CIP 2015 : H01L 29/812 : puerta Schottky.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/812 · · · · · · puerta Schottky.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo semiconductor de película fina y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor de película fina.

(17/06/2015) Un MS-FET de película fina o dispositivo semiconductor de célula fotovoltaica que comprende: i) un substrato que comprende celulosa; ii) una primera capa que consiste en una capa conductora metálica en contacto con el substrato; iii) una segunda capa semiconductora que comprende silicio nanocristalino coloidal y un aglutinante en contacto con la primera capa; iv) una tercera capa que consiste en el caso de un MS-FET, en una capa conductora metálica o, en el caso de una célula fotovoltaica, en un conductor tipo-p transparente en contacto con la segunda capa.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA FORMADO DE CARBURO DE SILICIO.

(01/03/2003) SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA, DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR, Y DE ALTA FRECUENCIA QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DE CRISTAL SIMPLE EN BRUTO , UNA PRIMERA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, Y UNA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE TIPO N FORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA EPITAXIAL. LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL TIENE DOS CAVIDADES SEPARADAS QUE ESTAN DEFINIDAS RESPECTIVAMENTE POR CONCENTRACIONES MAYORES DE MATERIAL DE SOPORTE DE IONES DOPANTES DE TIPO N DE LAS QUE ESTAN PRESENTES EN EL RESTO DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL. UNOS CONTACTOS OMICOS…

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, AUTOALINEADO, PARA APLICACIONES DE ALTA FRECUENCIA.

(16/07/2002). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: ALLEN, SCOTT, T.

SE REVELA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SEMICONDUCTOR METALICO (MESFET) QUE MUESTRA UNA RESISTENCIA DE FUENTE REDUCIDA Y FRECUENCIAS DE OPERACION SUPERIORES. EL MESFET COMPRENDE UNA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO Y UNA ZANJA DE PUERTA EN LA CAPA EPITAXIAL QUE EXPONE UNA SUPERFICIE DE PUERTA DE CARBURO DE SILICIO ENTRE LOS DOS BORDES RESPECTIVOS DE LA ZANJA. UN CONTACTO DE PUERTA SE REALIZA PARA LA SUPERFICIE DE PUERTA Y CON LA ZANJA DEFINE ADEMAS LAS REGIONES DE ORIGEN Y DE DRENAJE DEL TRANSISTOR. LAS SUPERFICIES METALICAS OHMICAS RESPECTIVAS FORMAN CONTACTOS OHMICOS SOBRE LAS REGIONES DE ORIGEN Y DRENAJE DE LA CAPA EPITAXIAL, Y LOS BORDES DE LAS CAPAS DE METALICAS EN LA ZANJA ESTAN ESPECIFICAMENTE ALINEADOS CON LOS BORDES DE LA CAPA EPITAXIAL EN LA ZANJA.

 

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