una ranura múltiples veces circular un camino de corriente circular de una sola capa en forma de espiral, el cual mediante puntos de contacto que pueden conectarse al suministro de tensión está subdividido en secciones, que en cada caso forman una bobina.