CIP-2021 : G11C 11/04 : que utilizan elementos de almacenamiento de forma cilíndrica,
p. ej. barra, hilo (G11C 11/12, G11C 11/14 tienen prioridad).
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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:
G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
G11C 11/04 · · que utilizan elementos de almacenamiento de forma cilíndrica, p. ej. barra, hilo (G11C 11/12, G11C 11/14 tienen prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO NO VOLATIL.
(16/02/1999). Solicitante/s: ESTANCIA LIMITED PAGEANT TECHNOLOGIES INCORPORATED. Inventor/es: LIENAU, RICHARD M.
SE PRESENTA UNA MEMORIA NO VOLATIL DE ACCESO ALEATORIO QUE TIENE UN SUBSTRATO QUE SOPORTA EXTENSIONES SEPARADAS MAGNETICAMENTE POLARIZABLES CADA UNA DE ELLAS RODEADA POR UN MIEMBRO EN FORMA DE CIRCUITO DE ESCRITURA COMPLETA Y DISPUESTA PARA PENETRAR EN EL CANAL HALL DE UN FET DE DESCARGA DOBLE CON SU CAMPO MAGNETICO RESIDUAL. LAS EXTENSIONES ESTAN ORGANIZADAS EN FILAS DE PALABRAS Y COLUMNAS DE BITS, CADA UNA DE ELLAS ESCRITA MEDIANTE UNA CORRIENTE SIMPLE DE ESCRITURA COMPLETA A TRAVES DEL MIEMBRO DE CIRCUITO CIRCUNDANTE Y CADA UNA DE ELLAS LEIDA POR UN COMPARADOR CONECTADO A LOS DRENAJES DEL FET (42, 52'). LA MEMORIA PUEDE FABRICARSE EN UNA VARIEDAD DE FORMAS (POR EJEMPLO UNA TARJETA PLANA).
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA CAPTURA DE DATOS CON FASE DESCONOCIDA Y ALINEACION DE LOS DISTINTOS CANALES DE DATOS.
(16/10/1991). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL STANDARD ELECTRICA, S.A.. Inventor/es: ORTEGA RODRIGUEZ, FERNANDO.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA CAPTURA DE DATOS CON FASE DESCONOCIDA Y ALINEACION DE LOS DISTINTOS CANALES DE DATOS. ESTA ESPECIALMENTE CONCEBIDO PARA SU APLICACION EN SISTEMAS DE TRANSMISION DE DATOS DE ALTA VELOCIDAD, EVITANDO ESTADOS METAESTABLES. LOS DATOS RECIBIDOS, POR SU CAPTURA, SON ALMACENADOS CORRELATIVAMENTE EN UNA PLURALIDAD DE N REGISTROS (RSI1 ... RSIN) A LA FRECUENCIA DE LA SEÑAL DE RELOJ DE ENTRADA (RLJ-E), Y DE FORMA SINCRONA CON EL CANAL DE DATOS DE ENTRADA (CDT-E). LOS DATOS, PARA SU ALINEACION, SON LEIDOS DE FORMA CORRELATIVA DE DICHOS N REGISTROS A LA FRECUENCIA DE LA SEÑAL DE RELOJ DE SALIDA (RLJ-S), SEÑAL DE LA MISMA FRECUENCIA QUE LA SEÑAL DE RELOJ DE ENTRADA (RLJ-E) PERO NORMALMENTE DE DISTINTA FASE, Y COMENZANDO EN UN REGISTRO SEPARADO DEL REGISTRO EN QUE SE ESTA ESCRIBIENDO EL DATO UN NUMERO DE REGISTROS IGUAL A LA PARTE ENTERA DEL COCIENTE N.
PERFECCIONAMIENTOS EN LA CONSTRUCCION DE PLANOS DE MEMORIA MAGNETICA CON HILOS.
(01/01/1978). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.
Perfeccionamientos en la construcción de planos de memoria magnética con hilos, del tipo que comprenden un conjunto de hilos magnéticos paralelos, caracterizados porque cada hilo magnético se aloja en una ranura cuyas paredes laterales están constituidas por un hilo espaciador.
APARATO MEMORIZADOR MAGNÉTICO.
(01/06/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Resumen no disponible.
