CIP-2021 : H01L 21/265 : produciendo una implantación de iones.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/265 · · · · · · produciendo una implantación de iones.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Célula solar, módulo de célula solar y procedimiento de fabricación de célula solar.
(01/07/2020) Una célula solar que comprende un primer sustrato de silicio de tipo conductor , una segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor colocada en un primer lado de la superficie principal del sustrato de silicio , y una primera capa de silicio amorfo de tipo conductor colocada en un segundo lado de la superficie principal del sustrato de silicio , en la que el sustrato de silicio tiene una región de bajo dopaje que ha sido dopada para ser un primer tipo conductor, una primera región de alto dopaje del lado de la superficie principal que es proporcionada entre la región de bajo dopaje y la segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor y tiene…
Convertidor fotovoltaico con estructura de emisor mejorada basada en componentes de silicio y un método para la producción del convertidor fotovoltaico.
(08/05/2019) Un convertidor fotovoltaico, que comprende una estructura de emisor hecha de componentes de silicio capaces de convertir fotones de alta energía en electrones libres en particular UV y fotones visibles así como fotones IR, esta estructura de emisor forma parte de una losa, oblea o chip de material fotovoltaico de tipo p o de tipo n,
- teniendo dicha losa, oblea o chip una superficie superior destinada a ser expuesta a radiación fotónica principalmente a radiación solar, que tiene una unión PN integrada que delimita la parte emisora y una parte de base, que tiene electrodos delanteros y traseros y que comprende al menos un área o región específicamente diseñada o adaptada para absorber…
Técnicas para procesar un sustrato.
(06/04/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES INC. Inventor/es: DANIELS,KEVIN M, LOW,RUSSELL J, RIORDON,BENJAMIN B, BATEMAN,NICHOLAS P. T.
Una máscara para procesar un sustrato , comprendiendo la máscara :
una o más primeras aberturas (956a) dispuestas en una primera fila (955a);
una o más segundas aberturas (956b) dispuestas en una segunda fila (955b); y
una o más terceras aberturas (956c) dispuestas en una tercera fila (955c), extendiéndose cada fila en una dirección de la anchura de la máscara , en la que la segunda fila (955b) es adyacente a las filas primera y tercera (955a, 955c) y está dispuesta entre las filas primera y tercera (955a, 955c), las una o más primeras aberturas (956a) y las una o más segundas aberturas (956b) no están alineadas en una dirección de la altura de la máscara , estando la máscara caracterizada porque las una o más primeras aberturas (956a) y las una o más terceras aberturas (956c) están alineadas en la dirección de la altura de la máscara.
PDF original: ES-2573089_T3.pdf
Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora.
(02/05/2012) Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona , encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona subsiguiente con una concentración homogénea baja de un segundo dopado, una capa amortiguadora subsiguiente, la cual es la tercera zona , con un segundo dopado y una cuarta zona subsiguiente, encarada hacia la segunda superficie principal (H2) con una alta concentración del segundo dopado, en el que la concentración del segundo dopado de la capa amortiguadora en…
Método para la producción de un dispositivo semiconductor que usa el recocido láser para activar selectivamente los adulterantes implantados.
(28/03/2012) Un método para producir un dispositivo semiconductor con una superficie modelada que comprende almenos una zona parcial adulterada con un adulterante de un primer tipo de conductividad y al menos una zona adulterada con un adulterante de un segundo tipo de conductividad en el mismo lateral de un sustrato semiconductor, comprendiendo el método:
- implantar el adulterante del primer tipo de conductividad e implantar el adulterante del segundo tipo deconductividad en la superficie a modelar;
- activar localmente el adulterante del primer tipo de conductividad mediante el calentamiento local de almenos la zona parcial de la superficie para que se modele a una primera temperatura con el uso de unrayo láser;
- activar el adulterante del segundo tipo de conductividad…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.
(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
DISPOSITIVO PARA FORMAR NANOESTRUCTURAS SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA POR MEDIO DE HACES DE IONES.
(01/06/2005) Una unidad para la formación de nanoestructuras, o estructuras de escala nanométrica, sobre la superficie de una oblea semiconductora, que incorpora una cámara de vacío , equipada con sistemas de extracción o escape y de recocido, un dispositivo de introducción de oblea semiconductora , una fuente de iones de potencia controlada , un separador de masas , un cañón de electrones , un detector de electrones , un soporte para la oblea y un medidor de la corriente de iones, de tal manera que la unidad está equipada con una columna de transporte del haz de iones, un analizador de masas de cuadripolo , un microscopio óptico…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) MEDIANTE IMPLANTACION IONICA DE CARBONO Y RECOCIDOS.
(01/08/2003) Procedimiento de fabricación de capas de carburo de silicio (sic) mediante implantación iónica de carbono y recocidos. La presente invención se refiere al uso de una combinación de implantaciones iónicas de C+ y recocidos convencionales para la fabricación de estructuras complejas multicapas basadas en SiC. Esta combinación de técnicas muy bien conocidas de la tecnología del Si proporciona una gran versatilidad en cuando a la estructura de las capas sintetizadas (estructura amorfa, policristalina, o cristalina con control de la orientación cristalina; multicapas, capas enteradas o sobre aislante) y permite la obtención de capas con muy bajos niveles de tensión residual y con superficies…
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD. Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR USANDO UNA MASCARA . EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
CARBONO DE SUSTITUCION EN SILICIO.
(16/08/1995). Solicitante/s: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRIT. MAJESTY'S GOVERN. OF UNITED KINGDOM OF GB AND N. IRELAND. Inventor/es: CANHAM, LEIGH, TREVOR, BARRACLOUGH, KEITH, GORDON, DYBALL, MARK, ROY.
LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA PRODUCIR SILICONA CON UNA SUSTITUCIONALIDAD APROXIMADA DEL 100% CON CONCENTRACIONES DE CARBONO MUY ALTAS HASTA 10 ELEVADO 21 CM ELEVADO -3 APROXIMADAMENTE, QUE TIENE CAPAS RECRISTALIZADAS DE BUENAS CUALIDADES CONTENIENDO NIVELES BAJOS DE DAÑO RESIDUAL, Y QUE EVITA LA PRECIPITACION DE CARBON MOVIL. ESTE METODO, COMPATIBLE CON EL ESTADO ACTUAL DE LA TECNOLOGIA DEL SILICIO VLSI, COMPRENDE LAS ETAPAS SECUENCIALES DE: IMPLANTAR UNA MICROPLAQUETA DE SILICIO CON IONES DE CARBONO, Y DOS ETAPAS DE RECOCCION DE LA MICROPLAQUETA DE SILICIO IMPLANTADA.
PROCESO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO PARA TRANSISTOR BIPOLAR.
(01/11/1992). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: CHANG, SHIAO-HOO, WEINBERG, MATTHEW, THOMAS, MAMMEN.
INCLUYE LOS PASOS PARA LA FORMACION Y AUTO-ALINEAMIENTO DE LA ZONA QUE NO INVADE SUSTANCIALMENTE EL EMISOR. EN LOS PROCESOS CONOCIDOS PARA LA FABRICACION DE TRANSISTORES QUE REQUIEREN UN LECHO, PRECISAN UN COLECTOR BASE MAS ALTO POR DETENCIONES Y POR AVERIAS DE VOLTAGE.
SISTEMA Y METODOS DE REDUCCION DE CARGA DE UNA PLAQUITA PARA IMPLANTACION IONICA.
(01/11/1992). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: RENAU, ANTHONY, MOFFATT, STEPHEN, PLUMB, FREDERICK.
EL INVENTO SE REFIERE A UN SISTEMA PARA IRRADIAR UN OBJETIVO TIPO PLAQUITA CON UN HAZ IONICO EN LA ESTACION FINAL DE UN SISTEMA QUE INCLUYE UN ELECTRODO POST-ANALISIS PARA ACELERAR EL HAZ DE IONES HASTA UNA VELOCIDAD DADA DE INCIDENCIAS SOBRE EL BLANCO SITUADO MAS ALLA DEL ELECTRODO DE POST-ANALISIS, Y UN DISPARADOR DE FLUJO DIODICO INSERTADO ENTRE EL ELECTRODO DE POST-ANALISIS Y EL BLANCO PARA NEUTRALIZAR LA ACUMULACION DE CARGA POSICIONAL INDUCIDA EN EL BLANCO POR EL HAZ IONICO. EL DISPARADOR DE FLUJO DIODICO INTRODUCE UNA CORRIENTE AMPLIFICADA DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA EN EL HAZ IONICO, CORRIENTE QUE SE CREA INTRODUCIENDO UN GAS INERTE EN EL DISPARADOR A TRAVES DE UNA LINEA DE DERIVACION.
UN METODO DE PRODUCIR UN SEMICONDUCTOR DE SILICIO QUE HA SIDO IMPURIFICADO POR IMPLANTACION IONICA.
(01/11/1985). Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.
METODO PARA PRODUCIR UN SEMICONDUCTOR DE SILICIO QUE HA SIDO DOPADO POR IMPLANTACION DE IONES, CON UN ELEMENTO SELECCIONADO ENTRE ARSENICO Y FOSFORO. CONSISTE EN IMPLANTAR IONES HIDROGENO CON UN HAZ DE IONES, DESPUES DE HABER IMPLANTADO EL ELEMENTO SELECCIONADO ENTRE ARSENICO Y FOSFORO, Y EN LA MISMA ZONA Y SUBSIGUIENTEMENTE EN RECOCER EL SEMICONDUCTOR A UNA TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 500 Y 600 GRADOS, DURANTE UN TIEMPO DE APROXIMDAMENTE UNA HORA, EN UNA ATMOSFERA INERTE. PARA LA IMPLANTACION DE IONES DE HIDROGENO SE UTILIZA UNA FUENTE DE IONES KAUFMAN QUE PERMITE IMPLANTAR GRANDES DOSIS, EN UN TIEMPO MUY BREVE.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS COMPLEMENTARIOS.
(03/04/1984). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
3 PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN CIRCUITOS INTEGRADOS.COMPRENDE LAS ETAPAS SIGUIENTES: REALIZAR, EN UN CUERPO DE SILICIO, UNA PRIMERA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO P Y UNA SEGUNDA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N; FORMAR, DENTRO DE LA PRIMERA REGION, UNA TERCERA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO P CON MAYOR CONCENTRACION; Y FORMAR, DENTRO DE LA SEGUNDA REGION, UNA CUARTA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N. AMBAS REGIONES TERCERA Y CUARTA TIENEN UNA CONCENTRACION RESPECTIVA MAYOR QUE LAS PRIMERA Y SEGUNDA. LAS PORCIONESSUPERFICIALES DEL CUERPO DE SILICIO EN DONDE HAN DE FORMARSE LAS REGIONES TERCERA Y CUARTA, SON TRATADAS SELECTIVAMENTE CON IONES BORO, Y LAS PORCIONES DEL MISMO CORRESPONDIENTES A LA REGION CUARTA, CON IONES FOSFORO O ARSENICO. EL CUERPO DE SILICIO SE ENMASCARA SELECTIVAMENTE Y SE CALIENTA PARA OXIDAR SELECTIVAMENTE LAS REGIONES TERCERA Y CUARTA.
UN METODO PARA FORMAR REGIONES DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD N EN UN SUSTRATO DE SILICIO.
(01/01/1979). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Un método para formar regiones de tipo de conductividad N en un sustrato de silicio, que comprende implantar iónicamente arsénico para formar en dicho sustrato una región que tiene una concentración de átomos de arsénico de al menos 1 x 10-2 átomos de As/átomos totales en el sustrato, e implantar iónicamente germanio en dicha región de sustrato.
UN METODO PERFECCIONADO DE IMPLANTACION IONICA EN PASTILLAS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR, EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/10/1978). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR INTEGRADO.
(16/06/1977). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
UN METODO PARA PRODUCIR UNA ESTRUCTURA AMORFA Y AISLANTE EN UN CUERPO MONOCRISTALINO.
(01/12/1975). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINES MACHINES CORPORATION..
Un método para producir una estructura amorfa y aislante en un cuerpo monocristalino seleccionado del grupo que consiste en silicio y germanio, que comprende bombardear dicho cuerpo monocristalino con iones idénticos y mantener el bombardeo en un nivel de energía suficiente para que de como resultado la penetración de iones a la profundidad sub-superficial deseada.
