CIP-2021 : H01L 21/24 : Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado,
materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/24 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/04/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Un dispositivo semiconductor que comprende un cuerpo semiconductor que tiene al menos un primero y un segundo transistor vertical bipolar y complementario, comprendiendo cada transistor una región de emisor y región de emisor y región de colector, estando constituido dicho cuerpo por un sustrato cubierto por una primera capa epitaxial de un primer tipo de conductividad sobre la cual se extiende una segunda capa epitaxial del segundo tipo de conductividad opuesto al primero, estando formada la región de base del primer transistor y al menos una parte de una región de base del segundo transistor y una región externa del primer transistor por porciones coplanares de la segunda epitaxial y constituyendo una porción del sustrato al menos una parte de la región de colector de uno de los transistores, una barrera aislante que separa enteramente al menos a parte de dichas porciones de la segunda capa epitaxial.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1962). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN CONTACTO DE ALEACIÓN SOBRE UN SEMICONDUCTOR.
(01/01/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un contacto de aleación que contiene aluminio sobre un cuerpo semiconductor, en que un material portador es aleado sobre el cuerpo semiconductor en una atmósfera inerte y se agrega aluminio al material portador, caracterizado por el hecho de que durante el proceso de aleación, una colada separada que contiene aluminio metálico o una aleación de aluminio, es calentada a una temperatura comprendida entre 1000ºC y 1400ºC, siendo absorbido el aluminio de la colada en el material portador a través de la atmósfera inerte.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.
(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR.
(01/04/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un transistor, particularmente para fines de conmutación, que comprende un cuerpo semiconductor en el cual están previstas una zona colectora, una zona de base y una zona emisora sobre las cuales están provistos contactos de colector, de base y de emisor, respectivamente, estando provisto el referido cuerpo de una o más impurezas que acortan la vida de los portadores de carga, caracterizado por el hecho de que por lo menos aquella parte de la zona de base que está ubicada entre la zona colectora y la zona emisora es formada simultáneamente por la fusión de un material de contacto emisor y la difusión de una impureza inversora del tipo de conductividad del cuerpo semiconductor en el área en consideración, por lo menos en el área por debajo de dicho material de contacto donde el mismo constituye una zona de base difundida, usándose un material de contacto que substancialmente está libre de las referidas impurezas que acortan la vida de los portadores de carga.
UN MÉTODO DE OBTENER UNA BARRERA RECTIFICADORA EN UNA GALLETA DE SEMICONDUCTOR.
(16/03/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Un método de obtener una barrera rectificadora en una galleta de semiconductor, que comprende las etapas de ; precaldear por separado dicha galleta, dejando al descubierto una cara principal de la misma, y una carga que incluye una sustancia determinativa del tipo de conductividad, o impureza activa, a una temperatura superior al punto de fusión de dicha sustancia o impureza; inundar con dicha carga fundida la mencionada cara expuesta de dicha galleta, hasta disolver una parte de dicha galleta; enfriar dicha carga fundida y dicha galleta a una temperatura a la cual una parte de dicha galleta disuelta y dicha impureza o sustancia determinativa de tipo precipita y se recristaliza sobre la cara expuesta de la citada galleta; y separar luego por decantación el resto de dicha carga fundida.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
APARATO REPETIDOR SEMICONDUCTOR.
(01/03/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Aparato repetidor semiconductivo que comprende un dispositivo compuesto de un cuerpo de material semiconductivo, con un empalme PN plano por lo menos a través del mismo, el cual define al menos dos regiones contiguas de tipos de conductividad recíprocamente opuestos, y electrodos de baja resistencia aplicados en esas dos regiones o zonas; caracterizado porque de los mencionados electrodos de baja resistencia, el primero y el segundo están dispuestos, separados uno de otro, en una de las zonas, y el tercero y el cuarto lo están en la otra zona, y porque se dispone un generador de potencial para polarizar el empalme en la dirección inversa.
