CIP-2021 : H01L 29/82 : controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/82 · · controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.
(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método:
proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…
DISPOSITIVO DE TRANSMISIÓN Y PROCESAMIENTO DE INFORMACIÓN MEDIANTE ONDAS DE ESPÍN DE BORDE.
(18/09/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID. Inventor/es: ALIEV KAZANSKI,Farkhad, LARA CALA,Antonio.
Dispositivo de transmisión y procesamiento de información mediante ondas de espín de borde, caracterizado porque el dispositivo comprende una estructura magnética triangular de reducido amortiguamiento magnético en estado saturado, y al menos un generador de campo electromagnético (8; 18a, 18b; 28) configurado para generar una propagación de ondas de espín de borde (3; 13a, 13b; 23a, 23b) en el dispositivo mediante excitación con campo electromagnético local. El dispositivo puede trabajar con dos modos de funcionamiento: aplicando un campo magnético externo o bien un campo de canje externo al dispositivo, de forma que el campo electromagnético local aplicado es paralelo al campo magnético o de canje externo.
PDF original: ES-2682046_R1.pdf
PDF original: ES-2682046_A2.pdf
Control del comportamiento electromecánico de estructuras en un dispositivo de sistemas microelectromecánicos.
(17/09/2014) Un aparato de MEMS, que comprende:
un sustrato ;
un electrodo , en el que el electrodo está ubicado sobre el sustrato ; una capa transparente , estando ubicada la capa transparente sobre el electrodo , y comprendiendo la capa transparente SiO2;
una capa de captura de carga, estando ubicada la capa de captura de carga sobre la capa transparente e incluye un material que tiene una densidad de captura de carga para manipular la acumulación de la carga sobre la capa transparente , y en el que la capa de captura de carga sirve de capa barrera de ataque químico y es resistente a XeF2;
un…
(16/01/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: GREGG, JOHN, FRANCIS, SPARKS, PATRICIA, DRESEL.
EL TRANSISTOR DE ESPIN ES UN TRANSISTOR HIBRIDO DE SEMICONDUCTORES/MAGNETICO , EN EL QUE SE DISPONE UNA BARRERA MAGNETICAMENTE CONTROLABLE. ENTRE UNA BASE DE SEMICONDUCTORES Y EL COLECTOR PARA CONTROLAR LA DIFUSION DE LOS VEHICULOS DE CARGA AL COLECTOR . CON EL TRANSISTOR DE ESPIN, LAS POBLACIONES DE PORTADORES DE CARGA SE DISTINGUEN POR LA DIRECCION DEL ESPIN O MOMENTO MAGNETICO DE LOS PORTADORES, EN LUGAR DE LA CARGA ELECTRONICA. SE UTILIZA UN INYECTOR DE ESPIN PARA POLARIZAR EN ESPIN LA POBLACION DE PORTADORES DE CARGA, DE MANERA QUE LA POBLACION TENGA UN MOMENTO MAGNETICO SELECCIONADO EN EL QUE LA POBLACION PUEDA TENER O NO LA CAPACIDAD DEFINIDA HASTA EL COLECTOR A TRAVES DE LA BARRERA MAGNETICA. EL TRANSISTOR DE ESPIN UTILIZAR LAS CARACTERISTICAS ELECTRONICAS DE UN TRANSISTOR CLASICO DE SEMICONDUCTORES, JUNTO CON UN FLUJO DE PORTADORES CONTROLADO POR EL MOMENTO MAGNETICO, A FIN DE AUMENTAR EN LO POSIBLE LA GANANCIA.
SENSORES DE CAMPOS MAGNETICOS.
(16/12/1994). Solicitante/s: GENERAL MOTORS CORPORATION. Inventor/es: HEREMANS, JOSEPH PIERRE, PARTIN, DALE LEE.
UN MAGNETODIODO PARA SU USO EN UN SENSOR MAGNETICO QUE UTILIZA UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR (FORMADO VENTAJOSAMENTE A PARTIR DE UN MATERIAL DE ALTA MOVILIDAD, DE INTERVALO DE BANDA DIRECTO, TAL COMO ARSENIURO DE GALIO) QUE TIENE UNA RETICULACION SUPERPUESTA FORMADA POR UN PERFIL DE IMPURIFICACION N-I-P-I O SUPERESTRUCTURA. ESTA RETICULACION SUPERPUESTA SE UTILIZA PARA PROPORCIONAR UNA REGION DE GRAN TIEMPO DE RECOMBINACION PARA EL FLUJO NORMAL DE PORTADORES DE CARGA A PARTIR DE LOS CUALES SE DESVIAN LOS PORTADORES EN REGIONES DE CORTOS PERIODOS DE TIEMPO DE RECOMBINACION POR MEDIO DE UN CAMPO MAGNETICO QUE SE ESTA PERCIBIENDO.
UN DISPOSITIVO DE BARRERA SCHOTTKY MAGNETICAMENTE SENSIBLE.
(16/02/1985). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
DISPOSITIVO DE BARRERA SCHOTTKY MAGNETICAMENTE SENSIBLE.LA BARRERA SCHOTTKY ESTA CONSTRUIDA CON HAFNIO, CIRCONIO, ZINC O MATERIALES QUE PUEDAN FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO EN LA SUPERFICIE DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO TIPO P Y QUE TIENE UNA TENSION DE TRABAJO DE FUNCIONAMIENTO MENOR DE 4,8 VOLTIOS. PUESTO QUE LOS PORTADORES PUEDEN SER INYECTADOS EN LA DIRECCIPON VERTICAL DESEADA PARA MAXIMA SENSIBILIDAD AL FLUJO MAGNETICO DIRIGIDO PARALELAMENTE A LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, LOS COLECTORES O ANODOS PUEDEN SER LLEVADOS MUY PROXIMOS A LA SUPERFICIE EMISIVA, LO QUE CONDUCE A UNA APTITUD DE FRECUENCIA ALTA DEBIDO A LOS TIEMPOS CORTOS DE TRANSITO DE PORTADORES.
"DISPOSITIVO TRANSISTOR PERFECCIONADO".
(01/02/1983). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
DISPOSITIVO TRANSISTOR. FORMADO POR TRANSISTORES MAGNETICAMENTE SENSIBLES QUE HACEN SU USO DE UN MECANISMO DE TRANSDUCCION MEDIANTE MODULACION, POR POTENCIAL DE CAMPO DE LORENTZ, DE LA INYECCION DE PORTADORES EN LA UNION EMISOR-BASE. SE UTILIZAN COLECTORES DE UN TIPO QUE TRABAJA, SEAN EN ALUD, SEA SIN ALUD, EN UNA ESTRUCTURA QUE TIENE UN SOLO EMISOR Y POR LO MENOS UN COLECTOR . LA UNION EMISOR-BASE SE POLARIZA EN SENTIDO DIRECTO PARA INYECTAR PORTADORES, Y LAS UNIONES DE BASE-COLECTOR SE POLARIZAN EN SENTIDO INVERSO PARA RECOGER PORTADORES. LA INYECCION DE PORTADORES ESTA MODULADA POR UN CAMPO DE LORENTZ.
