CIP-2021 : C30B 15/30 : Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido,
bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 15/30 · Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimientos de fabricación de cuerpos semiconductores delgados a partir de material fundido.
(10/09/2018) Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
a. proporcionar un material semiconductor fundido, que tiene una superficie;
b. proporcionar un molde poroso, que comprende una superficie de formación;
c. proporcionar un régimen de presión diferencial de manera que la presión en al menos una parte de la superficie de formación es menor que la presión en la superficie de material fundido;
d. poner en contacto la superficie de formación con el material fundido durante una duración de contacto de manera que, durante al menos una parte de la duración de contacto, el régimen de presión diferencial se proporciona de manera que un cuerpo de material semiconductor solidifica sobre la superficie de formación;
e. provocar el movimiento de la superficie de formación…
Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico.
(03/05/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Inventor/es: RUDOLPH, PETER, BÜLLESFELD,FRANK, SAHR,UWE, MILLER,WOLFRAM, REHSE,UWE, DROPKA,NATASCHA.
Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico , que se encuentra en un crisol , en el que, por medio de varios inductores , se generan campos magnéticos, para lo cual los inductores son alimentados con un primer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11c, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1), de manera que mediante la superposición de campos magnéticos se genere un campo de ondas progresivas (W1) en el material fundido , y éste sea alimentado con al menos un segundo conjunto de corrientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas con una segunda frecuencia (f2), caracterizado porque mediante la superposición del campo magnético generado con la segunda frecuencia (f2), se genera un segundo campo de ondas progresivas (W2) en el material fundido , que se mueve en dirección contraria al campo de ondas progresivas (W1), por lo que los dos campos de ondas progresivas generados (W1, W2) recorren el material fundido en una dirección (Y) esencialmente vertical.
PDF original: ES-2402446_T3.pdf
Dispositivo y procedimiento para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad.
(18/04/2012) Dispositivo para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad, que presenta al menos un crisol con un fondo de crisol (3b), que está dispuesto en una cámara de crecimiento y contiene una masa fundida , un dispositivo calefactor que envuelve el crisol y está realizado como disposición de bobinas múltiples a partir de bobinas , , dispuestas una sobre otra y sirve para la generación simultánea de un campo magnético móvil, estando unidas por electricidad las bobinas con al menos un dispositivo suministrador de energía dispuesto fuera de la cámara de crecimiento por medio de…
INSTALACION DE CRECIMIENTO DE CRISTALES.
(16/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH. Inventor/es: MUHE,ANDREAS, ALTEKRUGER,BURKHARD, VONHOFF,AXEL.
Instalación de crecimiento de cristales, en particular instalación de crecimiento de cristales semiconductores, con un crisol que puede ser calentado para una masa fundida y una disposición de bobinas colocada coaxial con el crisol para generar un campo magnético en la masa fundida , comprendiendo la disposición de bobinas tres o más bobinas, que están colocadas unas sobre otras en dirección axial y que en cada caso están atacadas con una tensión alterna, estando la tensión alterna aplicada a una bobina desplazada en fase con respecto a la tensión alterna aplicada a la bobina adyacente, caracterizada porque las bobinas están formadas por un cuerpo cilíndrico hueco de un material eléctricamente conductor, formando éste mediante una ranura múltiples veces circular un camino de corriente circular de una sola capa en forma de espiral, el cual mediante puntos de contacto que pueden conectarse al suministro de tensión está subdividido en secciones, que en cada caso forman una bobina.
UN HORNO DE CAMPO MAGNETICO Y SU METODO DE UTILIZACION PARA FABRICAR CRISTALES DE ESTRUCTURA DENDRITICA.
(01/11/2006) Un aparato para fabricar un cristal de estructura dendrítica, incluyendo: a) una cámara ; b) un conjunto de equipo de crecimiento situado en dicha cámara , utilizándose dicho conjunto de equipo de crecimiento para cultivar un cristal de estructura dendrítica; y c) un generador de campo magnético rodeando el perímetro de dicha cámara , utilizándose dicho generador de campo magnético para obtener un campo magnético en una dirección vertical durante el crecimiento, donde dicho generador de campo magnético incluye un conjunto en espiral rodeando dicho perímetro de dicha cámara ; caracterizado por: d) una chapa de enfriamiento (116A) en comunicación térmica con dicho conjunto en espiral , y por e)…
