8 inventos, patentes y modelos de GOBL,CHRISTIAN

(07/01/2015) Dispositivo para un procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión de componentes de forma de pastillas electrónicas con trazas conductoras de un respectivo sustrato , que consta al menos de un dispositivo de prensado , una cinta transportadora y un dispositivo para cubrir el sustrato con una película protectora , en el que el dispositivo de prensado es adecuado para el funcionamiento temporizado y presenta un macho de prensado y una mesa de prensado calentable , y en el que los componentes de forma de pastillas electrónicas presentan unos componentes semiconductores de potencia, tales como diodos de potencia, tiristores…

(16/05/2012) Una instalación en contacto con presión con una tarjeta de circuito impreso , un módulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeración , en la que la tarjeta de circuito impreso tiene un cuerpo de material aislante y vías de conducción instaladas en el mismo o en su interior, en la que el módulo de semiconductor de potencia tiene un alojamiento de plástico aislante en forma de un bastidor, con una primera superficie de cubierta que tiene orificios , un sustrato que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento con por lo menos una vía de conducción y por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con el circuito en cuestión y también resortes de contacto , los cuales pasan a través de los orificios del alojamiento…

(05/01/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con por lo menos un sustrato , pistas conductoras dispuestas sobre el mismo a la manera de un circuito base, elementos del semiconductor de potencia dispuestos en las pistas conductoras , por lo menos un laminado de hojas que consta de por lo menos dos capas de hojas metálicas con una capa de hoja eléctricamente aislante emparedada entre cada dos capas, en el que el laminado de hojas comprende botones de contacto y taladros pasantes metalizados , por lo menos una de las capas de hoja metálica está estructurada a la manera de un circuito base y este laminado de hojas se conecta permanentemente a los elementos del semiconductor de potencia por medio de soldadura por ultrasonidos, en el que el laminado de hojas consta de una hoja de cobre que forma la primera capa de hoja metálica…

(01/06/2011) Una instalación en contacto de presión con un módulo de semiconductor de potencia con una placa base, o para el montaje directo sobre un cuerpo de refrigeración, que consiste en un alojamiento , por lo menos un sustrato eléctricamente aislante , que por su parte consiste en un cuerpo de material aislante con una multiplicidad de vías de conexión metálicas aisladas entre sí colocadas en su primera superficie principal, componentes del semiconductor de potencia colocados sobre la misma y conectados con estas vías de conexión de una manera apropiada para el circuito, así como terminales de conexión configurados por lo menos parcialmente de una manera elástica para establecer la conexión eléctrica de las vías de conexión con la tarjeta de circuito impreso…

(19/05/2011) Un módulo de semiconductor de potencia con un sustrato , una película compuesta y por lo menos un elemento de semiconductor de potencia entre el sustrato y la película compuesta , el cual tiene una capa de metal del circuito lógico estructurado y una capa de metal del circuito de potencia estructurado que es gruesa en comparación con la primera y entre éstas una película delgada de plástico eléctricamente aislante , en el que la película compuesta está diseñada con salientes de contacto con el propósito de hacer contacto con el por lo menos un elemento de semiconductor y están provistos contactos pasantes entre la capa de metal lógica y la capa de metal de potencia , caracterizado porque…

(16/03/2009) Módulo semiconductor de potencia para su colocación en un componente de refrigeración , con por lo menos un sustrato , por lo menos dos elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b), una carcasa y elementos de conexión de carga y de control que conducen al exterior, presentando el sustrato un cuerpo aislante y presentando, en su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, por lo menos una única pista de conexión de carga con potencial de tensión alterna y por lo menos una pista conductora (56 a/b) con potencial de control, presentando los elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b) una primera superficie principal con una primera superficie de conexión de carga y con una superficie de conexión de control y una segunda superficie principal…

(01/12/2008) Procedimiento para el aislamiento eléctrico interior de un sustrato para un módulo semiconductor de potencia con una envolvente aislante a modo de bastidor con tapa y con un sustrato aislante que comprende, como mínimo, un circuito impreso y, como mínimo, un componente semiconductor de potencia dispuesto sobre el mismo que está conectado de forma adaptada al circuito, preferentemente, mediante conexiones de unión a elementos de conexión , otros circuitos impresos y/o elementos semiconductores de potencia , caracterizado por los siguientes pasos substanciales: - Formación del sustrato con, como mínimo, un elemento semiconductor de potencia y las conexiones adecuadas al circuito; - Recubrimiento del sustrato con una masa aislante dieléctrica y viscosa…