9 inventos, patentes y modelos de SCHILLING, MICHAEL
Procedimiento para la ionización por electrospray con barrera dieléctrica de muestras líquidas y para el análisis subsiguiente por espectrometría de masas de los iones de muestra producidos.
(22/04/2020) Procedimiento para la ionización por electrospray con barrera dieléctrica de muestras líquidas y para el análisis subsiguiente por espectrometría de masas de los iones de muestra producidos, en el que la muestra líquida respectiva se conduce en un canal capilar de alimentación, cuya pared circundante, compuesta de un material dieléctrico, presenta en el lado exterior un electrodo a cierta distancia del extremo libre, en donde, a cierta distancia del extremo libre del canal de alimentación, formando un espacio libre de formación de iones, está dispuesta una entrada de un espectrómetro de masas que forma un contraelectrodo y a través de la cual los iones formados entran en…
Microorganismo para expresar una proteína de membrana humana.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Física
(08/06/2016). Solicitante/s: ORGANOBALANCE GMBH. Clasificación: C07K14/705, G01N33/68, C12P21/02, C12N15/81, C12P33/00.
Organismo no mamífero vivo, modificado por ingeniería genética, aislado, con una actividad HMG-CoA-reductasa elevada con respecto al tipo natural, y con una actividad C24-metiltransferasa y/o delta22-desaturasa reducida con respecto al tipo natural,
caracterizado por que
el organismo presenta una actividad deshidrocolesterol-delta7-reductasa elevada con respecto al tipo natural y por que el organismo está transformado adicionalmente con un gen que codifica una proteína de membrana de un mamífero, bajo el control de un promotor.
PDF original: ES-2586205_T3.pdf
Uso y métodos para prevenir y/o tratar el mal olor bucal.
(13/04/2016) Forma inactiva de un microorganismo perteneciente al género Lactobacillus, seleccionándose el microorganismo del grupo que consiste en microorganismos que tienen el número de registro de DSMZ DSM 19825, DSM 19826 o DSM 19827, caracterizada porque la forma inactivada significa una célula muerta o inactivada que ya no puede formar una colonia individual sobre una placa específica para microorganismos pertenecientes al género de Lactobacillus en la que dicha célula muerta o inactivada tiene una membrana celular o bien intacta o bien rota y el microorganismo muestra la siguiente propiedad (b) cuando se somete al siguiente ensayo (a):
Ensayo (a):
(a) se cultiva el microorganismo durante…
INTERCAMBIADOR DE CALOR DE TUBO DE LAMINAS EN CONSTRUCCION EN BLOQUES PARA TRANSMITIR CALOR ENTRE MEDIOS EN FORMA DE GAS, VAPOR O LIQUIDOS CON SUPERFICIES SEPARADORAS HORIZONTALES.
Sección de la CIP Mecánica, iluminación, calefacción, armamento y voladura
(01/12/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: HEINZ SCHILLING KG. Clasificación: F28F1/32, F28F9/26, F28D7/08.
LA INVENCION SE REFIERE A UN INTERCAMBIADOR DE CALOR DE TUBO DE LAMINAS EN BLOQUE PARA LA TRANSMISION TERMICA ENTRE MEDIOS GASEOSOS, VAPOROSOS O LIQUIDOS, ESTANDO COMPUESTO EL BLOQUE DE VARIOS MODULOS DE FABRICACION Y DISPONIENDOSE ENTRE DICHOS MODULOS, ASI COMO EN EL INTERIOR DE CADA MODULO DE FABRICACION, UNOS TABIQUES HORIZONTALES QUE FORMAN CANALES DE CIRCULACION LIMPIABLES. LOS MODULOS DE FABRICACION PRESENTAN UNA O VARIAS VIAS DE AGUA Y PUEDEN ENTUBARSE ENTRE LOS TABIQUES, PERO TAMBIEN MAS ALLA DE ELLOS, EN UNA O VARIAS CAPAS DE TUBOS. LA ALTURA ENTRE LOS TABIQUES SE AJUSTA DE MODO INVERSAMENTE PROPORCIONAL A LA LONGITUD DE LA LAMINA.
PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN INTERRUPTOR ESPACIAL OPTICO EN CASCADA, E INTERRUPTOR OPTICO ESPACIAL EN CASCADA ELABORADO SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO.
Secciones de la CIP Electricidad Física
(16/04/1999). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Clasificación: H01S3/025, H01L33/00, H01L27/15, G02F1/313, H01S3/19.
SE PONE A DISPOSICION UN PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN INTERRUPTOR ESPACIAL OPTICO EN CASCADA, ASI COMO UN INTERRUPTOR DE ESTE TIPO ELABORADO SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO. EL INTERRUPTOR COMPUESTO A PARTIR DE MULTIPLES RAMIFICACIONES OPTICAS SE GENERA SOBRE UN SUBSTRATO UNICO. A PARTIR DE AQUI ES ACTIVO PARA SU CRECIMIENTO, ES DECIR SE UTILIZA UN PROCEDIMIENTO DE AMPLIFICACION DE LUZ CONTROLABLE O ZONA CONDUCTORA DE ONDAS ABSORBENTES DE LUZ, QUE PUEDEN GENERAR ESPESORES DE CAPA DIFERENTES, LIMITABLES DE FORMA LOCAL Y/O PREPARACIONES MATERIALES DE CAPAS ACTIVAS DE CRECIMIENTO EN EL MISMO CAMINO DE TRABAJO. LA CANTIDAD Y POSICION Y POSICION DE ZONAS CONDUCTORAS DE ONDA ACTIVA Y PASIVAS PUEDEN SER FIJADAS CON ELLO A TRAVES DE LA CONFIGURACION DE POR EJEMPLO ZONAS (M) ENMASCARADAS CON SIO2 ANTES DE AJUSTAR EL RECUBRIMIENTO PROPIO.
LASER SEMICONDUCTOR CONTROLADO OPTICAMENTE.
Secciones de la CIP Electricidad Física
(01/03/1997). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Clasificación: H04J14/02, H01L27/15, H01S3/10, G02F3/00, H01S3/085, H01S3/25.
ES CONOCIDO EL LASER SEMICONDUCTOR INTEGRADO MONOLITICAMENTE EN UN SUSTRATO , CUYA CAVIDAD TIENE UNA ESTRUCTURA RAMIFICADA. DE ACUERDO CON LA INVENCION TAL LASER ES UNA PARTE DE UN DISPOSITIVO OPTICO Y SE CONTROLA OPTICAMENTE POR UNA FUENTE DE LUZ , QUE TIENE UNA POTENCIA OPTICA VARIABLE (PE), POR EJEMPLO, UN SEGUNDO LASER SEMICONDUCTOR . CUANDO ESTE LASER FUNCIONA POR SU CORRIENTE DE SERVICIO (O POR VARIAS CORRIENTES DE SERVICIO), DE TAL MODO QUE ES LASER ACTIVO Y EMITE LUZ COHERENTE, SU LONGITUD DE ONDA EMITIDA ( 1 O 2) PUEDE SER CONMUTADA POR LA LUZ DE LA FUENTE DE LUZ, EN DEPENDENCIA DE SU POTENCIA OPTICA (PE). CUANDO EL LASER FUNCIONA CON UNA O VARIAS CORRIENTES DE SERVICIO DE TAL MODO QUE TODAVIA NO SE ENCUENTRA EN SU ESTADO DE LASER ACTIVO, ENTONCES ES CONMUTABLE POR LA LUZ DE LA FUENTE DE LUZ AL ESTADO DE LASER ACTIVO, EN EL CUAL EMITE LUZ COHERENTE. EN LOS DOS CASOS RESULTAN MUCHAS APLICACIONES.
METODO PARA LA OPERACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMO FILTRO OPTICO Y DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA LA REALIZACION DEL METODO.
Secciones de la CIP Electricidad Física
(16/07/1996). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Clasificación: H04J14/02, H01S3/025, G02F1/225, H01S3/25.
LOS FILTROS OPTICOS SE UTILIZAN POR EJEMPLO, PARA LA SEPARACION DE SEÑALES LUMINOSAS DE LONGITUDES DE ONDA MULTIPLEX UNAS DE OTRAS SEGUN LA LONGITUD DE ONDA. EL ELEMENTO COMPONENTE SEMICONDUCTOR SEGUN LA INVENCION SE COMPONE DE UNA CAPA CONDUCTORA DE ONDA, QUE ESTA DIVIDIDA EN MULTIPLES ZONAS Y EN UNA ZONA DE BIFURCACION. BASADA EN LA BIFURCACION LA CAPA CONDUCTORA DE ONDAS TIENE EL EFECTO DE DOS RESONADORES SUPERPUESTOS FABRY-PEROT.
PROCESO PARA LA APUESTA EN SERVICIO DE UN LASER SEMICONDUCTOR COMO LASER SEMICONDUCTOR SINCRONIZADOR DE MODEM Y EQUIPO PARA LA REALIZACION DEL PROCESO.
Sección de la CIP Electricidad
(16/01/1996). Solicitante/s: WUNSTEL, KLAUS, DR. Clasificación: H01S3/085, H01S3/103.
ES CONOCIDO UN LASER SEMICONDUCTOR INTEGRADO MONOLITICAMENTE SOBRE UN SUBSTRATO , CUYA CAVIDAD POSEE UNA ESTRUCTURA BIFURCADA QUE SE RELACIONA EN FORMA SENCILLA EN EL SENTIDO DE LA TOPOLOGIA. EL LASER SEMICONDUCTOR ESTA DOTADO DE MULTIPLES ZONAS QUE ENCIERRAN LA CAVIDAD . DE ACUERDO CON LA INVENCION EL LASER SEMICONDUCTOR ESTA PUESTO EN SERVICIO COMO LASER SINCRONIZADO CON MODEN, DONDE CIRCULA UNA CORRIENTE ALTERNA ADICIONAL A UNA CORRIENTE CONTINUA POR MEDIO DE UNA ZONA, CUYA FRECUENCIA CORRESPONDE AL VALOR INVERSO DEL PERIODO DE ROTACION O A UN MULTIPLO ENTERO DE ESTE VALOR INVERSO DE LOS IMPULSOS DE LUZ GENERADOS A TRAVES DE LA CORRIENTE ALTERNA EN EL SEMICONDUCTOR LASER.
PROCEDIMIENTO PARA LA UTILIZACION DE UN LASER DE SEMICONDUCTORES COMO COMPONENTE OPTOELECTRONICO BIESTABLE.
Secciones de la CIP Electricidad Física
(16/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Clasificación: H04B10/04, G02F3/02, H04J14/00, H01S3/085, H01S3/106.
A CAUSA DE LA INVENCION, SE OBTIENE UN PROCEDIMIENTO PARA LA UTILIZACION DE UN LASER DE SEMICONDUCTORES, QUE TIENE UNA CAVIDAD QUE SE EXTIENDE POR ENCIMA DE UN PLANO COPLANAR RESPECTO A LA SUPERFICIE BASICA DE UN SUBSTRATO , CON UNA ESTRUCTURA INTERRELACIONADA SENCILLA Y VARIAS ZONAS Y QUE SE UTILIZA COMO COMPONENTE OPTOELECTRONICO BIESTABLE DE LONGITUD DE ONDA, QUE EMITE LUZ EN FUNCION DE LA VARIACION DE LA DENSIDAD DE SOPORTE DE CARGA, EN AL MENOS UNA DE LAS ZONAS CON UNA LONGITUD DE ONDA (LAMBDA 1) O UNA SEGUNDA LONGITUD DE ONDA (LAMBDA 2).
