MATRIZ TRANSDUCTORA DE ELECTRETOS Y TECNICA PARA SU FABRICACION.

SE PRESENTA UNA MATRIZ TRANSDUCTORA DE ELECTRETOS Y LA TECNICA PARA SU FABRICACION. LA MATRIZ COMPRENDE UNA LAMINA QUE TIENE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE Y UNA CAPA DE METAL EN CONTACTO CON LA MISMA. LA CAPA DE METAL COMPRENDE UNA O MAS AREAS DISCRETAS DE METAL QUE DEFINEN LAS AREAS ACTIVAS DE UNO O MAS TRANSDUCTORES EN LA MATRIZ. UNAS CONEXIONES ELECTRICAS SE ACOPLAN EN LAS AREAS DISCRETAS DE METAL. POR MEDIO DE ESTAS CONEXIONES

, SE PUEDE ACCEDER A LAS SEÑALES ELECTRICAS PRODUCIDAS POR CADA TRANSDUCTOR EN RESPUESTA A LAS SEÑALES ACUSTICAS INCIDENTES. LAS AREAS DE METAL PUEDEN ESTAR FORMADAS SEPARANDO SELECTIVAMENTE EL METAL DE LA LAMINA, O MEDIANTE DEPOSITACION SELECTIVA DE METAL. LA CAPA DE MATERIAL AISLANTE SE CARGA ELECTROSTATICAMENTE. LA MATRIZ TRANSDUCTORA DE ELECTRETOS COMPRENDE ADEMAS UNA CAPA POROSA DE RESPALDO DE METAL SINTERIZADO. LA PLACA DE RESPALDO COMPRENDE ADEMAS UNA SUPERFICIE RUGOSA EN CONTACTO CON LA CAPA DE MATERIAL AISLANTE. LA PLACA DE RESPALDO SIRVE COMO ELECTRODO COMUN PARA LOS TRANSDUCTORES DE LA MATRIZ. SE SUMINISTRA UNA SEGUNDA PLACA DE RESPALDO SITUADA DE FORMA ADYACENTE A LA CAPA DE METAL DE LA LAMINA FORMANDO UN HUECO DE AIRE CON LA MISMA. LA SEGUNDA CAPA DE RESPALDO SUMINISTRA, ENTRE OTRAS COSAS, UNA PROTECCION DE LOS CAMPOS DE DISPERSION ELECTROMAGNETICA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 2 de Abril de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS > ALTAVOCES, MICROFONOS, CABEZAS DE LECTURA PARA GRAMOFONOS... > Detalles de los transductores (membranas H04R 7/00;... > H04R1/40 (por combinación de varios transductores idénticos)
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