CIP-2021 : C23C 16/42 : Siliciuros.

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Notas^[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

Notas^[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/42 · · · Siliciuros.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Película protectora, miembro reflectante, y procedimiento de producción para película protectora.

(23/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED. Inventor/es: OKADA, NAOKO, AOMINE,NOBUTAKA, HANEKAWA,HIROSHI, KAWAHARA,HIROTOMO.

Película protectora situada sobre una parte superior de una película metálica para proteger la película metálica que está situada sobre un sustrato de vidrio, comprendiendo la película protectora: una película de sílice; en la que la película de sílice tiene un coeficiente de extinción "k" menor o igual de 1 x 10-4 y un índice de refracción "n" menor o igual de 1,466 a una longitud de onda de 632 nm, y un contenido de carbono menor o igual de un 3 % atómico.

PDF original: ES-2658046_T3.pdf

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO EN FASE DE VACIO DE UN SUSTRATO.

(16/07/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: WEBER, THOMAS, BURGER, KURT, VOIGT, JOHANNES, LUCAS, SUSANNE.

La invención se refiere a un procedimiento para revestir un sustrato por depósito químico en fase de vapor activado por plasma. Para regular el bombardeo iónico durante el revestimiento, una tensión (US), producida independientemente del plasma de revestimiento se aplica al sustrato, siendo dicha tensión modificada durante el revestimiento. La tensión de sustrato (US) es, de manera apropiada, una tensión continua bipolar impulsada, que presenta una frecuencia comprendida entre 0,1 kHz y 10 lHz. La invención se refiere también a una estructura multicapa que resiste al desgaste y que reduce la fricción, constituida por capas individuales alternas de material con resistencia mecánica elevada y de carbono o de silicio.

CUERPO CERAMICO METALIZADO Y METODO PARA FABRICARLO.

(16/04/1999). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: ROTMAN, FREDERIC, JALBY, PIERRE, CLAVERIE, PIERRE, ARAI, JUICHI, KIMURA, MASO, FRIEDT, JEAN-MARIE, ROOM 104 - MANOIR FUSUKAWA 19.

ESTA INVENCION HACE REFERENCIA A UN CUERPO DE CERAMICA SINTETIZADA CUBIERTO DE UNA CAPA DE METAL O UNA ALEACION DE METAL Y UN METODO PARA FABRICARLO. SEGUN LA INVENCION ESTA CAPA METALIZADA SE DEPOSITA EN EL SUSTRATO MEDIANTE UN PROCESO CVD, EN EL QUE EL TUNGSTENO Y/O EL HALOGENURO DE MOLIBDENO REACCIONAN CON HIDRUROS DE SILICIO, ESTA CAPA METALICA ESTA ASI DEPOSITADA DIRECTAMENTE EN EL SUSTRATO, SIN NINGUNA CAPA INTERMEDIA ENTRE AMBAS. SE OBTIENEN RESISTENCIAS DE ENLACE MINIMAS DE 3.2. (MAS MENOS) 0,4 KG/MM (AL CUADRADO).

PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULAS METALICAS DEPOSITADAS QUE CONTENGAN ALUMINIO COMO COMPONENTE PRINCIPAL MEDIANTE EL USO DE UN HIDRURO DE ALQUIL ALUMINIO.

(16/01/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MIKOSHIBA, NOBUO, TSUBOUCHI, KAZUO, MASU, KAZUYA.

PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DE AL QUE CONTENGA SI DE GRAN CALIDAD SEGUN EL METODO CVD QUE UTILIZA UN HIBRIDO DE ALUMINIO DE ALQUILO Y UN GAS QUE CONTENGA SILICIO E HIDROGENO. SE TRATA DE UN EXCELENTE PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULAS CON DEPOSITOS QUE TAMBIEN ADMITE LA DEPOSICION SELECTIVA DEL AL QUE CONTENGA SI.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITO DE SILICIURO DE METAL REFRACTARIO PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS.

(01/03/1992). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: HIRASE, IKUO, RUFIN, DENIS, SUMIYA, TOORU, MATSUURA, MASAMICHI, SCHACK, MICHAEL, UKISHIMA, SADAYUKI.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITO DE SILICIURO DE METAL REFRACTARIO POR LA TECNICA DE DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR A PARTIR DE PRECURSOR DE METAL Y DEL PRECURSOR DE SILICIO PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS, CARACTERIZADO PORQUE EL PRECURSOR DEL METAL REFRACTARIO ESTA MEZCLADO EN FORMA GASEOSA DE SUBFLUORUROS DE SILICIO JUSTO ANTES DEL DEPOSITO.

METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA.

(16/12/1991). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: ISHIHARA, SHUNICHI, SHIMIZU, ISAMU, HANNA, JUNICHI.

METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA QUE CONSISTE EN LA INTRODUCCION DE UN MATERIAL DE PARTIDA GASEOSO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE (X) HALOGENICO GASEOSO QUE TENGA ACCION OXIDANTE SOBRE DICHO MATERIAL (DE PARTIDA) AL MENOS UN AGENTE OXIDANTE (ON) DE TIPO OXIGENO GASEOSO Y AGENTES OXIDANTES DE TIPO NITROGENO, Y PREFERIBLEMENTE TAMBIEN UN MATERIAL GASEOSO (D) CONTENIENDO UN COMPONENTE PARA CONTROLAR EL ELECTRON DE VALENCIA COMO EL CONSTITUYENTE, EN UN AREA DE REACCION EN LA QUE SE EFECTUA AL CONTACTO QUIMICO ENTRE ELLOS, DE MANERA QUE SE FORME UN NUMERO PLURAL DE PRECURSORES QUE CONTIENEN PRECURSORES EN ESTADO EXCITADO, Y FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA ZONA DE FORMACION DE PELICULA MEDIANTE EL USO DE AL MENOS UNO DE ESTOS PRECURSORES COMO FUENTE DE ALIMENTACION DEL ELEMENTO CONSTITUYENTE DE LA PELICULA DEPOSITADA.