Procedimiento de solidificación de semiconductor con adición de cargas de semiconductor dopado en el transcurso de la cristalización.

(02/04/2012) Procedimiento de solidificación de semiconductor, que incluye al menos las etapas de: - formar un baño de semiconductor fundido a partir de al menos una primera carga de semiconductor que incluye dopantes, - solidificar el semiconductor fundido , y que incluye además, en el transcurso de la solidificación del semiconductor fundido , la realización, en el curso de al menos una parte del procedimiento de solidificación, de una o varias etapas de adición de una o varias cargas suplementarias del semiconductor, que incluyen asimismo dopantes, al baño de semiconductor rebajando la variabilidad del valor del término **Fórmula** del semiconductor fundido del baño con relación a la variabilidad realizada de forma natural por los valores de los coeficientes de…