CIP-2021 : C30B 33/02 : Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad).
C30B 33/02 · Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.
(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende:
una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que
los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03;
un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y
una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.
PDF original: ES-2720596_T3.pdf
Horno de fusión-solidificación provisto de modulación de los intercambios térmicos por las paredes laterales.
(29/05/2013) Horno de fusión y de solidificación para material cristalino provisto de:
- un crisol que tiene un fondo y paredes laterales , mostrando el crisol une dirección longitudinal perpendicular al fondo - un sistema lateral de aislamiento térmico colocado alrededor del crisol frente a las paredes laterales , estando provisto el sistema lateral de aislamiento térmico de al menos un elemento lateral (7a, 7b, 7c, 7'a, 7'b, 7'c) que se desplaza entre una posición de aislamiento y una posición que favorece la disipación térmica,
horno caracterizado porque:
- el sistema lateral de aislamiento térmico está constituido por al menos dos subelementos adyacentes que forman un anillo continuo…
PROCEDIMIENTO DE ELIMINACION MEDIANTE RECOCIDO DE LOS PRECIPITADOS EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR II-VI.
(26/11/2009) Procedimiento de eliminación mediante recocido de los precipitados contenidos en un material sólido de semiconductor II-VI, en el que dicho material sólido semiconductor es un material sólido semiconductor de sublimación congruente, y en el que se realizan las siguientes etapas sucesivas:
- se calienta bajo circulación de gas neutro el material sólido semiconductor hasta una temperatura T comprendida entre una primera temperatura T 1, correspondiente al eutéctico de compuesto II-VI/elemento VI, y una segunda temperatura T2, correspondiente a la temperatura máxima de sublimación congruente;
- se mantiene bajo circulación de gas neutro el material sólido a esta temperatura T durante una duración suficiente para eliminar los precipitados;
- se enfría el material sólido semiconductor…
PROCEDIMIENTO PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA DE DIAMANTES MANUFACTURADOS.
(16/08/2001). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: PARK, DONG-SIL, JACKSON, WILLIAM E.
LA PUREZA Y DUREZA DE UN BAÑO DE GRANOS DE DIAMANTES SE AUMENTA SEPARANDO UNA PARTE QUE CONTIENE INCLUSIONES INDESEABLES DE LA PARTE RESTANTE DE MAS ELEVADA PUREZA Y RECOCIENDO LA PARTE DE MAS ELEVADA PUREZA EN UNA ATMOSFERA REDUCTORA DURANTE UN PERIODO SUFICIENTE DE TIEMPO PARA MEJORAR LA DUREZA DE LA PARTE DE PUREZA MAS ELEVADA.