CIP-2021 : G11C 11/403 : con regeneración de la carga común a varias celdas de memoria, es decir refresco externo.
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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:
G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
G11C 11/403 · · · · · con regeneración de la carga común a varias celdas de memoria, es decir refresco externo.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN CIRCUITO PERFECCIONADO DE CELDA DE MEMORIA.
(16/09/1979). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Un circuito perfeccionado de celda de memoria que comprende una línea de datos, un circuito en serie que incluye medios de conmutación, medios de almacenamiento de carga y una impedancia acoplada entre dicha línea de datos y un punto de potencial de referencia; un amplificador que tiene una entrada acoplada a dicho circuito en serie en un punto entre dichos medios de almacenamiento de carga y dicha impedancia y una salida acoplada a dicha línea de datos, y una línea de selección acoplada para activar dichos medios de conmutación.