CIP-2021 : H01L 29/72 : Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/72 · · · · Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
IMPLANTACION DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIAS.
(16/03/2002). Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, HAMBERG, IVAR.
SE PROPORCIONA UNA INSTALACION PARA TRANSISTORES DE POTENCIA RF QUE REDUCE LA INDUCTANCIA COMUN DEL CONDUCTOR ELECTRICO Y LOS FALLOS DE FUNCIONAMIENTO ASOCIADOS. UNA CELULA TRANSISTORA RF SE ROTA 90 (GRADOS) CON RESPECTO A LA CELULA TRANSISTORA CONVENCIONAL DE MODO QUE UNOS ADAPTADORES DE CONEXION SE SITUEN DE FORMA MAS PROXIMA AL BORDE DE UNA HILERA DE ESTIRAR ALAMBRE DE SILICIO, REDUCIENDO LA LONGITUD DEL CONDUCTOR DE CONEXION Y POR LO TANTO MEJORANDO EL FUNCIONAMIENTO A FRECUENCIAS ELEVADAS. LA SITUACION DEL ADAPTADOR DE CONEXION Y LA DISTRIBUCION DE LAS DIFERENTES PIEZAS DE LA INSTALACION DEL TRANSISTOR REDUCEN AUN MAS LA INDUCTANCIA COMUN DE LOS CONDUCTORES ELECTRICOS.
CIRCUITO INTEGRADO PROTEGIDO CONTRA DESCARGAS ELECTROSTATICAS, CON UMBRAL DE PROTECCION VARIABLE.
(01/12/2000) EL INVENTO CONCIERNE A LA PROTECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS CONTRA DESCARGAS ELESTROSTATICAS. PARA ASEGURAR UNA PROTECCION TANTO EFICAZ COMO POSIBLE CONTRA LAS DESCARGAS ELECTROSTATICAS POR APLICACION EN ALUD DE UN DIODO (D) SIN QUE UNAS SOBRETENSIONES DE ORIGEN NO ELECTROSTATICO NO DESCONECTEN INTEMPESTIVAMENTE ESTA APLICACION EN ALUD, EL INVENTO PROPONE LA SOLUCION SIGUIENTE: POR UNA REJILLA AISLADA (G) RODEANDO EL CATODO DEL DIODO (D), SE MODIFICA EL UMBRAL DE PASO EN ALUD DEL DIODO EN FUNCION DEL DECLIVE DE LAS SOBRETENSIONES QUE SE PRESENTAN EN EL BORNE (B) A PROTEGER. LA REJILLA (G) ESTA UNIDA AL BORNE (B) POR UN CIRCUITO INTEGRADOR (R, C) DE TAL FORMA QUE LAS SOBRETENSIONES SON APLICADAS A LA REJILLA CON UN CIERTO RETRASO, INDUCIENDO ENTRE CATODO Y REJILLA UNA DIFERENCIA…
PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.
(16/09/1980) Perfeccionamiento en circuitos de conmutación de estado sólido, del tipo que comprenden, un interruptor de diodo de desconexión cíclica (GDS) que comprende un cuerpo semiconductor cuya parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer de tipo de conductividad, una segunda región del segundo tipo de conductividad opuesta a la del primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, estando mutuamente separadas la primera región, la segunda región y la región de puerta por partes de la masa principal del cuerpo semiconductor, siendo la resistividad de la parte principal o masa relativamente baja si se compara con las resistividades de la primera, segunda regiones y región…
(16/01/1977). Solicitante/s: SONY CORPORATION.
Resumen no disponible.
DISPOSITIVO DE CONMUTACION DE FASE.
(16/01/1977). Solicitante/s: SONY CORPORATION.
Resumen no disponible.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE VARIAS UNIONES.
(01/08/1976). Solicitante/s: SONY CORPORATION.
Resumen no disponible.