DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO.

UN DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO (400) SE CARACTERIZA POR TENER FOTODIODOS

(401, 402) CON SUS RESPECTIVAS PAREDES CUANTICAS (403, 404) EN REGIONES INTRINSECAS. LOS FOTODIODOS SE CONECTAN EN SERIE CON UN INTERRUPTOR DIPOLAR (406) Y UNA FUENTE DE POTENCIA ELECTRICA (405) PARA EMITIR UNOS HACES OPTICOS DE SALIDA QUE TIENEN VARIAS COMBINACIONES DE NIVELES DE ENERGIA QUE DEPENDEN DEL ESTADO DEL INTERRUPTOR BIPOLAR Y DE LA RELACION DE DOS HACES DE CONTROL OPTICO INCIDENTES EN LOS FOTODIODOS. EN UN ESTADO DEL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO CON EL INTERRUPTOR BIPOLAR EN ESTADO DE CONDUCCION, LOS DOS HACES DE SALIDA TIENEN NIVELES ALTO Y BAJO COMPLEMENTARIOS, QUE REPRESENTAN POR EJEMPLO LOS NIVELES LOGICOS ALTO Y BAJO "1" Y "0". EN UN SEGUNDO ESTADO, LOS NIVELES DE ENERGIA DE LOS HACES DE SALIDA SON RESERVADOS, ASI MANIFIESTAN NIVELES DE SALIDA DE ENERGIA COMPLEMENTARIOS Y SIMETRICOS. EN EL TERCER ESTADO, CUANDO EL INTERRUPTOR BIPOLAR DEL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO ESTA EN ESTADO DE NO CONDUCCION, AMBOS HACES DE SALIDA MANIFIESTAN UN NIVEL DE ENERGIA BAJO Y EL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO ES INSENSIBLE A LOS NIVELES DE ENERGIA DE LOS HACES DE CONTROL OPTICO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 550 MADISON AVENUE, NEW YORK, NY 10022.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 26 de Mayo de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > OPTICA > DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO... > G02F3/00 (Elementos ópticos lógicos; Dispositivos biestables ópticos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes... > H01L27/14 (con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/10 (caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores)
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