CIP-2021 : C23C 16/452 : por activación de corriente de gases reactivos antes de la introducción en la cámara de reacción,

p. ej. por ionización o por adición de especies reactivas.

CIP-2021 › C › C23 › C23C › C23C 16/00 › C23C 16/452^[3] › por activación de corriente de gases reactivos antes de la introducción en la cámara de reacción, p. ej. por ionización o por adición de especies reactivas.

Notas^[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

Notas^[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto

C QUIMICA; METALURGIA.

C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.

C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).

C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).

C23C 16/452 · · · por activación de corriente de gases reactivos antes de la introducción en la cámara de reacción, p. ej. por ionización o por adición de especies reactivas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

PROCEDIMIENTO DE FORMACIÓN DE NANOESTRUCTURAS DE FORMA TOROIDAL.

(25/09/2014) Procedimiento de obtención de nanoestructuras de forma toroidal. Se presenta un procedimiento de fabricación de nanoestructuras de forma toroidal o nanoanillos de materiales, particularmente óxidos, mediante técnicas como la deposición química en fase vapor o la deposición atómica por capas. Estos nanoanillos crecen en un molde polimérico con estructura tridimensional que puede ser posteriormente eliminado permitiendo obtener estos nanoanillos aislados (no ligados a una superficie) y su producción puede ser llevada fácilmente a gran escala.

Aparato para deposición química de vapor por filamento caliente.

(30/10/2013) Un aparato para realizar la deposición química de vapor por filamento caliente de capas semiconductoras odieléctricas, que comprende una cámara de tratamiento que tiene una entrada y una salida, un filamento calentado eléctricamente para la conversión catalítica de moléculas de gas precursor, ysoportes entre los cuales se mantiene el filamento, en el que la entrada está conectada a una válvula de derivación para desviar un flujo de gas de tratamientolejos de la cámara de tratamiento para permitir cambios rápidos de la composición de gas, caracterizado porque la entrada está cubierta por un distribuidor de gas hecho de un material poroso paradistribuir de forma uniforme un flujo de gas a lo largo de una longitud.

HORNO DE TRATAMIENTO TÉRMICO CON CALENTAMIENTO INDUCTIVO.

(04/04/2011) Horno de tratamiento térmico , que comprende una zona de carga o de tratamiento , por lo menos una entrada de gas , una cámara de precalentamiento de gas situada en el horno entre la entrada del gas y la zona de carga o de tratamiento , un susceptor que comprende por lo menos una pared lateral que rodea la cámara de precalentamiento y la zona de carga o de tratamiento , y un inductor apto para calentar la pared lateral por inducción, caracterizado porque la parte de la pared lateral del susceptor situada alrededor de la cámara de precalentamiento presenta por lo menos dos vaciados separados…