Paneles de baja emisividad con una capa dieléctrica de óxido metálico ternario y método para formar los mismos.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(04/12/2019). Solicitante/s: Guardian Glass, LLC. Clasificación: C03C17/36, C23C14/34, C23C14/08, C23C14/28, C23C14/18.
Un método para formar un panel de baja emisividad que comprende:
proporcionar un sustrato transparente;
formar una capa de oxinitruro metálico sobre el sustrato transparente, en donde la capa de oxinitruro metálico comprende un primer elemento, un segundo elemento y un tercer elemento, en donde el primer elemento es distinto del segundo elemento y del tercer elemento, y en donde el segundo elemento es distinto del tercer elemento, y en donde el primer elemento comprende estaño o zinc, y el segundo elemento y el tercer elemento comprenden cada uno, uno de estaño, zinc, antimonio, silicio, estroncio, titanio, niobio, circonio, magnesio, aluminio, itrio, lantano, hafnio o bismuto; y
formar una capa reflectante sobre el sustrato transparente.
PDF original: ES-2774261_T3.pdf
Recubrimiento antirreflectante templable de tres capas, incluyendo el artículo recubierto un recubrimiento antirreflectante templable de tres capas, y/o método para fabricar el mismo.
(28/08/2019) Un artículo recubierto que comprende:
un recubrimiento antirreflectante soportado por una superficie principal de un sustrato de vidrio, tratando el sustrato de vidrio térmicamente junto con el recubrimiento antirreflectante,
en donde el recubrimiento antirreflectante comprende, partiendo desde el sustrato de vidrio:
una capa de índice medio que comprende oxinitruro de silicio y que tiene un índice de refracción de desde aproximadamente 1,65 hasta 2,0 a 380 nm, 550 nm y 780 nm de longitudes de onda,
una capa de índice alto, que contacta con la capa de índice medio y que tiene un grosor de desde 5 hasta 50 nm y que tiene un índice de refracción de al menos aproximadamente 2,0 a 380 nm, 550 nm y 780 nm de longitudes de onda,…
Técnicas de deposición de revestimientos de óxido conductor transparente utilizando aparatos de pulverización catódica C-MAG doble.
(08/11/2017) Un método de fabricación de un artículo recubierto, comprendiendo el método:
proporcionar un artículo a recubrir;
proporcionar un aparato de pulverización catódica que comprende:
una cámara de vacío,
un primer y un segundo tubos cilíndricos rotatorios situados en estrecha proximidad entre sí en otra cámara de vacío, soportando el primer y el segundo tubos respectivamente un primer y un segundo objetivos de pulverización catódica que incluyen un material objetivo,
al menos una fuente de alimentación eléctrica conectada de forma operativa al primer y al segundo tubos de pulverización catódica, y
una entrada de gas del tragante situada próxima al primer y al segundo…
Objetivo de pulverización con capa adherente de diferente grosor bajo el material objetivo.
(14/05/2014) Un objetivo de pulverización que comprende:
un tubo catódico giratorio que alberga al menos un imán en su interior;
una capa de material objetivo proporcionada sobre la superficie exterior del tubo catódico ;
una capa adherente proporcionada sobre la superficie exterior del tubo catódico para situarse entre el tubo catódico y la capa de material objetivo ; donde
un grosor de la capa adherente es mayor cuanto más próximo al menos a una parte de extremo del tubo catódico que en la parte central del tubo catódico .
DIANA DE PULVERIZACIÓN CATÓDICA CON CAPA DE PULVERIZACIÓN CATÓDICA LENTA BAJO EL MATERIAL DIANA.
(14/12/2011) Una diana de pulverización catódica que comprende: un tubo catódico giratorio que aloja por lo menos un imán en el mismo; una capa de material diana que comprende uno o más de entre Sn y Zn dispuestos sobre la superficie exterior del tubo catódico; una capa de pulverización catódica lenta que se encuentra entre el tubo catódico y la capa de material diana a lo largo de una porción de la longitud del tubo catódico para reducir el riesgo de perforar por quemadura el tubo ; en la que la capa de pulverización catódica lenta tiene una tasa de pulverización catódica inferior a la de la capa de material diana para iones de Ar; caracterizada porque la capa de pulverización catódica lenta comprende uno o más de entre Ti,…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE UN RECUBRIMIENTO DE BAJA E UTILIZANDO UNA DIANA DE CERÁMICA QUE INCLUYE CINC, Y DIANA UTILIZADA EN EL MISMO.
(08/08/2011) Un procedimiento de fabricación de un artículo recubierto que incluye un recubrimiento de baja E soportado por un sustrato de vidrio, comprendiendo el procedimiento: depositar una capa que refleja los infrarrojos (IR) sobre el sustrato; pulverizar catódicamente una diana de cerámica que comprende óxido de cinc para formar una primera capa que comprende óxido de cinc sobre el sustrato, donde la capa que comprende óxido de cinc está directamente en contacto con la capa que refleja los IR y se sitúa por encima o por debajo de la capa que refleja los IR en el recubrimiento de baja E; y en el que el óxido de cinc de la diana de cerámica es subestequiométrico