CIP-2021 : C01B 33/029 : por descomposición de monosilano.

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Notas[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA

C QUIMICA; METALURGIA.

C01 QUIMICA INORGANICA.

C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).

C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956).

C01B 33/029 · · · · por descomposición de monosilano.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para el montaje de un reactor de lecho fluidizado para la producción de granulado de silicio policristalino.

(26/02/2019). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: Forstpointner,Gerhard, Hertlein,Harald, WECKESSER,DIRK.

Procedimiento para el montaje de un reactor de lecho fluidizado para la producción de granulado de silicio policristalino, que comprende las siguientes etapas en la secuencia indicada: - montar la placa del fondo y unirla con tuberías de aportación de gas para gas de fluidización y gas de reacción y tubería de extracción de producto ; - dotar a la placa de fondo de al menos una boquilla de gas de fluidización y de al menos una boquilla de gas de reacción ; - introducir la junta del tubo del reactor inferior en la placa de fondo ; - montar el tubo del reactor sobre una junta inferior del tubo del reactor - colocar el tiro del reactor con calefactor , electrodos y partes de aislamiento por encima del tubo del reactor; - montar la sujeción superior del tubo del reactor con una junta superior del tubo del reactor; - montar la cabeza del reactor; - montar el dispositivo de aportación de gránulos y tubería de gas de escape.

PDF original: ES-2701845_T3.pdf

Procedimiento de fabricación por pirólisis láser de partículas submicrónicas multicapas.

(13/09/2017) Procedimiento para producir partículas , que comprende las etapas siguientes: - Introducir en una cámara de reacción al menos un flujo de reacción que comprende como primer elemento químico silicio y que se propaga según una dirección de flujo , - Proyectar un haz de radiación a través de la cámara de reacción en intersección con cada flujo de reacción en una zona de interacción mediante flujo de reacción, para formar en cada flujo de reacción núcleos de partículas que comprenden el primer elemento químico, y - Introducir, en la cámara de reacción , un segundo elemento químico…

Procedimiento para la producción de polisilicio granular.

(13/04/2016). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PEDRON,SIMON.

Un procedimiento para la producción de polisilicio granular en un reactor de capa turbulenta, que comprende fluidizar partículas de silicio mediante un gas de fluidización aportado en una capa turbulenta, que es calentada a una temperatura de 600-1.200°C, añadir un gas de reacción que contiene silicio y depositar silicio sobre las partículas de silicio, con lo que se forma un polisilicio granular, que a continuación es retirado desde el reactor, así como retirar gas de salida, caracterizado por que el gas de salida retirado se aprovecha con el fin de calentar al gas de fluidización o al gas de reacción mediante un intercambiador de calor de doble tubo o de haz de tubos.

PDF original: ES-2626791_T3.pdf

Procedimiento para la producción de un silicio policristalino.

(30/10/2013) Procedimiento para la purificación de un silicio policristalino, en el que, por introducción de unos gases dereacción que contienen un componente, que contiene silicio, e hidrógeno, se deposita silicio en unos reactores, en elque un material condensado purificado, procedente de un primer proceso de deposición en un primer reactor, seaporta a un segundo reactor, y se utiliza en un segundo proceso de deposición en ese segundo reactor,caracterizado porque el primer y el segundo reactores comprenden en cada caso un circuito de hidrógeno separadoy el hidrógeno no consumido en los procesos de deposición se purifica en cada caso y se devuelve de retorno alcorrespondiente circuito de hidrógeno.

Dispositivo y proceso para el depósito de partículas ultrafinas desde la fase gaseosa.

(14/10/2013) Un dispositivo para la descomposición térmica de compuestos volátiles y el depósito de partículas que son formadasa continuación, que incluye al menos las siguientes características - un recipiente de presión, - al menos un tubo de reacción, cuyo extremo abierto (2c) se extiende al recipiente a presión y cuyo otro extremo estásituado fuera del recipiente a presión y está provisto con una alimentación de gas , el eje longitudinal del tubo dereacción está orientado en la dirección de la gravedad y paralelo al eje longitudinal del recipiente de presión (1d), y el tubode reacción puede ser calentado (2a) sobre el lado de entrada del gas y enfriado (2b) sobre el lado de salida del gas, - el recipiente de presión, en su parte inferior, tiene un cono de recogida (1a), extendiéndose…

Procedimiento y dispositivo para la producción de un silicio policristalino en forma de granulados en un reactor de capa turbulenta.

(21/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino en forma de granulados, en cuyo caso en un reactorde capa turbulenta con una superficie caliente, un gas de reacción, que contiene un compuesto gaseoso de silicio sedeposita a una temperatura de reacción de 600 a 1.100°C, en forma de silicio metálico, sobre unas partículas desilicio, que han sido fluidizadas mediante un gas de fluidización para formar una capa turbulenta, y las partículasprovistas del silicio depositado, así como el gas de reacción que no ha reaccionado y el gas de fluidización, seretiran desde el reactor, presentándose junto a la superficie del reactor una composición gaseosa que contiene de99,5 a 95 % en moles de hidrógeno y de 0,5 a 5 % en moles del compuesto gaseoso de silicio, y teniendo…

SILICIO Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

(12/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: JSSI GMBH. Inventor/es: SONNENSCHEIN, RAYMUND, DR., MULLER, ARMIN, ADLER, PETER, KIRCHNER, HOLGER, SILL,TORSTEN, GOLZ,ANDREAS.

Procedimiento para la producción de silicio que es adecuado como material de partida para la preparación de una masa fundida de silicio para la fabricación de bloques de silicio o cristales de silicio, comprendiendo los pasos siguientes: a) Introducción en un reactor de una mezcla de gases a base de un gas que contiene silicio y un gas auxiliar, b) descomposición térmica de la mezcla de gases con formación de polvo de silicio, c) separación del polvo de silicio formado de la mezcla de gases, y d) compactación mecánica del polvo de silicio separado, caracterizado porque e) la compactación mecánica se realiza con cilindros compactadores que al menos sobre la envolvente del cilindro son de un material cerámico.

DEPOSICION DE UN SOLIDO POR DESCOMPOSICION TERMICA DE UNA SUSTANCIA GASEOSA EN UN REACTOR.

(16/10/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DEGUSSA AG. Inventor/es: SONNENSCHEIN, RAYMUND, DR..

Dispositivo para la deposición de un sólido (B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el que la sustancia (A) utilizada posee una densidad mayor que la de los productos (C) gaseosos formados en la descomposición, caracterizado por un vaso , cuyo fondo está orientado en dirección a la gravedad terrestre (g) y su zona de abertura contra la gravedad terrestre (g), el vaso puede calentarse directa o indirectamente mediante una unidad de calefacción, medición de temperatura y control, una unidad de alimentación de sustancias con conducción de sustancias y unidad de dosificación, en el que la unidad de alimentación de.

MEJORAS EN O RELATIVAS A, LA PRODUCCIÓN DE SILICIO.

(16/09/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, SOCIEDAD ANONIMA.

Mejoras en o relativas a la producción de silicio caracterizadas por un método de producir un cuerpo cohesivo de silicio sustancialmente puro, que comprende calentar una superficie a la temperatura de descomposición del silano, pasar gas silano en una concentración molecular sustancialmente menor a normal sobre dicha superficie, y pasar otro gas al interior del volumen que circunda dicho gas silano de tal modo que dicho otro gas se mantiene a una temperatura inferior a dicha temperatura de descomposición, siendo dicho otro gas uno que sea inerte al gas silano y a los productos de descomposición del silano.

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