CIP-2021 : G11C 11/402 : con regeneración de la carga individual de cada celda de memoria, es decir refresco interno.
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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:
G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
G11C 11/402 · · · · · con regeneración de la carga individual de cada celda de memoria, es decir refresco interno.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UNA CELULA DE MEMORIA ADAPTADA PARA ALMACENAR DATOS COMO UN CONDENSADOR Y DEVOLVER CARGA PERIODICAMENTE PARA CONSERVAR DATOS ALMACENADOS.
(31/01/1984). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
CELDA DE MEMORIA QUE TIENE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO COMO CONDENSADOR PARA ALMACENAR DATOS Y ELEMENTOS DE CIRCUITO PARA RESTAURAR LA CARGA PERIODICAMENTE PARA PROTEGER DATOS ALMACENADOS CONTRA PERDIDAS POR FUGAS DESDE EL CONDENSADOR DE ALMACENAMIENTO. CONSTA DE UN PRIMER TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, QUE ES UN DISPOSITIVO DE MODO DE ENRIQUECIMIENTO CON LOS ELECTRDOS DE FUENTE Y DRENAJE CONECTADOS ENTRE SI; DE UN SEGUNDO TRANSISTOR 88) DE EFECTO DE CAMPO, QUE ES UN DISPOSITIVO DE MODO DE EMPOBRECIMIENTO DEPORTADORES QUE TIENE UN EXTREMO DE SU CANAL CONECTADO A UN EXTREMO DEL CANAL DEL PRIMER TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO; Y DE UN CONDENSADOR CONTROLADO POR UN ELECTRODO DE CONTROL CONECTADO AL OTRO EXTREMO DEL CANAL DEL PRIMER TRANSISTOR 88) DE EFECTO DE CAMPO.
PERFECCIONAMIENTOS EN APARATOS SEMICONDUCTORES QUE INCLUYEN UNA RED PARA REGENERAR EL ESTADO DE MEMORIA DE CELULAS DE MEMORIA DE CAPACITOR SEMICONDUCTOR.
(01/06/1982). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
CELULA DE MEMORIA CON RED DE REGENERACION AUTOMATICA. ESTA FORMADA POR UN CAPACITOR MOS (CS) QUE ALMACENA LA INFORMACION; POR UNA SERIE DE TRANSISTORES MOS (T1, T2, T3) Y POR UN CONDENSADOR (CL). PARA REALIZAR LA ESCRITURA DE INFORMACION SE APLICA UN IMPULSO NEGATICO EN UNA LINEA DE BITIOS (B) Y UN IMPULSO POSITIVO EN UNA LINEA DE PALABRAS (W), MIENTRAS QUE PARA REALIZAR LA LECTURA SE MANTIENE LA LINEA DE BITIOS A TENSION POSITIVA Y SE APLICA EN LA DE PALABRAS UN IMPULSO POSITIVO. POR MEDIO DE DOS TRANSISTORES (T2, T3), DEL CONDENSADOR Y DE UNA TERCERA LINEA (L) SE CONECTA A UNA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA.
PERFECCIONAMIENTOS EN MEMORIAS DINAMICAS.
(16/10/1977). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.