CIP-2021 : H01L 31/036 : caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 31/00 › H01L 31/036[2] › caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/036 · · caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.
(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende:
una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que
los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03;
un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y
una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.
PDF original: ES-2720596_T3.pdf
Lámina trasera de célula solar que incluye un copolímero basado en flúor, y método para fabricar la misma.
(27/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: LG CHEM LTD.. Inventor/es: KIM,HYUN-CHEOL, KWON,YOON-KYUNG, KO,HYUN-SEONG.
Lámina trasera de célula solar, que comprende:
una capa de sustrato; y
una capa de resina que se ha formado sobre al menos un lado de la capa de sustrato,
en la que la capa de resina incluye un polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF), que es poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) polimerizado con un comonómero,
el contenido del comonómero es del 5 al 50% en peso, con relación al peso total del polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF),
el polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) tiene una cristalinidad del 10 al 40%, en la que la cristalinidad se determina mediante calorimetría diferencial de barrido a partir del calor de fusión del polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF), y se mide el calor de fusión cuando el polímero basado en poli(fluoruro de vinilideno) (PVDF) se calienta de manera secundaria con una velocidad de calentamiento de 10 K/min.
PDF original: ES-2562954_T3.pdf
DETECTOR FOTONICO Y PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN DETECTOR FOTONICO.
(16/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: DEUTSCHE TELEKOM AG. Inventor/es: KOOPS, HANS, WILFRIED, PETER, KAYA, ALEXANDER.
LA INVENCION SE REFIERE A UN DETECTOR DE FOTONES EN DONDE SE DISPONE DE MATERIAL CON CONDUCTIVIDAD ELECTRICA DEPENDIENTE DE LA LUZ DISPUESTO ENTRE CONEXIONES ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS. EL MATERIAL ES UN COMPOSITE NANOCRISTALINO QUE, EN EL METODO PROPUESTO, SE APLICA A UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION INDUCIDA DE RADIACION DE PARTICULAS, SIENDO EL MATERIAL DE PARTIDA UTILIZADO COMPUESTOS ORGANOMETALICOS, QUE SON ABSORBIDOS SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO EN VIRTUD DE SU ALTA PRESION DE VAPOR.
SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2.
(01/01/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRO ASOCIACION DE MEDICINA Y SEGURIDAD EN EL TRABAJO DE UNESA PARA LA INDUSTRIA ELECTRICA. Inventor/es: SERRANO HERNANDEZ, DOLORES, PEREZ MORALES, JOSE MANUEL, OLMOS MORENO, PEDRO, MARTINEZ GARCIA, ANGEL, SANTOS PEÑA, MARIA TERESA, DIEGUEZ DELGADO, ERNESTO.
SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE AL METODO DE CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE HGI2 Y EN LAMINAS A SU POSTERIOR PREPARACION EN GEOMETRIA PARA FABRICAR MICRODETECTORES DE RADIACION DE ALTAS PRESTACIONES. ESTOS DETECTORES TIENEN GRAN EFICIENCIA FRENTE A RADIACION X Y GAMMA, PUDIENDO SER UTILIZADOS A TEMPERATURA AMBIENTE CON UNA GRAN SENSIBILIDAD, CARACTERIZADA POR UN LIMITE INFERIOR DE DETECCION DE 2 KEV. SU REDUCIDO TAMAÑO HACE QUE TENGAN UN CAMPO DE APLICABILIDAD POTENCIALMENTE MUY ALTO (MEDICINA NUCLEAR, MONITORAJE DE INSTALACIONES RADIACTIVAS, INVESTIGACION,...).
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.
(16/05/1996) UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS…
