CIP-2021 : H01L 21/318 : compuestas de nitruros.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/318 · · · · · · · compuestas de nitruros.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Sustancias de grabado y dopado combinadas.
(24/04/2012) Procedimiento para el grabado de capas de pasivación y antirreflectantes de nitruro de silicio sobre una célula solar de silicio, caracterizado porque una sustancia de grabado en forma de pasta imprimible contiene un ácido fosfórico o sus sales se aplica en una etapa de procedimiento en toda la superficie o selectivamente sobre las zonas de la superficie a grabar y se calienta a una temperatura en el intervalo de 250 a 350 º C durante 30 a 120 segundos.
METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES.
(16/09/1997). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: BOUAYAD-AMINE, JAMAL, KUEBART, WOLFGANG, SCHERB, JOACHIM.
EN UN METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE CAMPOS DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION EN III-V EN SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES SE LLEVA A CABO MEDIANTE UN TRATAMIENTO PRELIMINAR DE LA SUPERFICIE EN PLAMA-SUSTANCIA DE CARBONO-HALOGENOS ANTES DE LA COLOCACION DE LAS CAPAS DE PASIVACION Y AISLAMIENTO. LOS ELEMENTOS GENERADOS TIENEN UN MEJOR VALOR ELECTRICO QUE LOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SIN EL TRATAMIENTO PRELIMINAR, CONCRETAMENTE PRESENTAN UNA CORRIENTE DE BLOQUEO MENOR (CORRIENTE OSCURA).
UN METODO PARA FORMAR REVESTIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO Y NITROGENO SOBRE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO.
(01/03/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, MICHAEL, KEITH WINTON, BANEY, RONALD HOWARD.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR A BAJAS TEMPERATURAS REVESTIMIENTOS CERAMICOS O SEMEJANTES A CERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO Y NITROGENO QUE SIRVEN PARA PROTEGER DISPOSITIVOS ELECTRONICOS. LOS REVESTIMIENTOS SON PRODUCIDOS MEDIANTE LA CERAMIFICACION A TEMPERATURAS MENORES O IGUALES QUE 400GC DE LOS REVESTIMIENTOS POLIMERICOS PRECERAMICOS QUE CONTIENEN SILICIO Y NITROGENO DEPOSITADOS A PARTIR DE UNA SOLUCION EN DISOLVENTE. LOS REVESTIMIENTOS SON UTILES PARA PLANARIZAR LA SUPERFICIE DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y PARA PASIVARLA.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO EN ESTADO SOLIDO.
(01/01/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: KOZE, JEFFREY THOMAS.
EL SELLADO DEL LADO POSTERIOR DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA IMPIDE LA EVAPORACION DEL DOPANTE (NORMALMENTE BORO) CUANDO SE DESARROLLA UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE EL LADO FRONTAL (ACTIVO), EVITANDO CON ELLO EL AUTODOPADO DE LA CAPA EPITAXIAL CON DOPANTE EN EXCESO. LA PRESENTE TECNICA DEPOSITA UNA CAPA DE OXIDO DURANTE EL PERIODO DE SUBIDA DE LA TEMPERATURA DEL HORNO, DURANTE EL CUAL SE DEPOSITA ASIMISMO LA CAPERUZA DE NITRURO, EVITANDO CON ELLO UNA ETAPA DE PROCESO EXTRA. IGUALMENTE, SE EVITAN LAS MAYORES TEMPERATURAS REQUERIDAS EN LAS TECNICAS CONOCIDAS DE DESARROLLO DE LA CAPA DE OXIDO, LO CUAL SE TRADUCE EN UNA MENOR PRECIPITACION DE OXIGENO DERIVADA DEL PROCESO DE FORMACION DE LA CAPERUZA Y EN UN MAYOR RENDIMIENTO DE LAMINAS UTILIZABLES.
