12 patentes, modelos y diseños de UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION
Método y aparato para el montaje de un material de cubierta fotovoltaica.
(22/05/2012) Un método de montaje de material de cubierta fotovoltaica sobre una cubierta , comprendiendo dicho método los siguientes pasos:
Proponer una primera (10A) y una segunda (10B) banda alargada de material fotovoltaico sobre cubierta . Cada banda (10A, 10B) presenta un borde polimérico (26A, 26B) que se extiende desde la misma. Disponer dichas bandas (10A, 10B) sobre la cubierta de forma longitudinalmente alineada entre ellas, de manera que el borde polimérico (26A) de la primera banda (10A) quede posicionada de forma superpuesta con el borde polimérico (26B) de la segunda banda (10B) . La fijación de una abrazadera a la cubierta , teniendo dicha abrazadera una configuración y disposición tales que recubra los bordes poliméricos superpuestos (26A, 26B) de dicha…
METODO PARA DEPOSITAR CAPAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE ALTA CALIDAD.
(01/06/2008) Proceso para la deposición por plasma de una capa de material semiconductor del tipo en el que un gas de proceso que incluye un precursor de dicho material semiconductor es activado con energía electromagnética para así crear un plasma a base del mismo, cuyo plasma deposita una capa de dicho material semiconductor sobre un sustrato; estando dicho proceso caracterizado por un grupo de parámetros de deposición que comprende la composición del gas de proceso, la presión del gas de proceso, la densidad de potencia de dicha energía electromagnética y la temperatura del sustrato; donde se define un umbral entre el estado amorfo y el estado microcristalino para dichos parámetros de deposición de forma tal que hay un conjunto microcristalino de valores para dichos parámetros de deposición en el que cuando dicho…
METODO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS EN SERIE CON RENDIMIENTO MEJORADO Y DISPOSITIVOS FABRICADOS POR ESTE METODO.
Sección de la CIP Electricidad
(01/03/2007). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C.. Clasificación: H01L31/18, H01L31/075.
EL GROSOR DE LAS CAPAS INTRINSECAS (20A,20B,20C) DE LAS CELULAS (18A,18B,18C), QUE COMPRENDEN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO EN SERIE , SON SELECCIONADAS DE MANERA QUE LA CELULA TIENE EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DE MAYOR CALIDAD QUE PRODUCE LA FOTOCORRIENTE MAS PEQUEÑA. ESA CELULA SERA ENTONCES LA CELULA DOMINANTE EN EL DISPOSITIVO EN SERIE, Y SUS PROPIEDADES MATERIALES CONTRIBUIRAN DE MANERA DESPROPORCIONADA A LAS PROPIEDADES TOTALES DEL DISPOSITIVO EN SERIE.
SISTEMA DE TEJADO FOTOVOLTAICO.
Sección de la CIP Electricidad
(16/05/2005). Inventor/es: NATH, PREM, LAARMAN, TIMOTHY, SINGH, AVTAR. Clasificación: H01L31/042, H01L31/05.
UN SISTEMA DE TECHUMBRE FOTOVOLTAICA INCLUYE UNA PLURALIDAD DE PANELES DE TECHUMBRE , CADA UNO DE LOS CUALES DISPONE DE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO ENCIMA, Y CADA UNO INCLUYENDO UN CONECTOR ELECTRICO , EMBRAGABLES CON UN CONECTOR SOBRE OTRO PANEL. LOS PANELES INCLUYEN BRIDAS VERTICALES Y SE PUEDE CONFIGURAR FACILMENTE UNA CONSTRUCCION DE TECHADO DE BATIENTES MEDIANTE LA INTERCONEXION DE PANELES, SUJETANDOLOS AL TECHO Y CUBRIENDO BRIDAS ADYACENTES CON LOS BATIENTES.
PROCEDIMIENTO DE DEPOSICION POR PLASMA CON REGULACION DE TEMPERATURA DEL SUBSTRATO.
Sección de la CIP Electricidad
(01/12/2003). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU. Clasificación: H01L31/20.
EN UN PROCESO DE DEPOSICION POR DESCARGA DE INCANDESCENCIA PARA LA PREPARACION DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DEL GRUPO IV, HIDROGENADAS, EL SUSTRATO SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA QUE SE CORRELACIONA POSITIVAMENTE CON LA VELOCIDAD DE DEPOSICION Y QUE ES SUFICIENTEMENTE ALTA PARA IMPARTIR UNA ENERGIA CINETICA A LA CAPA PARA ACTIVAR LA ELIMINACION DE MORFOLOGIA INDESEABLES., PERO SUFICIENTEMENTE BAJA PARA EVITAR LA DEGRADACION DE LA CAPA CAUSADA POR LA PERDIDA EXCESIVA DE HIDROGENO.
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO CON UNA REJILLA COLECTORA MEJORADA.
Sección de la CIP Electricidad
(16/04/2003). Inventor/es: NATH, PREM, VOGELI, CRAIG. Clasificación: H01L31/0224, H01L31/18, H01L31/04.
UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO MEJORADO EN QUE SE UTILIZA UN ADHESIVO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR PARA FIJAR LA ESTRUCTURA DE REJILLA AL ELECTRODO SUPERIOR DEL MISMO. SI SE SELECCIONA CORRECTAMENTE LA RESISTIVIDAD DEL ADHESIVO CONDUCTOR , SE PUEDE ACOMODAR FACILMENTE UN FLUJO DE CORRIENTE FOTOGENERADO NORMAL, AL TIEMPO QUE SE ELIMINA EL FLUJO DE CORRIENTE DERIVADO A TRAVES DE DEFECTOS PATENTES O LATENTES.
PROCESO DE DEPOSICION ACTIVADA POR MICROONDAS CON REGULACION DE LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(16/09/2002). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG. Clasificación: H01L31/20, C23C16/50, C23C16/54, H01L21/205, H01L21/20.
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.
PROCEDIMIENTO ACTIVADO POR ENERGIA DE MICROONDAS PARA LA PREPARACION DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad Química y metalurgia
(16/01/2002). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG. Clasificación: B05D3/06, H01J37/32, C23C16/50.
MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD SE DEPOSITA EN UN PROCESO DE ELECTRODEPOSICION DE DESCARGA LUMINESCENTE ENERGIZADO POR MICRONDAS, ENERGIZANDO UN GAS EN PROCESO CON ENERGIA POR MICRONDAS MEDIANTE UN GENERADOR DE MICRONDAS A UN NIVEL DE POTENCIA SUFICIENTE PARA GENERAR UN PLASMA A UN GRADO DE SATURACION DE APROXIMADAMENTE EL 100, E IMPIDIENDO EL ACCESO DE LAS ESPECIES DE ELECTRODEPOSICION A UN SUSTRATO PARA REBAJAR EL INDICE DE ELECTRODEPOSICION A UN VALOR MENOR QUE EL QUE SE CONSEGUIRIA, DE OTRA FORMA, OPERANDO A UN GRADO DE SATURACION DEL 100.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON CAPA DE SEPARACION INTRINSECA DEPOSITADA MEDIANTE RF.
Sección de la CIP Electricidad
(01/05/1997). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM. Clasificación: H01L31/075, H01L31/20, H01L21/205.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, DE PELICULA FINA DEL TIPO DE LOS QUE TIENEN UNA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA DISPUESTA ENTRE DOS CAPAS SEMICONDUCTORAS, CON CARGAS OPUESTAS. UNA CAPA SEPARADORA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRINSECO SE DEPOSITA MEDIANTE RF EN LA UNION ENTRE UNA CAPA INTRINSECA DE BASE, DEPOSITADA MEDIANTE MICROONDAS Y UNA CAPA DE MATERIAL DOPADO. LA PILA PRODUCIDA MEDIANTE EL METODO DE LA INVENCION TIENE UNAS CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS PILAS QUE TIENEN CAPAS INTRINSECAS DEPOSITADAS MEDIANTE MICROONDAS SIN NINGUNA CAPA DE BARRERA.
BARRAS DE PLASMA INTERFACIALES PARA APARATO DE DEPOSICION FOTOVOLTAICO.
(01/02/1997) EN UN APARATO CONTINUO PARA LA DEPOSICION POR DESCARGAS LUMINISCENTES DE PILAS SOLARES DE UNA ALEACION DE SILICIO AMORFO CON UNA CONFIGURACION TIPO P-I-N EN UNA PLURALIDAD DE CAMARAS DE DEPOSICION DEDICADAS, INTERCONECTADAS , UNA BARRA DE PLASMA (80A-D) COLOCADA DE MANERA OPERATIVA ENTRE AL MENOS LAS REGIONES DE PLASMA EN QUE SE DEPOSITAN LOS PARES DE CAPAS DEL MATERIAL DE ALEACION DE SILICIO AMORFO QUE DEFINEN LA UNION ENTRE SEMICONDUCTORES PRINCIPAL DE LA PILA SOLAR. LA BARRA DE PLASMA (80A-D) SE ENCUENTRA ADAPTADA PARA INICIAR UN PLASMA PARA ASI PREVENIR QUE LOS CONTAMINANTES QUIMICAMENTE ABSORBIDOS AFECTEN DE MANERA PERJUDICIAL A LA SUPERFICIE…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION A BASE DE MICROONDAS.
Sección de la CIP Electricidad
(01/12/1996). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM. Clasificación: H01L31/18, H01L31/075, H01L21/205.
EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MANUFACTURADOS POR UN PROCESO DE DEPOSICION POR MICROONDAS SE INCREMENTA DISPONIENDO UN CABLE DE DESVIO EN EL PLASMA ENERGIZADO DE MICROONDAS Y APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO DE APROXIMADAMENTE 100 VOLTIOS AL CABLE DURANTE SOLAMENTE UNA PARTE DEL TIEMPO EN EL CUAL ESTA SIENDO DEPOSITADA LA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA (12A, 12B).
METODO PARA ESTRATIFICAR ESTRUCTURAS COMPUESTAS PARA DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad
(16/07/1995). Inventor/es: NATH, PREM, LAARMAN, TIMOTHY, VOGELI, CRAIG. Clasificación: C09J5/06, H01L31/18.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO FOTOVOTAICO ENCAPSULADO PREPARADO DISPONIENDO DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS SOBRE UNA LAMINA DE MATERIAL TERMOPLASTICO , DISPONIENDO UN MATERIAL ENCAPSULANTE FRONTAL ENCIMA DE LOS DISPOSITIVOS Y DISPONIENDO UNA CAPA ENCAPSULANTE INFERIOR DE MODO QUE PROPORCIONE UNA ESTRUCTURA MULTICAPA. ESTA ESTRUCTURA MULTICAPA ES LAMINADA BAJO TENSION DE MODO QUE SE COMPRIMA LAS CAPAS Y EL PRODUCTO RESULTANTE DE LA LAMINACION SE CALIENTA PARA ACTIVAR EL MATERIAL TERMOPLASTICO Y LIGAR LAS CAPAS. CAPAS ADICIONALES SE PUEDEN INTERPONER ANTES DE LA LAMINACION.