(16/05/2018) Un diodo láser semiconductor , comprendiendo el diodo láser semiconductor : un sustrato , estando formado el sustrato a partir de una primera pluralidad seleccionada de materiales que es arseniuro de galio (GaAs); una capa semiconductora de tipo n , estando formada la capa semiconductora de tipo n a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una segunda pluralidad de materiales; una capa semiconductora de tipo p , estando formada la capa semiconductora de tipo p a partir de una pluralidad de materiales seleccionados de una tercera pluralidad de materiales, siendo la pluralidad seleccionada de materiales que forman la capa semiconductora de tipo p diferente de la pluralidad seleccionada de materiales que forman la capa semiconductora de tipo n ; y uno o más pozos cuánticos…