CIP-2021 : H01L 21/18 : los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica,
o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
Notas[n] de H01L 21/18: - El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del Grupo IV del Sistema Periódico o compuestos A III B V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/18 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
(10/07/2019) Célula solar múltiple (MS) que presenta
una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs, presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y
una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2),
siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y
presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2,…
PROCEDIMIENTO PARA UNIR POR ADHERENCIA SUPERFICIAL OBLEAS DE SILICIO.
(16/02/1996). Solicitante/s: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH. Inventor/es: SCHUSTER, GUNTHER, DR., PANITSCH, KLAUS.
EL PROCEDIMIENTO SE CARACTERIZA PORQUE SOBRE UNA SUPERFICIE A UNIR, SE APLICA UNA CAPA DELGADA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.
UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/12/1976). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN MÉTODO DE OBTENER UNA BARRERA RECTIFICADORA EN UNA GALLETA DE SEMICONDUCTOR.
(16/03/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Un método de obtener una barrera rectificadora en una galleta de semiconductor, que comprende las etapas de ; precaldear por separado dicha galleta, dejando al descubierto una cara principal de la misma, y una carga que incluye una sustancia determinativa del tipo de conductividad, o impureza activa, a una temperatura superior al punto de fusión de dicha sustancia o impureza; inundar con dicha carga fundida la mencionada cara expuesta de dicha galleta, hasta disolver una parte de dicha galleta; enfriar dicha carga fundida y dicha galleta a una temperatura a la cual una parte de dicha galleta disuelta y dicha impureza o sustancia determinativa de tipo precipita y se recristaliza sobre la cara expuesta de la citada galleta; y separar luego por decantación el resto de dicha carga fundida.
