CIP 2015 : C30B 11/04 : introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

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Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

C30B 11/04 · introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de dopaje de un material semiconductor.

(19/11/2014) Procedimiento de dopaje de un material semiconductor, caracterizado porque comprende las etapas siguientes: - Prever un crisol que contiene una carga de dicho material semiconductor, - Disponer un material dopante en un recipiente sacrificial cerrado, estando el recipiente sacrificial formado por dicho material semiconductor, - Introducir el recipiente en el crisol - Fundir el contenido del crisol .

Proceso de fabricación de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción.

(16/10/2013) Proceso de fabricación de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción, comprendiendo elproceso los pasos de cargar una materia prima de silicio al interior de la cámara de fusión de un crisolrefrigerado rodeado por un inductor; formar una superficie de masa fundida; fundir mientras se supervisan losparámetros de salida de la alimentación del inductor; y extraer el lingote de silicio multicristalino bajo condicionesde enfriamiento controladas; estando dicho proceso caracterizado por el hecho de que, a lo largo de la fusión,la velocidad másica de carga de la materia prima de silicio y la velocidad de extracción del lingote se ajustan deforma tal que hacen que la posición de la superficie de la masa fundida quede por debajo del plano superior delinductor…

Método y reactor de crisol para producir silicio o un metal reactivo.

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

Procedimiento de solidificación de semiconductor con adición de cargas de semiconductor dopado en el transcurso de la cristalización.

(02/04/2012) Procedimiento de solidificación de semiconductor, que incluye al menos las etapas de: - formar un baño de semiconductor fundido a partir de al menos una primera carga de semiconductor que incluye dopantes, - solidificar el semiconductor fundido , y que incluye además, en el transcurso de la solidificación del semiconductor fundido , la realización, en el curso de al menos una parte del procedimiento de solidificación, de una o varias etapas de adición de una o varias cargas suplementarias del semiconductor, que incluyen asimismo dopantes, al baño de semiconductor rebajando la variabilidad del valor del término **Fórmula** del semiconductor fundido del baño con relación a la variabilidad realizada de forma natural por los valores de los coeficientes de…