CIP-2021 : C23C 16/40 : Oxidos.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/40 · · · Oxidos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
RECUBRIMIENTOS DE OXIDO DE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA PARA LA PROTECCION DE ELEMENTOS METALICOS.
(01/11/1995). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA, LEON FONG,BETTY MIREYA, FERNANDEZ FERNANDEZ, MARIA DOLORES.
RECUBRIMIENTOS DE OXIDO DE SILICIO PRODUCIDOS MEDIANTE LAMPARA EXCIMERA DE DESCARGA SILENCIOSA PARA LA PROTECCION DE ELEMENTOS METALICOS. RECUBRIMIENTOS DE OXIDO DE SILICIO PUEDEN SER APLICADOS SOBRE MATERIALES Y COMPONENTES METALICOS POR MEDIO DE UN METODO BASADO EN LA DEPOSICION QUIMICA A PARTIR DE VAPOR INDUCIDA POR LAMPARA (LAMP-CVD). ESTOS RECUBRIMIENTOS LES CONFIEREN UNA PROTECCION CONTRA LA CORROSION, OXIDACION, SULFURACION Y CARBURIZACION, FUNDAMENTALMENTE CUANDO DICHOS COMPONENTES O MATERIALES METALICOS ESTAN SOMETIDOS A ALTAS TEMPERATURAS Y ATMOSFERAS MUY AGRESIVAS. POR MEDIO DE ESTE METODO PUEDEN PROTEGERSE COMPONENTES METALICOS (FABRICADOS, POR EJEMPLO, CON ACEROS INOXIDABLES, ACEROS AL CARBONO O ALEACIONES DE NI) DE USO EN INTERCAMBIADORES DE CALOR, CALDERAS O TURBINAS.
PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR UN CUERPO DE BASE METALICO CON UN MATERIAL DE REVESTIMIENTO NO CONDUCTOR.
(16/05/1995). Solicitante/s: WIDIA GMBH. Inventor/es: VAN DEN BERG, HENDRIKUS, KONIG, UDO, REITER, NORBERT, TABERSKY, RALF.
UN CUERPO METALICO BASICO ESTA REVESTIDO CON UN MATERIAL NO CONDUCTOR, TAL COMO AL O, POR PLASMA ACTIVADO CVD EN EL QUE SE APLICA UNA TENSION DE CORRIENTE CONTINUA IMPULSADA AL CUERPO BASICO QUE FUNCIONA COMO CATODO.
PROCESO DE FORMACION DE UN DEPOSITO QUE COMPRENDE DE LA SILICE SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN OBJETO DE VIDRIO.
(16/05/1995). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES. Inventor/es: DICK, SAMI, RECOURT, PATRICK, OUGARANE, LAHCEN, GENIES, BERNARD.
SE FORMA UN DEPOSITO DE UNA CAPA A BASE DE SILICE SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN OBJETO DE VIDRIO PROYECTANDO SOBRE UNA SUPERFICIE CALIENTE DEL OBJETO,EN ATMOSFERA AMBIENTE NO CONFINADA, UNA MEZCLA GASEOSA QUE TIENE UN CONTENIDO DE SILANO INFERIOR A 2%, UN CONTENIDO DE OXIGENO COMPRENDIDO ENTRE 3,5 Y 30%, Y VENTAJOSAMENTE UN CONTENIDO DE HIDROGENO INFERIOR A 5%. LA SUPERFICIE DEL OBJETO A TRATAR ESTA VENTAJOSAMENTE CALENTADA JUSTO ANTES DE SU PASO AL PUESTO DE INYECCION.
RECUBRIMIENTOS CERAMICOS PRODUCIDOS MEDIANTE LASER PARA LA PROTECCION DE ELEMENTOS METALICOS.
(01/09/1994). Solicitante/s: UNIVERSIDADE DE VIGO. Inventor/es: POU SARACHO,JUAN MARIA, PEREZ-MARTINEZ Y PEREZ-AMOR,MARIANO JESUS, GONZALEZ FERNANDEZ,PIO MANUEL, GARCIA PARADA,EDUARDO, SERRA RODRIGUEZ,JULIA, LEON FONG,BETTY MIREYA, FERNANDEZ FERNANDEZ, MARIA DOLORES.
MATERIALES Y COMPONENTES METALICOS PUEDEN SER RECUBIERTOS CON UN MATERIAL CERAMICO, OXIDO DE SILICIO, POR MEDIO DE UN METODO, BASADO EN LA DEPOSICION QUIMICA A PARTIR DE VAPOR INDUCIDA POR LASER (LCVD). ESTE RECUBRIMIENTO CERAMICO LES CONFIERE UNA PROTECCION CONTRA LA CORROSION, OXIDACION, SULFURACION Y CARBURIZACION, FUNDAMENTALMENTE CUANDO DICHOS COMPONENTES O MATERIALES METALICOS ESTAN SOMETIDOS A ALTAS TEMPERATURAS Y ATMOSFERAS MUY AGRESIVAS. POR MEDIO DE ESTE METODO PUEDEN PROTEGERSE COMPONENTES METALICOS (FABRICADOS, POR EJEMPLO, CON ACEROS INOXIDABLES, ACEROS AL CARBONO O ALEACIONES DE NI) DE USO EN INTERCAMBIADORES DE CALOR, CALDERAS O TURBINAS.
REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.
(01/05/1994) SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS…
DEPOSITO QUIMICO DE VAPOR DE OXIDO DE BISMUTO.
(16/01/1994). Solicitante/s: PPG INDUSTRIES, INC.. Inventor/es: NEUMAN, GEORGE, ANDREW, BLOSS, KARL HEINRICH.
SE DESCUBREN NUEVAS COMPOSICIONES DE CUBIERTA ORGANOMETALICAS COMPRENDIENDO COMPUESTOS DE ORGANO BISMUTADOS, JUNTO CON UN METODO PARA DEPOSITO QUIMICO DE VAPOR PARA FORMAR PELICULAS DE OXIDO DE BISMUTO SOBRE LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO TAL COMO CRISTAL.
PROCEDIMIENTO PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE AISLAMIENTO DE OXIDO DE CROMO ENTRE LAS PASTILLAS Y LA VAINA DE UN ELEMENTO COMBUSTIBLE NUCLEAR Y ELEMENTO COMBUSTIBLE QUE TIENE TAL CAPA DE AISLAMIENTO.
(16/01/1994). Solicitante/s: FRAMATOME COGEMA. Inventor/es: HERTZ, DOMINIQUE, AUDISIO, SYLVAIN, DEFOORT, FRANCOISE, IDRISSI, HASSAN.
UN COMPUESTO ORGANOMETALICO DE CROMO EN FASE GASEOSA SE PONE EN CONTACTO CON UN SUBSTRATO CONSTITUIDO POR LA SUPERFICIE INTERIOR DE LA VAINA TUBULAR DE ALEACION DE ZR DEL ELEMENTO COMBUSTIBLE O LA SUPERFICIE EXTERIOR DE LAS PASTILLAS DEL MATERIAL COMBUSTIBLE; EL SUBSTRATO SE MANTIENE A UNA TEMPERATURA ENTRE 300 Y 600 (GRADOS) C. EL COMPUESTO ORGANOMETALICO PUEDE ESTAR CONSTITUIDO POR EL ACETILACETONATO DE CROMO. EL PROCEDIMIENTO PERMITE OBTENER UN REVESTIMIENTO DE OXIDO DE CROMO EN EL INTERIOR DE LA VAINA TUBULAR Y/O SOBRE LA SUPERFICIE EXTERIOR DE PASTILLAS DE COMBUSTIBLE NUCLEAR. SE EVITA O SE LIMITA ASI LA INTERACCION PASTILLAS-VAINA DURANTE LA UTILIZACION DE ESTE ELEMENTO COMBUSTIBLE EN EL REACTOR.
METODO PARA DEPOSICION DE OXIDO DE SILICIO MEJORADA POR PLASMA.
(01/01/1994). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: FELTS, JOHN T., LOPATA, EUGENE S.
SE PROPORCIONA UN METODO PARA DEPOSICION DE UNA PELICULA A BASE DE OXIDO DE SILICIO DURA, FLUYENDO CONTROLADAMENTE UNA CORRIENTE GASEOSA, QUE CONTIENE UN COMPUESTO DE ORGANOSILICIO A UN PLASMA, Y DEPOSITANDO UN OXIDO DE SILICIO EN UN SUBSTRATO MANTENIENDO, MIENTRAS, UNA PRESION INFERIOR A 100 (MU) APROXIMADAMENTE DURANTE LA DEPOSICION. EL COMPUESTO DE ORGANOSILICIO SE COMBINA PREFERIBLEMENTE CON OXIGENO Y HELIO, POR LO MENOS UNA PARTE DEL PLASMA SE LIMITA MAGNETICAMNTE, DE MODO PREFERIBLE ADYACENTE A UN SUBSTRATO DURANTE LA DEPOSICION, PREFERIBLEMENTE POR UN MAGNETRON NO EQUILIBRADO. ESTAS PELICULAS A BASE DE OXIDO DE SILICIO SE PUEDEN DEPOSITAR REPRODUCIBLEMENTE EN SUBSTRATOS PEQUEÑOS O GRANDES, TALES COMO VIDRIO, PLASTICO, MINERAL O METAL, CON PROPIEDADES PRESELECCIONADAS.
METODO Y APARATO PARA FORMAR PIROLITICAMENTE UN REVESTIMIENTO DE OXIDO SOBRE UN SUSTRATO DE VIDRIO CALIENTE.
(01/08/1991) METODO Y APARATO PARA FORMAR PIROLITICAMENTE UN REVESTIMIENTO DE OXIDO SOBRE UN SUBSTRATO DE VIDRIO CALIENTE. EL METODO CONSISTE EN CONTACTAR EL SUBSTRATO CON UN MATERIAL PERCURSOR DE REVESTIMIENTO QUE CONTIENE SILANO, EN PRESENCIA DE OXIGENO. EL PRECURSOR QUE CONTIENE SILANO ESTA EN LA FASE VAPOR, Y ES MEZCLADO INTIMAMENTE CON OXIGENO GASEOSO, ANTES DE ENTRAR EN UNA CAMARA DE RECUBRIMIENTO PARA CONTACTAR CON EL SUBSTRATO. EL SILANO PUEDE SER CONDUCIDO COMO PRECURSOR HACIA LA CAMARA EN FASE VAPOR DENTRO DE UAN CORRIENTE DE GAS PORTADOR INERTE, Y SE INTRODUCE OXIGENO EN ESTA CORRIENTE ANTES DE QUE ENTRE EN LA CAMARA DE REVESTIMIENTO. LA OPERACION DE REVESTIMIENTO PUEDE TENER LUGAR EN…
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO QUE INCLUYE UNA REGION DE UN OXIDO DE SILICIO.
(16/01/1986). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO QUE INCLUYE UNA REGION DE UN OXIDO DE SILICIO. COMPRENDE LAS ETAPAS DE SOMETER UN SUSTRATO, QUE INCLUYE UN MATERIAL VOLUMINOSO TAL COMO UN CUERPO PIROELECTRICO COMO LINBO3 O UN CUERPO SEMICONDUCTOR COMO SILICIO, SIENDO EL CASO QUE ESTEN PRESENTES VARIAS REGIONES DE MATERIALES TAL COMO MATERIALES DIELECTRICOS, MATERIALES METALICOS Y/O MATERIALES SEMICONDUCTORES, A UN AMBIENTE EN EL CUAL SE INTRODUCE UN GAS; E INDUCIR UNA REACCION QUE CONDUCE A LA DEPOSICION DEL OXIDO DE SILICIO SOBRE EL SUSTRATO, COMPRENDIENDO EL GAS UNA COMPOSICION ELEGIDA DEL GRUPO CONSISTENTE EN DIACETOXIDITERC-BUTOXISILANO (DADBS), DIACETOXIDIISOPROPOXISILANO (DADIS) Y TRITERC-BUTOXIETOXISILANO (TBES); DONDE LA REACCION ES INDUCIDA POR LA PRODUCCION DE UNA DESCARGA EN DICHO GAS Y POR CALENTAMIENTO DEL SUSTRATO A TEMPERATURA DE 600JC.