13 inventos, patentes y modelos de GODIGNON, PHILIPPE
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
Sección de la CIP Electricidad
(04/06/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: H01L21/205, H01L29/94, H01L29/16.
Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más compleja.
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
Sección de la CIP Electricidad
(29/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Clasificación: H01L21/205, H01L29/94, H01L29/16.
Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo.
La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.
PDF original: ES-2763702_B2.pdf
PDF original: ES-2763702_A1.pdf
Conjunto de máscaras metálicas auto alineadas para depositar, de modo selectivo, capas finas sobre dispositivos y substratos microelectrónicos y método de empleo.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad
(06/11/2019). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: C23C14/04, H01L23/00.
La presente invención se refiere a un conjunto de máscaras metálicas auto alineadas para depositar, de modo selectivo, capas finassobre dispositivos y substratos microelectrónicos que comprendelas partes siguientes: a) una máscara superior metálica con los orificios o zonas que definen los motivos que se han de metalizar,provista de los agujeros de centrado, b) una máscara inferior metálica con los orificios de las mismas dimensiones y forma que los sustratos o dispositivos a metalizar y otros auxiliares de centrado del conjunto, c) una pieza o base provista de unos vástagoscoincidentes con los agujeros auxiliares, que permite el centradode las partes anteriores,una pieza o marco superior que permitefijar y mantener alineado el conjunto completo mediante tornillosy ligera presión; este conjunto puede a su vez fijarse al portamuestras de la máquina de deposición.
PDF original: ES-2769265_T3.pdf
PROCEDIMIENTO DE EXFOLIACIÓN Y TRANSFERENCIA DE GRAFENO DE UN SUSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DOPADO A OTRO SUSTRATO.
Secciones de la CIP Electricidad Técnicas industriales diversas y transportes
(30/07/2018). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: H01B1/04, B82Y30/00, B82Y40/00.
Procedimiento de exfoliación y transferencia de grafeno de un sustrato de carburo de silicio dopado a otro sustrato
La presente invención se refiere a un procedimiento de exfoliación y transferencia de grafeno de un sustrato de carburo de silicio dopado a otro sustrato, donde dicho procedimiento se basa en su exfoliación inducida por el burbujeo de hidrógeno que se produce en la electrolisis del agua.
PDF original: ES-2677157_A1.pdf
PROCEDIMIENTO DE EXFOLIACIÓN Y TRANSFERENCIA DE GRAFENO DE UN SUSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DOPADO A OTRO SUSTRATO.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia
(05/07/2018). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: B82Y30/00, B82Y40/00, C01B32/19.
La presente invención se refiere a un procedimiento de exfoliación y transferencia de grafeno de un sustrato de carburo de silicio dopado a otro sustrato, donde dicho procedimiento se basa en su exfoliación inducida por el burbujeo de hidrógeno que se produce en la electrolisis del agua.
Procedimiento de obtención de láminas de cobre como sustrato para la producción de grafeno de alta calidad.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(12/12/2016). Solicitante/s: LA FARGA LACAMBRA, S.A.U. Clasificación: C22F1/08, C01B31/04.
La presente invención comprende un procedimiento para producir láminas de cobre con estructura cuasi-monocristalina, y un procedimiento de producción de grafeno de alta calidad utilizando dichas láminas de cobre como sustrato catalizador. También comprende una lámina de cobre para la producción de grafeno, obtenida por el procedimiento descrito en la presente invención, que presenta una estructura cuasi-monocristalina.
PDF original: ES-2593709_A1.pdf
PDF original: ES-2593709_B1.pdf
Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de unión JFET.
(18/05/2016) Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de tipo de puerta en zanja que comprende:
- La formación de al menos una zanja en una capa activa semiconductora de un primer tipo de conductividad de un substrato que comprende dos caras opuestas denominadas cara delantera y cara trasera,
- La implantación primaria de iones que tienen un segundo tipo de conductividad de modo que se implante cada zanja del substrato para formar una región activa de puerta,
- El depósito de una capa de silicio policristalino del segundo tipo de conductividad sobre la región activa de puerta implantada,
- La oxidación parcial de la capa de silicio policristalino para obtener una película (3') aislante eléctricamente de…
MICRO-SONDA NEURONAL Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE LA MISMA.
(21/07/2015) Procedimiento de fabricación de al menos una micro-sonda neuronal flexible, biocompatible e implantable, que comprende las etapas de: proporcionar una capa de un sustrato rígido; proporcionar una capa de un polímero soluble sobre dicha capa de sustrato rígido; proporcionar una capa de un primer polímero; grabar en dicha capa de primer polímero al menos una abertura; proporcionar una capa de un material conductor bidimensional sobre dicha capa de primer polímero; grabar en dicha capa de material conductor bidimensional al menos un microelectrodo provisto de al menos un área de contacto; proporcionar un ensamblaje de acabado sobre dicho ensamblaje de microelectrodo; y disolver dicho polímero soluble en una solución. La micro-sonda resultante queda intercalada entre dos capas de material polimérico, una de las cuales…
MICRO-SONDA NEURONAL Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE LA MISMA.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Necesidades corrientes de la vida
(25/06/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: B81C1/00, A61N1/05, B81C3/00, A61B5/0478, B81B7/02.
Procedimiento de fabricación de al menos una micro-sonda neuronal flexible, biocompatible e implantable, que comprender las etapas de: proporcionar una capa de un sustrato rígido ; proporcionar una capa de un polímero soluble sobre dicha capa de sustrato rígido; proporcionar una capa de un primer polímero ; grabar en dicha capa de primer polímero al menos una abertura ; proporcionar una capa de un material conductor bidimensional sobre dicha capa de primer polímero; grabar en dicha capa de material conductor bidimensional al menos un microelectrodo provisto de al menos un área de contacto; proporcionar un ensamblaje de acabado sobre microelectrodo; y disolver dicho polímero soluble en una solución . El microelectrodo resultante queda intercalado entre dos capas de material polimérico , una de las cuales comprende una abertura para acceder a dicha área de contacto.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS RB-IGBT.
(30/01/2013) Método de fabricación de dispositivos RB-IGBT.
Se presenta un método de fabricación de dispositivos IGBT, con capacidad de bloqueo en inversa. Para ello, se ha utilizado la técnica de aislamiento por trinchera donde el proceso de impurificación de la misma se ha realizado utilizando una fuente sólida con obleas de boro, resultando en un abaratamiento tanto en material de partida como en una reducción del tiempo de proceso.
INTERRUPTOR DE POTENCIA BIDIRECCIONAL, INTELIGENTE Y MODULAR. METODO Y REALIZACION.
(04/02/2010) Interruptor de potencia bidireccional, inteligente y modular. Método y realización.
La presente invención constituye un método de fabricación de un interruptor modular e inteligente, bidireccional en corriente y tensión eléctrica con aplicación principal en las fuentes de potencia. Las características más destacables de este nuevo dispositivo es que integra las distintas etapas de potencia, control y protección de los circuitos para garantizar la bidireccionalidad en tensión y en corriente, junto con los circuitos y algoritmos de control necesarios para una conmutación segura y robusta. Su modularidad también permite al usuario una combinación de electos para…
SISTEMA SENSOR EN CARBURO DE SILICIO (SIC) SEMIAISLANTE, PROCEDIMIENTO DE ELABORACION Y SUS APLICACIONES.
Secciones de la CIP Física Necesidades corrientes de la vida
(16/06/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIG. CIENTIFICAS. Clasificación: G01N33/487B, G06F19/00M, G06F19/00A2, G01N33/50, G01N33/48, G01N33/483, A61B5/00.
Sistema sensor en carburo de silicio (SIC) semiaislante, procedimiento de elaboración y sus aplicaciones.#La presente invención se refiere a dispositivos realizados con tecnologías microelectrónicas sobre un sustrato de carburo de Si semi-aislante para la monitorización del comportamiento biológico de órganos, tejidos, células o moléculas orgánicas. Igualmente se refiere a su proceso de fabricación.
COMPONENTE LIMITADOR DE CORRIENTE Y PROCEDIMIENTO DE REALIZACION.
Sección de la CIP Electricidad
(16/02/2000). Solicitante/s: FERRAZ SOCIETE ANONYME CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA - CSIC. Clasificación: H01L29/87.
COMPONENTE LIMITADOR DE CORRIENTE CONSTITUIDO POR UNA BARRE DE SILICIO DOPADO EN CUATRO CAPAS . LAS CARACTERISTICAS DE DOPAJE Y LAS CARACTERISTICAS DIMENSIONALES DE ESTE COMPONENTE ESTAN AJUSTADAS PARA OBTENER UNA CARACTERISTICA I (V) QUE PRESENTA UNA PARTE (C1) EN FORMA DE CARACTERISTICA DE DIODO EN DIRECTO, SEGUIDO POR UNA PARTE (C2) QUE CONSTITUYE UN COJINETE DE LIMITACION DE CORRIENTE.
