CIP-2021 : H01L 21/34 : los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06,
H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/34 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE CAPA DELGADA.
(16/09/2003). Solicitante/s: NORDIC SOLAR ENERGY AB. Inventor/es: BODEGAARD, MARIKA, HEDSTROM, JONAS, STOLT, LARS.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR CELULAS SOLARES DE PELICULA FINA, EN EL QUE SE APLICA UNA CAPA DE SELENURO DE INDIO DE COBRE (CUINSE{SUB, 2}) EN UN PASO DE MANUFACTURACION SOBRE UNA ESTRUCTURA QUE INCLUYE UNA CAPA DE METAL QUE FORMA UN CONTACTO DE RESPALDO ELECTRICO EN LA CELULA SOLAR, ESTE CONTACTO DE RESPALDO SE APLICA A UN SUBSTRATO . LA INVENCION SE CARACTERIZA EN QUE LA CAPA QUE CONTIENE METAL ALCALI SE FORMA LA ESTRUCTURA ANTES DE APLICAR LA CAPA DE CUINSE{SUB, 2}.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA FORMADO DE CARBURO DE SILICIO.
(01/03/2003) SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA, DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR, Y DE ALTA FRECUENCIA QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DE CRISTAL SIMPLE EN BRUTO , UNA PRIMERA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, Y UNA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE TIPO N FORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA EPITAXIAL. LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL TIENE DOS CAVIDADES SEPARADAS QUE ESTAN DEFINIDAS RESPECTIVAMENTE POR CONCENTRACIONES MAYORES DE MATERIAL DE SOPORTE DE IONES DOPANTES DE TIPO N DE LAS QUE ESTAN PRESENTES EN EL RESTO DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL. UNOS CONTACTOS OMICOS…