CIP-2021 : H01L 27/18 : con componentes que presentan un efecto de superconductividad.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/18 · con componentes que presentan un efecto de superconductividad.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CELULA DE DETECCION SUPRACONDUCTORA CON EFECTO TUNEL.
(01/04/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: AGENCE SPATIALE EUROPEENNE. Inventor/es: PEACOCK, ANTHONY, VENN, ROBERT.
LA INVENCION SE REFIERE ASI A UNA CELULA DE DETECCION QUE COMPRENDE DISPOSITIVOS SUPRACONDUCTORES CON EFECTO TUNEL ORGANIZADOS SEGUN UNA RED DE DOS DIMENSIONES Y DISPUESTOS EN UN SUSTRATO COMUN , INCLUYENDO CADA DISPOSITIVO SUPRACONDUCTOR UNA UNION SUPRACONDUCTORA CON EFECTO TUNEL, CONECTADA ELECTRICAMENTE A UNA ZONA DE CONEXION DE BASE Y A UNA ZONA DE CONEXION SUPERIOR . LOS DISPOSITIVOS SUPRACONDUCTORES ESTAN SEPARADOS ENTRE SI POR UNA RANURA QUE SE EXTIENDE HASTA INCLUSO LA ZONA DE CONEXION DE BASE DELIMITANDO ZONAS DE CONEXION DE BASE INDIVIDUALES DISPUESTAS ENTRE DICHA UNION Y EL SUSTRATO . AL MENOS UNA ZONA DE CONEXION DE BASE INDIVIDUAL ESTA CONECTADA ELECTRICAMENTE A, COMO MINIMO, UNA ZONA DE CONEXION DE BASE DE UN DISPOSITIVO SUPRACONDUCTOR ADYACENTE POR UNA PARTE DE PUENTE LOCALIZADA.
DISPOSITIVO DE CONDUCCION ELECTRICA VARIABLE.
(16/01/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CARBUROS METALICOS, S.A.. Inventor/es: FIGUERAS, ALBERT, LLIBRE, JUAN, GARCIA, GEMMA, CASADO, JUAN.
DISPOSITIVO DE CONDUCCION ELECTRICA VARIABLE. COMPRENDE DOS PARTES, UNA PRIMERA PARTE QUE INCLUYE DOS ELECTRODOS, ANODO (1A) Y CATODO (1B), Y UN ELECTROLITO SOLIDO A TRAVES DEL CUAL CIRCULA OXIGENO, Y UNA SEGUNDA PARTE QUE INCLUYE DOS ELECTRODOS (3A Y 3B), Y UN SUPERCONDUCTOR ; COMPRENDIENDO ADEMAS EL DISPOSITIVO MEDIOS PARA CONTROLAR LA CIRCULACION DEL OXIGENO QUE INCLUYEN UNA FUENTE DE ALIMENTACION (5A) Y UN CONMUTADOR . SE REDUCE LA POSIBLE DISTORSION DE LA SEÑAL AL INTEGRAR EN UN SOLO CUERPO EL SENSOR Y EL AMPLIFICADOR. LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN A UN DISPOSITIVO AMPLIFICADOR BASADO EN EL DISPOSITIVO DE CONDUCCION ELECTRICA VARIABLE QUE ADEMAS DE UTILIZARSE COMO AMPLIFICADOR PUEDE TAMBIEN UTILIZARSE COMO INTERRUPTOR.
