CIP-2021 : C30B 15/06 : Estirado no vertical.
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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 15/06 · Estirado no vertical.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO PARA LA PREPARACION DE UNA PELICULA SEMICONDUCTORA DELGADA.
(16/12/1991). Solicitante/s: THE BOC GROUP PLC. Inventor/es: ROBILLARD, JEAN JULES ACHILLE.
METODO PARA PREPARAR UNA PELICULA DELGADA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO EN EL CUAL SE GENERAN MICROGOTAS CARGADAS DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR O UN CONSTITYENTE DEL MISMO POR EXTRACCION ELECTRODINAMICA (EHD) DE LAS GOTAS DESDE UN MENISCO FORMADO EN UNA PUNTA ALARGADA DE UNA BOQUILLA QUE CONTIENE EL MATERIAL EN ESTADOFUNDIDO. LA EXTRACCION EHD SE PRODUCE BAJO LA INFLUENCIA DE UN ALTO CAMPO ELECTRICO PRODUCIDO POR UN ELECTRODO EXTRACTOR ADYACENTE A LA PUNTA DE LA BOQUILLA PARA FORMAR UN HAZ TIPO CINTA BIDIMENSIONAL O CAPA DE MICROGOTAS CARGADAS. EL HAZ BIDIMENSIONAL SE DIRIGE SOBRE EL BORDE POSTERIOR DE UN BLANCO SOPORTADO POR UN SUSTRATO MOVIL DE MANERA QUE SE FORMA SOBRE DICHO SUSTRATO UNA PELICULA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR POR DEPOSICION DE LAS MICROGOTAS SOBRE EL BORDE POSTERIOR DEL BLANCO MOVIL.