CIP-2021 : H01L 35/18 : con arsénico, antimonio o bismuto (H01L 35/16 tiene prioridad).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 35/18 · · · con arsénico, antimonio o bismuto (H01L 35/16 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de conversión termoeléctrica y módulo de conversión termoeléctrica.

(13/05/2020) Un dispositivo de conversión termoeléctrica que comprende: un primer material representado por la fórmula de composición ABx (en donde A es al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Bi, He, Ne, Ar, Kr y Xe, y B es al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Zn, Cu, Ag, Au, Al, Ga, In, Si, Ge y Sn), y que tiene una conductividad térmica reticular que es inferior a su conductividad térmica electrónica; y un segundo material que tiene un coeficiente de Seebeck más alto que el primer material, y una conductividad térmica de electrones que es menor que su conductividad térmica reticular, en donde la conductividad térmica reticular del primer material es menor que la conductividad térmica…

Método de producción de nanopartículas de tipo núcleo/envoltura y método de producción de un cuerpo sinterizado mediante dicho método.

(04/01/2017) Un método de producción de nanopartículas de tipo núcleo/envoltura por el método de plasma en solución, cuyo método de producción de nanopartículas de tipo núcleo/envoltura incluye un proceso de provocar la generación de plasma en una solución para así reducir dos tipos de sales metálicas que están disueltas en esa solución y hacer que precipite un primer metal y un segundo metal, proceso que incluye las siguientes etapas: una primera etapa de aplicación de una primera potencia para provocar la generación de dicho plasma de modo que provoque selectivamente la precipitación de dicho primer metal para formar…

Procedimiento para la fabricación de un material termoeléctrico de tipo p mejorado y usos del mismo.

(21/05/2014) Procedimiento para la fabricación de un material termoeléctrico de tipo p que tiene la fórmula estequiométrica Zn4Sb3, estando parte de los átomos de Zn opcionalmente sustituidos por uno o más elementos seleccionados del grupo que comprende Sn, Mg, Pb y los metales de transición en una cantidad total del 20% molar o menos en relación con los átomos de Zn; siendo dicho material con respecto a la calidad de ZT expresado por el factor de mérito ZT, estable después de ciclos térmicos; y presentando dicho material un factor de mérito ZT de 0,5 o mayor a 350ºC después de ciclos térmicos y/o de 0,6 o mayor a 400ºC después de ciclos térmicos; comprendiendo dichos ciclos térmicos someter repetidamente el material a aumentos y disminuciones consecutivos…

Procedimiento de obtención de aleaciones Zn-Sb con propiedades termoeléctricas.

(11/03/2013) La presente invención se refiere a un procedimiento de obtención de aleaciones Zn-Sb homogéneas que comprende las etapas de fusión en horno de atmósfera controlada de una mezcla de Zn y Sb, solidificación mediante colada continua de los materiales de la etapa a), obteniendo una barra Zn-Sb, y mecanización de la barra obtenida en la colada mediante corte, pulido y torneado. Estas aleaciones presentan resistividades eléctricas hasta un 60% inferiores a las obtenidas mediante procesos convencionales. La presente invención también se refiere a la aleación de antimoniuro de zinc obtenida por el procedimiento descrito para fabricar materiales termoeléctricos utilizables hasta temperaturas máximas de 500 ºC.

DISPOSITIVO GENERADOR DE POTENCIA ELECTRICA.

(22/05/2012) La presente invención tiene por objeto un dispositivo para generación de electricidad o generador de potencia eléctrica con alta intensidad y bajo voltaje que comprende al menos tres capas con igual superficie de contacto, que presenta dos capas exteriores formadas por materiales con alta conductividad térmica y eléctrica y al menos una capa interior formada por materiales con propiedades termoeléctricas. La presente invención también se refiere a un proceso de obtención de dicho dispositivo.

CONVERTIDORES TERMOELECTRICOS EN MINIATURA.

(01/03/1995). Solicitante/s: BRITISH GAS PLC. Inventor/es: ROWE, DAVID MICHAEL.

SE PRESENTA UNA MATRIZ MULTIACOPLAMIENTO DE SEMICONDUCTORES TERMOELECTRICOS QUE COMPRENDEN UN SUBSTRATO DE MATERIAL SEMIAISLANTE , TIRAS ALTERNADAS TIPO N Y TIPO P SOBRE DICHO SUBSTRATO CONECTADAS ELECTRICAMENTE EN SERIE, Y UNOS TERMINALES CONECTADOS A DICHAS TIRAS CONECTADAS EN SERIE. LA MATRIZ PUEDE INCORPORARSE EN UN CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA FABRICAR DICHAS MATRICES MULTIACOPLAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.

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