CIP-2021 : H01L 21/58 : Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/58 · · · · Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método para la fabricación de etiquetas RFID.
(05/10/2016). Solicitante/s: AVERY DENNISON CORPORATION. Inventor/es: GREEN, ALAN, BENOIT,DENNIS RENE.
Un método de formar un dispositivo RFID, cuyo método comprende: proporcionar un material polímero en banda RFID que tiene una agrupación de chips RFID ; proporcionar una banda de antenas que tiene antenas separadas en ella; dividir el material en banda RFID en una pluralidad de secciones , incluyendo cada una de las secciones uno o más de los chips RFID y una parte del material polímero; ajustar o indexar el paso de las secciones RFID de una densidad elevada en el material en banda RFID a una densidad relativamente baja; y unir las secciones a la banda de antenas en un proceso continuo automático, de forma que cada una de las secciones RFID se encuentre junto a una de las antenas y acoplada a ella, para formar así un material con inserciones RFID.
PDF original: ES-2270072_T5.pdf
PDF original: ES-2270072_T3.pdf
Método para la fabricación de etiquetas de RFID.
(10/08/2016) Método de formación de artículos de RFID, incluyendo el método un proceso de fabricación de rollo a rollo que comprende las etapas de:
proporcionar un material en banda con microelectrónica de RFID , en el que el material en banda con microelectrónica de RFID incluye una pluralidad de chips de RFID ;
separar el material en banda con microelectrónica de RFID en una pluralidad de secciones, en el que cada una de las secciones incluye uno o más de los chips de RFID ;
enganchar las secciones separadas mediante un miembro de transporte (A), en el que el miembro de transporte (A) incluye un rodillo, y en el que el enganche incluye retener las secciones por medio de un soporte de vacío en el rodillo;
transportar las secciones sobre el miembro…
Método para la fabricación de etiquetas de RFID.
(17/11/2015) Un método de formación de un artículo de RFID, comprendiendo el método una fabricación de rollo a rollo, que incluye las etapas de
proporcionar un material en banda de RFID de material polimérico que tiene una pluralidad de rebajes, conteniendo cada uno de los rebajes un chip de RFID ;
proporcionar una segunda banda que tiene unas antenas separadas sobre la misma;
dividir el material en banda de RFID en una pluralidad de secciones, incluyendo cada una de las secciones uno o más de los chips de RFID ;
indexar el paso de las secciones de RFID de una densidad elevada sobre dicho material en banda de RFID , a una densidad relativamente baja sobre un material con inserciones de RFID;
en el que las etapas de dividir y de indexar se efectúan usando un miembro de corte y un miembro de transporte,…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(04/06/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada ,
caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de una porcion periferica de la lamina hacia…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y
expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que está destinada a ser cortada, en el que la lámina está pegada al sustrato…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada
caracterizado…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato,
comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor,
causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto,
en el que una película expansible es…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;
generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de:
pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ;
después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…
DISPOSITIVO DE ANALISIS CON UN BIOCHIP.
(01/06/2004) Dispositivo de análisis de al menos un analito, que comprende, por una parte un biochip que tiene un soporte , por ejemplo poliédrico, con una cara activa comprendiendo una superficie activa , sobre la cual están distribuidos y atados una multiplicidad de ligandos puestos en juego para el análisis, al menos una cara opuesta a la cara activa , y una banda transversal periférica uniendo las caras activa y opuesta , comprendiendo por ejemplo varios cantos , y por otra parte un continente , así como un medio de fijación dispuesto por ambas partes de la cara activa del biochip , y uniendo, de un lado la banda transversal del biochip,…
LAMINA TERMOPLASTICA ADHESIVA.
(16/08/1999). Solicitante/s: BEIERSDORF AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: ENGELDINGER, HANS, KARL, SAUCKE, ALBERT-RALF.
LA INVENCION TRATA DE UNA PELICULA ADHESIVA TERMOPLASTICA PARA IMPLANTAR MODULOS ELECTRICOS EN UNA TARJETA PROVISTA DE UN ESCOTE PRACTICADO PARA COLOCAR UN MODULO ELECTRONICO, QUE EN LA PRIMERA CARA MUESTRA VARIAS SUPERFICIES DE CONTACTO Y EN LA SEGUNDA CARA, SITUADA FRENTE A LA PRIMERA CARA, MUESTRA UN ELEMENTO DE CIRCUITO INTEGRADO, CUYOS PUNTOS DE CONEXION ESTAN CONECTADOS CON LAS SUPERFICIES DE CONTACTO A TRAVES DE CONDUCTORES ELECTRICOS, SIRVIENDO LA PELICULA ADHESIVA PARA UNIR LA SEGUNDA CARA DEL MODULO CON LA TARJETA; LA INVENCION ESTA CARACTERIZADA PORQUE LA PELICULA ADHESIVA MUESTRA LA COMBINACION DE LOS SIGUIENTES COMPONENTES: I) UN POLIMERO TERMOPLASTICO CON UNA PROPORCION DEL 40 AL 100 % EN PESO Y II) UNA O VARIAS RESINAS ADHERENTES CON UNA PROPORCION DEL 5 AL 50 % EN PESO O ALTERNATIVAMENTE III) RESINAS EPOXI CON ENDURECEDORES CON UNA PROPORCION DEL 5 AL 40 % EN PESO.
SOPORTE DE CHIP CON REVESTIMIENTO PROTECTOR PARA LA SUPERFICIE CON CIRCUITOS.
(16/11/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: FREY, BRENDA DIANE, JOSEPH, CHARLES ARNOLD, OLSHEFSKI, FRANCIS JOHN, WILSON, JAMES WARREN.
SE PRESENTA UN SOPORTE DE CHIP QUE COMPRENDE UN SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP Y AL MENOS UN CHIP SEMICONDUCTOR MONTADO EN UNA CONFIGURACION DE CHIP DE VUELO, A TRAVES DE UNA S BOLAS DE SOLDADURA, SOBRE UNA SUPERFICIE CIRCUITADA DEL SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP. LAS BOLAS DE SOLDADURA SON ENCAPSULADAS EN UN PRIMER ENCAPSULANTE QUE TIENE UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN EPOXI. ADEMAS, AL MENOS UNA PARTE DE LA CIRCUITERIA SOBRE LA SUPERFICIE CIRCUITADA ESTA ENCAPSULADA EN UN SEGUNDO ENCAPSULANTE QUE TIENEN UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN URETANO, Y CUYA COMPOSICION ES ELEGIDA DE MANERA QUE EL SEGUNDO ENCAPSULANTE EXHIBA UN MODULO DE ELASTICIDAD QUE ES IGUAL O INFERIOR A 69.106 N/M2 CONSIGUIENTEMENTE, EL SEGUNDO ENCAPSULANTE NO EXHIBE NI GRIETAS INTERNAS, NI GRIETAS DE ENTRECARAS EN LA INTERCONEXION CON EL PRIMER ENCAPSULANTE, NI EL SEGUNDO ENCAPSULADO SE DELAMINA A PARTIR DE LA SUPERFICIE CIRCUITADA, CUANDO EL SOPORTE DE CHIP ES CICLADO TERMICAMENTE.
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION A TIERRA DE DISPOSITIVOS DE UN SOLO PLANO Y DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(01/09/1986). Solicitante/s: TELETTRA - TELEFONIA ELETTRONICA E RADIO S.P.A..
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION A TIERRA DE DISPOSITIVOS DE UN SOLO PLANO Y DE CIRCUITOS INTEGRADOS. SOBRE UN FONDO DE ARSENIURO DE GALIO SE HAN DISPUESTO TRES CONTACTOS: S(SOURCE), D(DRAIN) Y G(GATE). SOBRE UN SOPORTE RIGIDO SE FIJA UN WAFER DE ARSENIURO DE GALIO (GAAS) QUE SUSTENTA MAS DISPOSITIVOS DE UN SOLO PLANO (CHIPS), MEDIANTE PEGADURA. LA ELIMINACION POSTERIOR DEL ARSENIURO DE GALIO Y LA ACCESIBILIDAD DE LOS CONTACTOS DE S SE EFECTUA CON UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO. EL MATERIAL APLICADO SOBRE EL DORSO DEL Y SOBRE EL QUE SE TRAZAN LAS LINEAS DE SEPARACION O CAMPOS DE LOS DISPOSITIVOS INDIVIDUALES, SE ELIMINA MEDIANTE DISOLVENTES ORGANICOS (ACETONA). LA METALIZACION DEL DORSO DE LOS DISPOSITIVOS INDIVIDUALES SE HACE CON ORO ELECROLITICO. LA EXTRACCION DEL SOPORTE Y LA SEPARACION DE LOS DISPOSITIVOS INDIVIDUALES SE REALIZA CON DISOLVENTES ORGANICOS TAMBIEN (TRIELINA). EL MONTAJE DE LOS CHIPS SE EFECTUA CON UNA ALEACION DE AUSN O CON RESINAS CARGADAS DE PLATA.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/12/1981). Solicitante/s: TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISHA.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. SOBRE UN SUSTRATO DE ALUMINIO O COBRE SE DEPOSITA UNA CAPA AISLANTE PULVERIZADA DE UN MATERIAL CERAMICO. SOBRE ESTA SE FORMA UNA CAPA METALICA PULVERIZADA A BASE DE NIQUEL, ESTAÑO O PLATA. A CONTINUACION SE DISPONE UNA CAPA DE SOLDADURA QUE SIRVE PARA UNIR EL ELEMENTO SEMICONDUCTOR SITUADO EN ULTIMO LUGAR. LOS GROSORES DE LAS CAPAS AISLANTE Y METALICA PULVERIZADAS VARIAN ENTRE 0,05 Y 0,4 MM. COMO ALTERNATIVA PUEDE CONSTRUIRSE EL DISPOSITIVO SIN CAPA AISLANTE.