CIP-2021 : H01L 21/266 : utilizando máscaras.

CIP-2021HH01H01LH01L 21/00H01L 21/266[7] › utilizando máscaras.

Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/266 · · · · · · · utilizando máscaras.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Aparato y método para el procesamiento de texturizado.

(13/11/2019) Aparato para el procesamiento de texturizado que comprende: - una fuente de gas de entrada ; - una fuente de energía adecuada para excitar el gas de entrada y para generar un plasma en una región de plasma; y - un portamuestras configurado para recibir una muestra sólida , y dispuesto de tal modo que, en uso, esté puesto a tierra; en el que el aparato comprende: - una máscara dispuesta entre la región de plasma y el portamuestras , teniendo la máscara una primera cara orientada hacia la región de plasma y una segunda cara orientada hacia una superficie de la muestra sólida que se va a procesar, comprendiendo, en uso, la máscara al menos una abertura de máscara que se extiende a través de la máscara…

Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.

(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende: dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor , siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga; estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…

Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.

(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes: formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ; formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ; atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ; eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y atacar químicamente tres de dichas cuatro…

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .