CIP-2021 : H01L 21/225 : utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/225 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.
(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento:
- puesta a disposición de un sustrato semiconductor ;
- formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y
- generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.
PDF original: ES-2819173_T3.pdf
Método de fabricación de célula solar.
(13/11/2019) Un método de fabricación de una célula solar formando una unión p-n en un sustrato semiconductor que tiene un primer tipo de conductividad, en el que, al menos: un primer material de recubrimiento que contiene un dopante del segundo tipo de conductividad y un agente para impedir que se disperse un dopante, incluyendo dicho agente un compuesto de silicio, está recubierto sobre el sustrato semiconductor que tiene el primer tipo de conductividad mediante serigrafía, y un segundo material de recubrimiento que contiene un dopante del segundo tipo de conductividad está recubierto sobre el sustrato semiconductor que tiene…
MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER.
(18/02/2014) Método para el dopado selectivo de un semiconductor mediante transferencia inducida por láser, que comprende un sistema precursor compuesto de al menos una capa absorbente a la radiación láser, con una solución dopante y un soporte transparente , el cual se coloca enfrentado y en contacto directo con el sistema receptor donde se integra el substrato semiconductor y se irradia con uno o más pulsos de un haz láser focalizados en la interfaz entre la fuente y el substrato, provocando la transferencia de material proveniente de la fuente hacia el substrato y la introducción de átomos dopantes provenientes de la fuente dentro del substrato semiconductor. El sustrato…
Composición filmógena y método de difusión.
(19/04/2013) Composición filmógena para constituir una película de difusión proporcionada para difundir un elemento dopanteen una oblea de silicio, comprendiendo la composición filmógena: (A) un compuesto de silicio polimérico; (B) unóxido del elemento dopante, o una sal inorgánica o una sal orgánica que incluye el elemento dopante; y (C) unporógeno,
en donde el contenido del componente (C) en la composición filmógena con respecto al peso total de lacomposición filmógena está entre el 2 y el 20 % en peso, caracterizada porque
el componente (C) es un agente reductor para reducir el componente (B).
Procedimiento para la dotación selectiva de silicio.
(07/03/2012) Procedimiento para la dotación selectiva de silicio de un sustrato de silicio para la producción de una transición-pn en el silicio con las siguientes etapas:
a) provisión de la superficie del sustrato de silicio con un agente de dotación basado en fósforo,
b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio para la generación de un cristal de silicato de fósforo sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fósforo en el interior del silicio como primera dotación ,
c) aplicación de una máscara sobre el cristal de silicato de fósforo , de tal manera que la máscara cubre…
PROCEDIMIENTO DE DOPADO PARA PRODUCIR HOMOUNIONES EN SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES.
(16/09/2002). Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Inventor/es: SCHINDLER, ROLAND.
LA INVENCION DESCRIBE UN METODO DE IMPURIFICACION PARA FABRICAR HOMOUNIONES EN SUSTRATOS DE SEMICONDUCTORES EN LOS QUE LAS SUSTANCIAS DE IMPURIFICACION PENETRAN POR DIFUSION, QUE INCLUYE UNA FUENTE LUMINOSA CUYO ESPECTRO DE EMISION CONTIENE COMPONENTES ULTRAVIOLETAS Y QUE INCIDE SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR. LA INVENCION SE CARACTERIZA PORQUE ENTRE EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR A IMPURIFICAR Y LA FUENTE LUMINOSA SE INTRODUCE UNA MASCARA QUE, DEPENDIENDO DE LAS ZONAS A IMPURIFICAR CON SIMILAR CONCENTRACION DE IMPUREZAS, PRESENTA AREAS DE GROSOR VARIABLE HASTA LOS ORIFICIOS DE PASO DE LA MISMA; ENTRE LA MASCARA Y EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR A IMPURIFICAR SE INSERTAN ATOMOS DE IMPUREZAS; Y PARA INTRODUCIR LAS IMPUREZAS POR DIFUSION EN EL SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR SE ILUMINA LA SUPERFICIE DE LA MASCARA CON LA FUENTE LUMINOSA UTILIZANDO RAPID THERMAL PROCESSING (TRATAMIENTO TERMICO RAPIDO).
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON OXIDO DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA.
(01/07/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: DOKLAN, RAYMOND H., MARTIN, EDWARD PAUL, JR., ROY, PRADIP KUMAR, SHIVE, SCOTT FRANCIS, SINHA, ASHOK KUMAR.
SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA. LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DIELECTRICAS SE FORMAN SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURAS DE DEFECTOS DESALINEADOS. LUEGO SE FORMA UNA TERCERA CAPA (UN OXIDO) POR DIFUSION DE UNA ESPECIE OXIDANTE A TRAVES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DEL SUBSTRATO. LA ESPECIE REACCIONA CON EL SUBSTRATO. LA BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS RESULTA DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DESALINEADOS DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS. EN UNA INCORPORACION, LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SON OXIDOS FORMADOS Y DEPOSITADOS, RESPECTIVAMENTE. LA TERCERA CAPA SE FORMA POR DIFUSION DE OXIGENO A TRAVES DE LAS DOS PRIMERAS CAPAS, DONDE LA INTERFASE ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS ACTUA COMO SUMIDERO ATRAPADOR DE DEFECTOS. LA INTERFASE DE OXIDO DE SILICIO TIENE CARACTERISTICAS DESEABLES (ESENCIALMENTE PLANA Y SIN TENSION) DEBIDO A LA FORMACION DE OXIDO EN CONDICIONES PROXIMAS AL EQUILIBRIO.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS TRANSISTORES EN AREAS SELECCIONADAS DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA.
(16/01/1989) UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR TRANSISTORES BIPOLARES Y CMOS SOBRE UN SUSTRATO DE SILICIO DEL TIPO P-. EL SUSTRATO DE SILICIO TIENE LOS POZOS ENTERRADOS N+ HABITUALES Y REGIONES DE OXIDO DE CAMPO PARA AISLAR LOS DISPOSITIVOS TRANSISTORES INDIVIDUALES. DE ACUERDO CON EL PROCEDIMIENTO, SE CREAN PILAS DE MATERIAL SOBRE LOS ELEMENTOS DE PUERTA DE LOS DISPOSITIVOS CMOS Y SOBRE LOS ELEMENTOS EMISORES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES. LAS PILAS DE MATERIAL SOBRE LOS ELEMENTOS DE PUERTA TIENEN UNA CAPA DE PUERTA DE DIOXIDO DE SILICIO EN CONTACTO CON LA CAPA EPITAXIAL DEL SUSTRATO Y LAS PILAS DE MATERIAL, SOBRE LOS ELEMENTOS EMISORES, TIENEN UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO EN CONTACTO CON LA CAPA EPITAXIAL. SE CREAN PAREDES…
PROCEDIMIENTO PARA DOPAR UN CUERPO DE SILICIO CON BORO.
(16/04/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPASY.
PROCEDIMIENTO DE DOPADO DE SILICIO CON BORO. CONSISTENTE EN FORMAR UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO, AL MENOS, SOBRE LA SUPERFICIE DEL ELEMENTO DE SILICIO A DOPAR, DEPOSITANDO POSTERIORMENTE SOBRE LA ANTERIOR UNA CAPA DE POLISILICIO CON EL DOPANTE DE BORO. DESPUES, SE SOMETE EL ELEMENTO A UN CALENTAMIENTO, EN AMBIANTE OXIDANTE, PARA PROVOCAR UNA OXIDACION PARCIAL DEL POLISILICIO Y LA DIFUSION DEL BORO A TRAVES DE LA CAPA DE OXIDO HACIA EL ELEMENTO DE SILICIO. LA VELOCIDAD DE DIFUSION DEL BORO EN EL OXIDO SE INCREMENTA SI SE OPERA EN ATMOSFERA DE VAPOR DE AGUA, AUMENTANDOSE LA DIFUSION DEL BORO EN EL SILICIO MEDIANTE UN CALENTAMIENTO ADICIONAL EN ATMOSFERA INERTE. LAS CAPAS DE POLISILICIO Y DE DIOXIDO DE SILICIO PUEDEN SEPARARSE O QUEDAR RETENIDAS.DE APLICACION EN DOPADO DE SUPERFICIES PERPENDICULARES A LA SUPERFICIE PRINCIPAL DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR.
UN METODO PARA APLICAR UN REVESTIMIENTO ANTIREFLEJANTE SOBRE SILICIO.
(01/08/1981). Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.
METODO PARA APLICAR UN REVESTIMIENTO ANTIRREFLEJANTE SOBRE SILICIO. SE APLICA SOBRE EL SILICIO UNA CAPA DE UNA SUSTANCIA DE REVESTIMIENTO QUE CONTIENE, AL MENOS, UN 40 POR 100 DE OXIDOS DE TITANIO, CON PROPIEDADES DOPANTES. ANTES DE DICHA APLICACION, EL SILICIO ES CALENTADO A UNA TEMPERATURA SUPERIOR DE LA DE DIFUSION DEL DOPANTE CON EL FIN DE FAVORECER LA FORMACION DE UNA UNION PN. MEDIANTE EL ULTERIOR PROCESADO DEL REVESTIMIENTO APLICADO, ESTE ADQUIERE PROPIEDADES ANTIRREFLEJANTES. LA SUSTANCIA DE REVESTIMIENTO CONTIENE DE UN 1 A UN 40 POR 100 DE UN DOPANTE PREFERENTEMENTE ELEGIDO ENTRE LOS SIGUIENTES: ALCOXIDOS DE BORO, ALCOXIDOS FOSFORICOS, ACIDO FOSFORICO Y ACIDO BORICO. DE EMPLEO EN LA FABRICACION DE CELULAS DE ENERGIA SOLAR.