CIP-2021 : H01L 29/12 : caracterizados por los materiales de los que están constituidos.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/12 · · caracterizados por los materiales de los que están constituidos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Elemento de control de campo eléctrico para fonones.

(04/10/2018) Un transistor fonónico que comprende: contactos eléctricos (216A, 216B ; 312, 314; 308); dos puntos cuánticos (210A, 210B; 302A, 302B) incrustados en un semiconductor de modo que cuando se aplica un desvío eléctrico a los contactos eléctricos, un campo eléctrico que se produce por el desvío eléctrico es sustancialmente paralelo a un eje a través de los dos puntos cuánticos, en donde los dos puntos cuánticos incluyen un primero y un segundo punto cuántico, en donde el primer punto cuántico y el semiconductor proporcionan un estado continuo, en donde el segundo punto cuántico proporciona un estado discreto, en donde el estado continuo y el estado discreto se acoplan cuando el desvío eléctrico se aplica a los contactos eléctricos, y en donde el desvío eléctrico proporciona un mecanismo…

Método de fabricación de dispositivos semiconductores sobre un sustrato del grupo IV con propiedades de superficie de contacto y colas de difusión controladas.

(27/06/2012) Dispositivo semiconductor que comprende: una capa de germanio de tipo p ; una capa de nucleación sobre la capa de germanio de tipo p , incluyendo la capa de nucleación un compuesto binario de los grupos III-V seleccionado del grupo que consiste en AlAs, AlSb, AlN, BAs, BSb, GaN, GaSb, InN, y InAs; y una primera capa de compuesto de los grupos III-V sobre la capa de nucleación, incluyendo la primera capa de compuesto de los grupos III-V al menos uno de GaInP, AlInP, y AlGaInP; en el que la capa de germanio de tipo p incluye átomos de fósforo que han sido difundidos desde la primera capa de compuesto de los grupos III-V , siendo la concentración de los átomos de fósforo en la capa de germanio de tipo p una función del grosor de la capa de nucleación ; y en el…

DETECTORES FOTONICOS DE UNION P-N+ Y N-P+ FUNDADOS EN UN NUEVO CONCPTO DE UNION P-N OBTENIDOS PARA DETECTAR RADIACION INFRARROJA.

(01/11/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: DOMINGUEZ, ENRIQUE, CARBAJAL, HERMENEGILDO, PASTOR, GERARDO.

CONSISTE EN DIODOS DE DIFUSION CON ESTRUCTURA MULTICAPA: SUSTRATO SEMICONDUCTOR CAPA DIFUSION CORTA CONTACTO ELECTRICO INFERIOR CONTACTO ELECTRICO SUPERIOR POR DONDE SE IRRADIA. EL MATERIAL SEMICONDUCTOR BASE ES FORMULA DE SILICIO AUNQUETAMBIEN PUEDE SER DE GERMANIO, ARSENIURO DE GALIO O ANTIMONIURO DE INDIO. LAS UNIONES PUEDEN SER TIPO P+/N O N+/P. LA INTEGRACION CONSISTE EN UN CONJUNTO DE DIODOS DE SILICIO DISPUESTOS EN FORMA DE MATRIZ Y CONECTADOS EN SERIE.