CIP-2021 : H01L 23/492 : Bases o placas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/492 · · · Bases o placas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Aparato y procedimiento para interfaz térmica.
(18/03/2020). Solicitante/s: Emblation Limited. Inventor/es: MCERLEAN,EAMON, BEALE,GARY.
Un aparato para su uso como un amplificador que comprende:
un transistor de radiofrecuencia o microondas para proporcionar amplificación de señal;
al menos una placa de circuito para proporcionar señales de entrada y/o recibir señales desde el transistor ; y
un dispositivo de interfaz térmica configurado para facilitar la conexión mecánica y térmica entre el transistor y un disipador de calor de tubería de calor o disipador de calor de fluido circulante, caracterizado porque:
en uso, el dispositivo de interfaz se acopla indirectamente al transistor para proporcionar al menos tres uniones térmicas entre el transistor y el disipador de calor.
PDF original: ES-2797389_T3.pdf
Placa de circuito impreso, en particular para un módulo de electrónica de potencia, que comprende un sustrato eléctricamente conductor.
(12/06/2019). Solicitante/s: A.B. Mikroelektronik Gesellschaft mit beschränkter Haftung. Inventor/es: HAEGELE,Bernd, BURNS,ROBERT CHRISTOPHER, TUSLER,WOLFGANG.
Placa de circuito impreso (1a, 1b, 1c), en particular para un módulo de electrónica de potencia , que comprende un sustrato eléctricamente conductor con un elemento de conexión para conectar la placa de circuito impreso (1a, 1b, 1c) a una fuente de tensión de CC o a un motor trifásico, en la que el sustrato se compone al menos parcialmente, preferentemente por completo, de aluminio y/o una aleación de aluminio, caracterizada porque sobre al menos una superficie (3a, 3b) del sustrato eléctricamente conductor está dispuesta al menos una superficie conductora (4a, 4b) en forma de una capa eléctricamente conductora, preferentemente aplicada mediante un procedimiento de impresión, de manera especialmente preferente mediante un procedimiento de serigrafía, estando la superficie conductora (4a, 4b) en contacto eléctrico directamente con el sustrato eléctricamente conductor.
PDF original: ES-2744490_T3.pdf
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION ELECTRICA DE MICROCHIPS DE TRANSISTOR IGBT MONTADO SOBRE UNA PLAQUETA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/07/2006) La conexión de un transistor bipolar de puerta aislada a un circuito integrado comprende la preparación y soldadura de los electrodos para unir los terminales de conexión. La conexión eléctrica de un chip de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) montado sobre un circuito integrado comprende los pasos de soldar los electrodos y formar electrodos de control de retícula o de puerta sobre una placa conductora con secciones proyectantes que tienen áreas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión correspondientes. Los terminales de conexión se cubren con una placa metálica, por ejemplo aluminio, y el procedimiento anterior a la soldadura comprende la desoxidación de los terminales de conexión, al deposición de un material antioxidante, la deposición de soldadura, el posicionamiento de los chips con las secciones…
TERMINAL PARA SOLDAR Y METODO DE FABRICARLO.
(01/04/2002). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: ATKINSON NYE , HENRI, III, ROEDER, JEFFREY FREDERICK, TONG, HO-MING, TOTTA, PAUL ANTHONY.
SE PRESENTA UN METODO Y UNA ESTRUCTURA PARA UN TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO. EL TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO ESTA HECHO DE UNA CAPA DE ADHESION METALICA DE FONDO, UNA CAPA INTERMEDIA DE CRCU SOBRE LA PARTE SUPERIOR DE LA CAPA DE ADHESION, UNA CAPA DE UNION DE SOLDADURA ENCIMA DE LA CAPA DE CRCU Y UNA CAPA SUPERIOR DE SOLDADURA. LA CAPA DE ADHESION PUEDE SER TANTO TIW O TIN. UN PROCESO PARA FABRICAR UN METAL DE TERMINAL MEJORADO CONSTA DE LA DEPOSICION DE UNA CAPA METALICA ADHESIVA, UNA CAPA DE CRCU SOBRE LA CAPA ADHESIVA Y UNA CAPA DE MATERIAL DE UNION DE SOLDADURA, SOBRE LA CUAL SE FORMA LA CAPA DE SOLDADURA EN REGIONES SELECTIVAS Y LAS CAPAS SUBYACENTES SON QUIMICAMENTE ATACADAS UTILIZANDO LAS REGIONES DE SOLDADURA COMO MASCARA.
PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR SOPORTES DISTANCIADORES METALICOS EN UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO.
(16/02/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE IMEC. Inventor/es: PEETERS, JORIS ANTONIA FRANCISCUS, VANDAM, LOUIS JOSEPH, ALLAERT, KOENRAAD JULIAAN GEORGES, ACKAERT, ANN MARIE, VAN CALSTER, ANDRE, VEREEKEN, MARIA EUGENIE ANDRE, ZHANG, SUIXIN, DE BAETS, JOAHN, VANDERVELDE, BART LEO ALFONS MAURICE.
SE DESCRIBE UN PROCESO PARA CREAR RESALTES DE CONTACTO METALICOS EN UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO (PCB). EL PROCESO PERMITE OBTENER RESALTES DE CONTACTO CONSTITUIDOS POR TRES CAPAS SUCESIVAS DE METAL (CU1, CU2 Y CU3 O NI) DE LAS CUALES AL MENOS LAS DOS PRIMERAS SON DE COBRE. LA ALTURA DEL RESALTE DE CONTACTO ASI CREADO ES SUFICIENTE PARA UTILIZARLO EN LA TECNOLOGIA FLIP CHIP PARA MONTAR CHIPS SOBRE UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO. EL PRESENTE PROCESO SE REALIZA DE ACUERDO CON LAS TECNICAS DE GALVANOPLASTIA O DE CHAPADO ELECTROQUIMICO.