CIP-2021 : H01L 31/0288 : caracterizados por el material de dopado.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0288 · · · · · caracterizados por el material de dopado.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo semiconductor y procedimiento para su fabricación.

(15/07/2015) Procedimiento para fabricar un dispositivo semiconductor que absorbe luz, que contiene las siguientes etapas: proporcionar un sustrato con una primera cara y una segunda cara que contiene o está compuesto por silicio dopado de tipo p, Introducir un agente de dopaje en al menos un volumen parcial del sustrato semiconductor adyacente a la primera cara , de modo que entre el volumen parcial y el sustrato semiconductor se forma una primera transición pn con una primera energía de banda prohibida, Irradiar al menos una superficie parcial de la segunda cara del sustrato semiconductor en presencia de un compuesto que contiene nitrógeno, fósforo, azufre o arsénico con una pluralidad…

Método para la fabricación de una célula solar o de un detector de radiación, y una célula solar o un detector de radiación.

(20/06/2012) Método para la fabricación de una célula solar o de un detector de radiación, que presenta las siguientes etapasdel método: - provisión de un cuerpo semiconductor monocristalino que presenta dos lados enfrentados y undopado básico tipo p, - implantación de protones con energías de implantación entre 0,5 MeV y 10 MeV sobre un primer lado en elcuerpo semiconductor de manera que se genere un número de zonas de defecto (11') dispuestas en unadirección lateral del cuerpo semiconductor, distanciadas entre sí, que se extienden partiendo desde un lado hacia el interior del cuerpo semiconductor , - ejecución…

DIFUSION IN SITU DE IMPUREZAS DOPANTES DURANTE EL CRECIMIENTO DE RETICULA DENDRITICA DE UNA CINTA CRISTALINA DE SILICE.

(01/11/2004) SE DESCRIBEN UN PROCESO Y APARATO DE FORMACION DE UNA RED DENDRITICA PARA DIFUNDIR IMPUREZAS DE DOPANTES EN EL INTERIOR DE UNA RED DE CRISTALES DENDRITICOS CRECIENTES A FIN DE PRODUCIR ELEMENTOS FOTOVOLTAICOS. UNA FUENTE DE DIFUSION DE DOPANTE SOLIDO SE DISPONE EN UN SOPORTE MONTADO EN UN ELEMENTO TERMICO VERTICAL , BIEN SEA DENTRO DEL HORNO DE FUSION O FUERA DEL HORNO, JUNTO AL ORIFICIO DE SALIDA DEL MISMO. LA FUENTE SOLIDA DE DIFUSION SE CALIENTA POR CONDUCCION TERMICA DESDE EL ELEMENTO TERMICO VERTICAL Y EL SOPORTE DE LA FUENTE, UTILIZANDO EL CALOR DEL HORNO COMO FUENTE. SE PROPORCIONAN OPTATIVAMENTE BOBINAS CALENTADORES AUXILIARES ALREDEDOR DEL ELEMENTO TERMICO VERTICAL,…

CAPAS SEMICONDUCTORAS DOPADAS CON TIERRA RARA SUPERSATURADA POR DVQ.

(16/07/1998) SE DESCUBRE UN PROCESO DVQ PARA PRODUCIR UNA CAPA SEMICONDUCTORA EPITAXIAL, DOPADA CON TIERRA RARA, SOBRE UN SUSTRATO. EL EQUIPO ES UN REACTOR DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO EN VACIO ULTRA ALTO (DVQVUA) DE 7,6 CM DE DIAMETRO, EN DONDE EL BOMBEO Y LA CARGA DE LA PASTILLA SON HECHOS EN EL MISMO EXTREMO DEL REACTOR. ESTA MODIFICACION PERMITE LA INSTALACION DE UN DEPOSITO DE PRECURSOR CALENTADO SOBRE EL EXTREMO OPUESTO DEL REACTOR. EL DEPOSITO ESTA CONECTADO AL FLANCO DEL EXTREMO DEL REACTOR USANDO UN TUBO DE ACERO INOXIDABLE DE DIAMETRO CORTO. EL REACTOR ES CALENTADO POR CALENTADORES RESISTIVOS EXTERNOS. EL REACTOR ES BOMBEADO ANTES Y DURANTE LA DEPOSICION POR UNA BOMBA TURBOMOLECULAR DE 150 L/SEG RESPALDADA POR UNA BOMBA DE…