CIP-2021 : H01L 29/38 : caracterizados por las combinaciones de características cubiertas por varios de los grupos H01L 29/04,
H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/38 · · caracterizados por las combinaciones de características cubiertas por varios de los grupos H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CATÉTER PARA TRATAR UNA DISECCIÓN DE LA ÍNTIMA DESPUÉS DE LA IMPLANTACIÓN DE UN STENT.
(15/03/2011) Un catéter de rescate adaptado para su colocación a través de un catéter de suministro de endoprótesis vascular de alambre guía fijo después de que se haya detectado una disección de la íntima después de la colocación de una endoprótesis vascular (5`) en una arteria de un cuerpo humano, comprendiendo el catéter de rescate: un tubo alambre guía que tiene extremos proximales y distales y una ranura , caracterizado por que el catéter de rescate es un catéter de rescate de intercambio rápido y la ranura está en una sección de acoplamiento de ranura diseñada para acoplarse sobre el catéter de suministro de endoprótesis vascular de alambre guía fijo unido fijamente cerca del extremo distal del tubo de alambre guía
CARBURO DE SILICIO DE ALTA RESISTENCIA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(16/06/1999). Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. Inventor/es: SCHNEIDER, JURGEN, MULLER, HARALD, NIEMANN, EKKEHARD, MAIER, KARIN.
EL OBJETIVO DE LA INVENCION ES UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE SIC DE ALTA RESISTENCIA A PARTIR DE UN MATERIAL DE PARTIDA DE BAJA RESISTENCIA. SE COMPONE DE TAL MODO, QUE LOS NIVELES DONADORES PLANOS DE UNA IMPUREZA DE NITROGENO PREVALECIENTE SON SOBRECOMPENSADOS MEDIANTE ADMINISTRACION DE UN ELEMENTO TRIVALENTE, SIENDO LA CONCENTRACION DEL INDICADO ELEMENTO EN EL SIC TAL, QUE CAMBIA EL TIPO DE CONDUCTIVIDAD DESDE UNA CONDUCTIVIDAD N A UNA CONDUCTIVIDAD P. ADICIONALMENTE SE AÑADE UN ELEMENTO DE TRANSICION TENDIENDO DONADORES APROXIMADOS EN EL MEDIO DEL ESPACIO DE ENERGIA SIC, DE MODO QUE LOS NIVELES DE ACEPTADOR EN EXCESO SON COMPENSADOS Y SE CONSIGUE UNA RESISTENCIA ESPECIFICA ALTA.