CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 49/00 › H01L 49/02[1] › Dispositivos de película delgada o de película gruesa.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 49/00 Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos H01L 27/00 - H01L 47/00 y H01L 51/00 y no cubiertos por otra subclase; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
H01L 49/02 · Dispositivos de película delgada o de película gruesa.
(01/12/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: SOCIEDAD DE GAS DE EUSKADI, S.A. Inventor/es: CASTAÑO CARMONA,ENRIQUE, GRACIA GAUDO,FRANCISCO J.
Sensor de gases, constituido por un sustrato de silicio que presenta al menos una zona micromecanizada de reducido espesor sobre la que se dispone, en posición centrada una resistencia calefactora y un óxido metálico semiconductor dotado de contactos eléctricos.
(01/10/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: MATSUDA, HIROSHI, TAKIMOTO, KIYOSHI, KAWAGISHI, HIDEYUKI, KAWADA, HARUKI, YANAGISAWA, YOSHIHIRO.
UN DISPOSITIVO DE CRISTAL LIQUIDO, QUE COMPRENDE UN PAR DE SUBSTRATOS, CADA UNO TENIENDO UN ELECTRODO, Y UNA CAPA DE CRISTAL LIQUIDO, TENIENDO UNA FASE ESMECTICA QUIRAL, SITUADA ENTRE LOS SUBSTRATOS, DONDE UN PRIMER SUBSTRATO, QUE ES UNO DE LOS SUBSTRATOS MENCIONADOS, COMPRENDE: I) UN PRIMER CONJUNTO DE ELECTRODOS DISPUESTOS DIVIDIDAMENTE, ESTANDO ESTE PRIMER CONJUNTO DE ELECTRODOS CUBIERTO CON UNA CAPA MONOMOLECULAR, O UNA CAPA CON FUNDAMENTO MONOMOLECULAR, DE FORMA QUE LA CAPA MONOMOLECULAR, O CAPA CON FUNDAMENTO MONOMOLECULAR, SITUADA EN LOS PRIMEROS ELECTRODOS Y ENTRE LOS PRIMEROS ELECTRODOS, ESTA FORMADA CON UNA PELICULA CONTINUA; Y II) UN SEGUNDO ELECTRODO SITUADO EN LA CAPA MONOMOLECULAR, O CON FUNDAMENTO MONOMOLECULAR, DE FORMA QUE UN DISPOSITIVO MIM SE FORMA EN UNA PARTE EN QUE LOS PRIMEROS ELECTRODOS, LA PELICULA MONOMOLECULAR, O PELICULA CON BASE MONOMOLECULAR, Y EL SEGUNDO ELECTRODO, SE SUPERPONEN EN CAPAS.
(01/09/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: HASEGAWA, KENJI, KIMURA, ISAO.
UN SUBSTRATO PARA UNA CABEZA DE GRABADO DE CHORRO DE TINTA COMPRENDE UN SOPORTE Y UN TRANSDUCTOR ELECTROTERMICO PROVISTO SOBRE DICHO SOPORTE Y QUE COMPRENDE UN MIEMBRO DE REOSTATO GENERADOR DE CALOR, POR EL QUE DICHO MIEMBRO DE REOSTATO GENERADOR DE CALOR ESTA FORMADO DE UN COMPUESTO COMPLEJO QUE COMPRENDE UN BORURO METALICO, SILICE Y NITROGENO.
(16/11/1963). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILCO CORPORATION.
Resumen no disponible.
(16/01/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Procedimiento para la fabricación de condensadores eléctricos con un electrodo formado por una película de metal, caracterizado por las fases de depositar por condensación sobre un substrato, una capa de metal que forma una película, anodizar electrolíticamente parte de esta capa metálica y aplicar sobre la parte anodizada una capa o película electro-conductiva.
