CIP-2021 : C30B 25/12 : Portasustrato o soportes.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
C30B 25/12 · · Portasustrato o soportes.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas.
(27/09/2017). Solicitante/s: IIA Technologies Pte. Ltd. Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.
Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato:
una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , comprendiendo cada cámara uno o más conjuntos de plataforma de sustrato dentro de la cámara para soportar una plataforma de sustrato ,
en donde el conjunto de plataforma de sustrato comprende una placa , dicha plataforma de sustrato y un reflector periférico ; estando soportados la plataforma de sustrato y el reflector periférico en la parte superior de la placa ,
caracterizado por que
las cámaras están dispuestas en serie con tubos de flujo de gas entre cada cámara, o las cámaras están dispuestas en una red de manera que cada cámara está conectada a una cámara adyacente, para permitir el flujo de gas entre las cámaras.
PDF original: ES-2652129_T3.pdf
Aparato y método de crecimiento cristalino.
(08/07/2015) Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende:
una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ;
una cámara de crecimiento ;
un paso para el transporte de vapor desde la cámara de aporte hasta la cámara de crecimiento ;
un soporte , dispuesto dentro de la cámara de crecimiento y configurado para soportar un cristal seminal ; y
un espacio de separación , definido entre la cámara de crecimiento y el soporte ;
de tal modo que el coeficiente de dilatación térmica del soporte es mayor que el coeficiente de dilatación térmica de la cámara de crecimiento, y de forma que los materiales y dimensiones del soporte y de la cámara de crecimiento se han seleccionado…
REACTOR EPITAXIAL PARA LA PRODUCCION DE OBLEAS A GRAN ESCALA.
(01/12/2007) Reactor epitaxial para la producción de obleas a gran escala.#Se describe un reactor epitaxial de alto rendimiento que produce obleas a gran escala para industria fotovoltaica. Su principal innovación es la elevada densidad de apilamiento de susceptores, separados unos 4 cms. Éstos se colocan verticales, paralelos entre sí, interconectados, y se calientan por efecto Joule. La corriente llega por pasamuros especialmente diseñados, que conectan el exterior (temperatura ambiente), con los susceptores (1000 ºC). Un gas fluye entre susceptores. Unos sustratos se colocan sobre éstos. Debajo de ellos se encuentra una antecámara, para distribuir el gas entrante de forma…
SUSCEPTOR CON DISPOSITIVOS DE CONTROL DEL CRECIMEINTO EPITAXIAL Y REACTOR EPITAXIAL QUE UTILIZA LOS MISMOS.
(01/12/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: LPE SPA. Inventor/es: PRETI, FRANCO, YARLAGADDA, SRINIVAS.
Susceptor para reactores de crecimiento epitaxial que comprende una estructura que tiene una base inferior , una parte superior y algunas caras laterales básicamente planas , estando dichas caras laterales adaptadas para recibir, en áreas predeterminadas , sustratos sobre los que se desarrolla el crecimiento epitaxial y que están provistas de regiones laterales del borde definidas por pares de caras laterales adyacentes , en las que a lo largo de dichas regiones laterales del borde de la parte superior de la estructura se proporcionan unas primeras acanaladuras adaptadas para controlar el flujo de gases de reacción a lo largo de dichas caras laterales caracterizadas porque a lo largo de dichas regiones laterales del borde de la parte inferior de la estructura se proporcionan unas segundas acanaladuras adaptadas para controlar el flujo de los gases de reacción a lo largo de dichas caras laterales.
APARATO DE ROTACION PLANETARIA IMPULSADO POR GAS Y METODOS PARA FORMAR CAPAS DE CARBURO DE SILICIO.
(16/10/2006). Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: PAISLEY, MICHAEL, JAMES, SUMAKERIS, JOSEPH, JOHN.
Aparato de rotación impulsado por gas para su uso con un flujo de gas impulsor, comprendiendo el aparato: a) un elemento de base que tiene una superficie (151A) superior; b) un plato principal que recubre la superficie superior del elemento de base; y c) un plato satélite que recubre el plato principal; d) en el que el aparato está adaptado para dirigir el flujo de gas impulsor entre la superficie (151A) superior del elemento de base y el plato principal, de tal manera que el plato principal se haga rotar con respecto al elemento de base mediante el flujo del gas impulsor; y dirigir al menos una parte del flujo de gas impulsor desde entre la superficie superior del elemento de base y el plato principal hasta entre el plato principal y el plato satélite, de tal manera que el plato satélite se haga rotar con respecto al plato principal mediante al menos una parte del flujo de gas impulsor.
DISEÑOS DE SOPORTE PARA PELICULAS FINAS DE CARBURO DE SILICIO.
(16/01/2002). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: KONG, HUA-SHUANG, CARTER, CALVIN, JR., SUMAKERIS, JOSEPH.
Se describe un soporte para minimizar o eliminar los gradientes térmicos que afectan a una oblea sustrato durante el crecimiento epitaxial. El soporte incluye una primera porción de soporte que incluye una superficie para recibir una oblea de sustrato semiconductor en ella y una segunda porción de soporte. El soporte se caracteriza porque la segunda porción de soporte se enfrenta a la superficie receptora de sustrato y está separada de la superficie receptora de sustrato, siendo la separación suficientemente grande para permitir el flujo de gases entre ellas para el crecimiento epitaxial en un sustrato sobre la superficie, y siendo suficientemente pequeña para que la segunda porción de soporte caliente la cara expuesta del sustrato sustancialmente a la misma temperatura que la primera porción de soporte calienta la cara del sustrato que está en contacto directo con la superficie receptora de sustrato.
METODO Y APARATO PARA CALENTAR Y/O REVESTIR ARTICULOS.
(01/07/1969). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.
Resumen no disponible.
