CIP-2021 : H01L 31/0368 : comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/0368[3] › comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0368 · · · comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Elaboración de silicio policristalino por sinterización natural para aplicaciones fotovoltaicas.
(26/10/2018) Procedimiento de control de la densidad y/o de la porosidad de una muestra de silicio, incluyendo este procedimiento:
* un posicionamiento de esta muestra de silicio, inicialmente en forma granular o de polvo, en un horno,
* determinación de las condiciones de temperatura de sinterización y de presión parcial de las especies oxidantes para ejecutar una etapa de sinterización,
* una sinterización sin carga de esta muestra, por tratamiento térmico de este a al menos una temperatura de sinterización y al menos una presión parcial de especies oxidantes, permaneciendo la temperatura de sinterización inferior a la temperatura de fusión de la muestra, estando la temperatura de sinterización y la presión parcial de especies oxidantes dirigidas durante la sinterización para…
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(30/05/2018). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PECH,REINER, KERSCHER,MICHAEL, SANDNER,ARMIN.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos un reactor, mediante lo cual se obtienen varas de silicio policristalinas, desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, caracterizado por que, tras el desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, y antes del desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, el silicio policristalino presente en forma de vara se clasifica en al menos dos clases de calidad por medio de al menos una característica, alimentándose éstas clases de calidad, al menos dos, a pasos de desmenuzado separados.
PDF original: ES-2677489_T3.pdf
Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas.
(02/05/2018). Solicitante/s: INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. Inventor/es: SCHMIDT, STEFFEN, PAUL,ALEXANDER, BEREK,HARRY, HERLITZE,LOTHAR, WEIS,HANSJÖRG, HÄUSER,KARL.
Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior y una capa inferior , caracterizado un elemento de contacto está aplicado por medio de inyección de gas frío y la atraviesa al menos una capa superior y contacta con la capa inferior.
PDF original: ES-2669070_T3.pdf
ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO.
(20/11/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS. Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.
Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.
(17/09/2014) Silicio policristalino que ha sido depositado a partir del triclorosilano sobre una barra filamentosa constituida a base de silicio, con unas concentraciones de sustancias dopantes de
1-10 ppta de boro,
1-20 ppta de fósforo,
1-10 ppta de arsénico,
y 0,01-1 ppta de aluminio,
así como con una duración de vida útil de los portadores de cargas eléctricas de por lo menos 2.000 y de a lo sumo 4.500 μs.
METODO DE FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR MULTICAPA.
(01/03/2004) SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y UN METODO PARA FORMAR LA ESTRUCTURA, EN DONDE UN SUBSTRATO O SUPERESTRATO DE SOPORTE SUMINISTRA LA RESISTENCIA MECANICA PARA SOPORTAR LAS REGIONES ACTIVAS, FINAS, SUPERPUESTAS. LA CAPA DIELECTRICA FINA DEPOSITADA SOBRE EL SUBSTRATO O EL SUPERESTRATO SIRVE PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS DEL SUBSTRATO DESDE PERSPECTIVAS OPTICAS, METALURGICAS Y/O QUIMICAS. ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR , LA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR ES DE SILICIO DE TIPO N CON TRATAMIENTOS APROPIADOS PARA OBTENER EL TAMAÑO GRANDE DE GRANO DESEADO. ESTA CAPA PUEDE CRISTALIZARSE A MEDIDA QUE SE DEPOSITA, O PUEDE SER DEPOSITADA EN FORMA AMORFA Y LUEGO SER CRISTALIZADA CON UN PROCESAMIENTO…
