CIP-2021 : C23C 16/515 : utilizando descargas impulsadas.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/515 · · · utilizando descargas impulsadas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método de deposición de vapores químicos activado por plasma y aparato para el mismo.
(20/03/2019) Un método de deposición de vapores químicos activada plasmáticamente que comprende las etapas de:
- proporcionar un recipiente de vacío que tiene una presión relativamente baja o vacío, al que se proporciona un gas operativo que comprende una mezcla de un gas de descomposición o precursor, un gas reactivo y/o un gas de sublimación,
- proporcionar una unidad de descomposición plasmática dentro del recipiente de vacío para descomponer el gas operativo que tiene moléculas complejas en radicales cargados o neutros, teniendo la unidad de descomposición plasmática un ánodo y un cátodo , rodeando el ánodo al cátodo, y teniendo el cátodo un campo magnético intensificador y estando eléctricamente aislado del ánodo circundante,
- proporcionar una unidad de procesamiento que incluye una cámara de procesamiento…
METODO Y APARATO PARA EL TRATAMIENTO SECUENCIAL POR PLASMA.
(16/06/2004) Método para el tratamiento por plasma de un sustrato hueco , que comprende las etapas siguientes: a) situar una pluralidad de fuentes de ionización de energía (7 a 10; 107 a 112) todas ellas a lo largo de la parte del sustrato que se va a tratar, b) inyectar un gas de proceso en el interior del sustrato, conteniendo dicho gas un precursor para la creación de plasma, y c) mantener la presión en el interior del tubo dentro de un rango predeterminado, caracterizado porque comprende además la etapa de: d) energizar a partir de una única fuente de energía de frecuencia de radio las fuentes de ionización de energía, en secuencia, para crear…
PROCEDIMIENTO CVD-PLASMA Y DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA SI:H MICROCRISTALINA.
(01/09/2003). Solicitante/s: SCHOTT,GLAS. Inventor/es: BAUER, STEFAN, LOHMEYER, MANFRED, DANIELZIK, BURKHARD, MIHL, WOLFGANG, FREITAG, NINA.
Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de al menos una capa de Si:H delgada amorfa sobre el sustrato, 1.2 tratamiento asistido por plasma de la capa amorfa de Si:H con un plasma de hidrógeno, transformándose la capa amorfa de Si:H en una capa de Si:H microcristalina y 1.3 opcionalmente, repetición de los pasos 1.1 y 1.2, caracterizado porque el revestimiento o el tratamiento se lleva a cabo en un flujo continuo de los gases de revestimiento o de los gases de tratamiento y por medio de radiación electromagnética pulsante, que activa el plasma.