(16/02/2010) Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de silicio de una masa de sal en fusión y procedimiento para la producción de tetrafluoruro. La invención se refiere a la tecnología de silicio para semiconductores. El procedimiento según la invención consiste en la separación electrolítica de una masa fundida eutéctica saturada con tetrafluoruro de silicio, formada por un sistema ternario de sales fluoruro de metales alcalinos. Para la saturación de la masa fundida se utiliza un tetrafluoruro de silicio obtenido por fluoración de dióxido de silicio, donde la fluoración se realiza en dos etapas, esto es en la primera etapa se alimenta flúor elemental en exceso y en la segunda etapa se alimenta el dióxido…